Semicorex ສະຫນອງປະເພດຕ່າງໆຂອງ 4H ແລະ 6H SiC wafers. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງຜະລິດຕະພັນ silicon carbide ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. HPSI SiC Wafer ທີ່ຂັດສອງເທົ່າ 6 ນິ້ວ ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີ ແລະກວມເອົາຕະຫຼາດເອີຣົບ ແລະ ອາເມລິກາສ່ວນໃຫຍ່. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
Semicorex ມີສາຍຜະລິດຕະພັນ wafer silicon carbide (SiC) ຄົບຖ້ວນ, ລວມທັງ 4H ແລະ 6H substrates ທີ່ມີ N-type, P-type ແລະ wafers ເຄິ່ງ insulating ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ພວກເຂົາສາມາດຢູ່ກັບຫຼືບໍ່ມີ epitaxy.
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 6 ນິ້ວຂອງ 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafer ຂອງພວກເຮົາໃຫ້ພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານເຊັ່ນ MOSFETs, Schottky diodes, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແຮງດັນສູງອື່ນໆ. 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafer ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນການສື່ສານ 5G, ລະບົບ radar, ຫົວຫນ້າການຊີ້ນໍາ, ການສື່ສານດາວທຽມ, ຍົນຮົບແລະຂົງເຂດອື່ນໆ, ມີຂໍ້ດີຂອງການເພີ່ມລະດັບ RF, ການກໍານົດໄລຍະໄກ ultra, ຕ້ານການ jamming ແລະສູງ. - ຄວາມໄວ, ຄວາມອາດສາມາດສູງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການໂອນຂໍ້ມູນ, ຖືວ່າເປັນ substrate ທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສຸດສໍາລັບການເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນພະລັງງານໄມໂຄເວຟ.
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ:
● ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ: 6″
●ຂັດສອງເທົ່າ
●ຊັ້ນຮຽນ: ການຜະລິດ, ການຄົ້ນຄວ້າ, Dummy
● 4H-SiC HPSI Wafer
●ຄວາມຫນາ: 500 ± 25 μm
● ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ Micropipe: ≤1 ea/cm2~ ≤15 ea/ຊມ2
ລາຍການ |
ການຜະລິດ |
ການຄົ້ນຄວ້າ |
Dummy |
ພາລາມິເຕີ Crystal |
|||
Polytype |
4H |
||
ການວາງທິດທາງດ້ານເທິງແກນ |
<0001 > |
||
ທິດທາງດ້ານນອກຂອງແກນ |
0±0.2° |
||
(0004)FWHM |
≤45arcsec |
≤60arcsec |
≤1OOarcsec |
ຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ |
|||
ປະເພດ |
HPSI |
||
ຄວາມຕ້ານທານ |
≥1 E8ohm·ຊມ |
ພື້ນທີ່ 100% > 1 E5ohm·ຊມ |
ພື້ນທີ່ 70% > 1 E5ohm·ຊມ |
ຕົວກໍານົດການກົນຈັກ |
|||
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ |
150±0.2 ມມ |
||
ຄວາມຫນາ |
500 ± 25 ມມ |
||
ປະຖົມນິເທດຮາບພຽງ |
[1-100]±5° ຫຼື Notch |
||
ຄວາມຍາວ/ຄວາມເລິກຂັ້ນຕົ້ນ |
47.5±1.5mm ຫຼື 1 - 1.25mm |
||
TTV |
≤5ມມ |
≤10ມມ |
≤15ມມ |
LTV |
≤3ມມ(5ມມ*5ມມ) |
≤5ມມ(5ມມ*5ມມ) |
≤10ມມ(5ມມ*5ມມ) |
ກົ້ມຫົວ |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
Warp |
≤35ມມ |
≤45ມມ |
≤55ມມ |
ຄວາມຫຍາບດ້ານໜ້າ (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
||
ໂຄງສ້າງ |
|||
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ micropipe |
≤1 ea/ຊມ2 |
≤10 ea/ຊມ2 |
≤15 ea/ຊມ2 |
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄາບອນລວມ |
≤1 ea/ຊມ2 |
ນັ້ນ |
|
ໂມ້ຫົກຫລ່ຽມ |
ບໍ່ມີ |
ນັ້ນ |
|
ຄວາມເປື້ອນຂອງໂລຫະ |
≤5E12ອະຕອມ/ຊມ2 |
ນັ້ນ |
|
ຄຸນະພາບດ້ານຫນ້າ |
|||
ດ້ານໜ້າ |
ແລະ |
||
ສໍາເລັດຮູບ |
Si-face CMP |
||
ອະນຸພາກ |
≤60ea/wafer (ຂະຫນາດ≥0.3μm) |
ນັ້ນ |
|
ຮອຍຂີດຂ່ວນ |
≤5ea/ມມ. ຄວາມຍາວສະສົມ ≤ ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ |
ຄວາມຍາວສະສົມ≤300mm |
ນັ້ນ |
ປອກເປືອກສີສົ້ມ/ຂຸມ/ຮອຍເປື້ອນ/ຮອຍຂີດຂ່ວນ/ຮອຍແຕກ/ການປົນເປື້ອນ |
ບໍ່ມີ |
ນັ້ນ |
|
ຊິບຂອບ/ຫຍໍ້ໜ້າ/ຮອຍແຕກ/ແຜ່ນ hex |
ບໍ່ມີ |
||
ພື້ນທີ່ Polytype |
ບໍ່ມີ |
ພື້ນທີ່ສະສົມ≤20% |
ພື້ນທີ່ສະສົມ≤30% |
ເຄື່ອງຫມາຍເລເຊີດ້ານຫນ້າ |
ບໍ່ມີ |
||
ຄຸນະພາບກັບຄືນໄປບ່ອນ |
|||
ກັບຄືນໄປບ່ອນສໍາເລັດຮູບ |
C-face CMP |
||
ຮອຍຂີດຂ່ວນ |
≤5ea/mm, ຄວາມຍາວສະສົມ≤2*ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ |
ນັ້ນ |
|
ຂໍ້ບົກພ່ອງດ້ານຫຼັງ (ຊິບຂອບ/ຫຍໍ້ໜ້າ) |
ບໍ່ມີ |
||
ກັບຄືນໄປບ່ອນ roughness |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
||
ເຄື່ອງຫມາຍເລເຊີກັບຄືນໄປບ່ອນ |
"SEMI" |
||
ຂອບ |
|||
ຂອບ |
Chamfer |
||
ການຫຸ້ມຫໍ່ |
|||
ການຫຸ້ມຫໍ່ |
Epi-ພ້ອມດ້ວຍການຫຸ້ມຫໍ່ສູນຍາກາດ ການຫຸ້ມຫໍ່ cassette ຫຼາຍ wafer |
||
* ຫມາຍເຫດ: "NA" ຫມາຍຄວາມວ່າບໍ່ມີຄໍາຮ້ອງຂໍລາຍການທີ່ບໍ່ໄດ້ກ່າວເຖິງອາດຈະຫມາຍເຖິງ SEMI-STD. |