6 ນິ້ວ Semi-Insulating HPSI SiC Wafer

Semicorex ສະຫນອງປະເພດຕ່າງໆຂອງ 4H ແລະ 6H SiC wafers. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງຜະລິດຕະພັນ silicon carbide ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. HPSI SiC Wafer ທີ່ຂັດສອງເທົ່າ 6 ນິ້ວ ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີ ແລະກວມເອົາຕະຫຼາດເອີຣົບ ແລະ ອາເມລິກາສ່ວນໃຫຍ່. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

Semicorex ມີສາຍຜະລິດຕະພັນ wafer silicon carbide (SiC) ຄົບຖ້ວນ, ລວມທັງ 4H ແລະ 6H substrates ທີ່ມີ N-type, P-type ແລະ wafers ເຄິ່ງ insulating ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ພວກເຂົາສາມາດຢູ່ກັບຫຼືບໍ່ມີ epitaxy.

ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 6 ນິ້ວຂອງ 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafer ຂອງພວກເຮົາໃຫ້ພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານເຊັ່ນ MOSFETs, Schottky diodes, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແຮງດັນສູງອື່ນໆ. 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafer ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນການສື່ສານ 5G, ລະບົບ radar, ຫົວຫນ້າການຊີ້ນໍາ, ການສື່ສານດາວທຽມ, ຍົນຮົບແລະຂົງເຂດອື່ນໆ, ມີຂໍ້ດີຂອງການເພີ່ມລະດັບ RF, ການກໍານົດໄລຍະໄກ ultra, ຕ້ານການ jamming ແລະສູງ. - ຄວາມໄວ, ຄວາມອາດສາມາດສູງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການໂອນຂໍ້ມູນ, ຖືວ່າເປັນ substrate ທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສຸດສໍາລັບການເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນພະລັງງານໄມໂຄເວຟ.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ:

● ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ: 6″

●ຂັດສອງເທົ່າ

●ຊັ້ນຮຽນ: ການຜະລິດ, ການຄົ້ນຄວ້າ, Dummy

● 4H-SiC HPSI Wafer

●ຄວາມຫນາ: 500 ± 25 μm

● ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ Micropipe: ≤1 ea/cm²~ ≤15 ea/ຊມ²

ລາຍການ	ການຜະລິດ	ການຄົ້ນຄວ້າ	Dummy
ພາລາມິເຕີ Crystal
Polytype	4H
ການວາງທິດທາງດ້ານເທິງແກນ	<0001 >
ທິດທາງດ້ານນອກຂອງແກນ	0±0.2°
(0004)FWHM	≤45arcsec	≤60arcsec	≤1OOarcsec
ຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ
ປະເພດ	HPSI
ຄວາມຕ້ານທານ	≥1 E8ohm·ຊມ	ພື້ນທີ່ 100% > 1 E5ohm·ຊມ	ພື້ນທີ່ 70% > 1 E5ohm·ຊມ
ຕົວກໍານົດການກົນຈັກ
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	150±0.2 ມມ
ຄວາມຫນາ	500 ± 25 ມມ
ປະຖົມນິເທດຮາບພຽງ	[1-100]±5° ຫຼື Notch
ຄວາມຍາວ/ຄວາມເລິກຂັ້ນຕົ້ນ	47.5±1.5mm ຫຼື 1 - 1.25mm
TTV	≤5ມມ	≤10ມມ	≤15ມມ
LTV	≤3ມມ(5ມມ*5ມມ)	≤5ມມ(5ມມ*5ມມ)	≤10ມມ(5ມມ*5ມມ)
ກົ້ມຫົວ	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Warp	≤35ມມ	≤45ມມ	≤55ມມ
ຄວາມຫຍາບດ້ານໜ້າ (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
ໂຄງສ້າງ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ micropipe	≤1 ea/ຊມ²	≤10 ea/ຊມ²	≤15 ea/ຊມ²
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄາບອນລວມ	≤1 ea/ຊມ²	ນັ້ນ
ໂມ້ຫົກຫລ່ຽມ	ບໍ່ມີ	ນັ້ນ
ຄວາມເປື້ອນຂອງໂລຫະ	≤5E12ອະຕອມ/ຊມ²		ນັ້ນ
ຄຸນະພາບດ້ານຫນ້າ
ດ້ານໜ້າ	ແລະ
ສໍາເລັດຮູບ	Si-face CMP
ອະນຸພາກ	≤60ea/wafer (ຂະຫນາດ≥0.3μm)	ນັ້ນ
ຮອຍຂີດຂ່ວນ	≤5ea/ມມ. ຄວາມຍາວສະສົມ ≤ ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	ຄວາມຍາວສະສົມ≤300mm	ນັ້ນ
ປອກເປືອກສີສົ້ມ/ຂຸມ/ຮອຍເປື້ອນ/ຮອຍຂີດຂ່ວນ/ຮອຍແຕກ/ການປົນເປື້ອນ	ບໍ່ມີ		ນັ້ນ
ຊິບຂອບ/ຫຍໍ້ໜ້າ/ຮອຍແຕກ/ແຜ່ນ hex	ບໍ່ມີ
ພື້ນທີ່ Polytype	ບໍ່ມີ	ພື້ນທີ່ສະສົມ≤20%	ພື້ນທີ່ສະສົມ≤30%
ເຄື່ອງຫມາຍເລເຊີດ້ານຫນ້າ	ບໍ່ມີ
ຄຸນະພາບກັບຄືນໄປບ່ອນ
ກັບຄືນໄປບ່ອນສໍາເລັດຮູບ	C-face CMP
ຮອຍຂີດຂ່ວນ	≤5ea/mm, ຄວາມຍາວສະສົມ≤2*ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	ນັ້ນ
ຂໍ້ບົກພ່ອງດ້ານຫຼັງ (ຊິບຂອບ/ຫຍໍ້ໜ້າ)	ບໍ່ມີ
ກັບຄືນໄປບ່ອນ roughness	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
ເຄື່ອງຫມາຍເລເຊີກັບຄືນໄປບ່ອນ	"SEMI"
ຂອບ
ຂອບ	Chamfer
ການຫຸ້ມຫໍ່
ການຫຸ້ມຫໍ່	Epi-ພ້ອມດ້ວຍການຫຸ້ມຫໍ່ສູນຍາກາດ ການຫຸ້ມຫໍ່ cassette ຫຼາຍ wafer
* ຫມາຍເຫດ: "NA" ຫມາຍຄວາມວ່າບໍ່ມີຄໍາຮ້ອງຂໍລາຍການທີ່ບໍ່ໄດ້ກ່າວເຖິງອາດຈະຫມາຍເຖິງ SEMI-STD.