ບ້ານ > ຜະລິດຕະພັນ > Wafer > SiC Substrate > 6 ນິ້ວ Semi-Insulating HPSI SiC Wafer
ຜະລິດຕະພັນ
6 ນິ້ວ Semi-Insulating HPSI SiC Wafer
  • 6 ນິ້ວ Semi-Insulating HPSI SiC Wafer6 ນິ້ວ Semi-Insulating HPSI SiC Wafer
  • 6 ນິ້ວ Semi-Insulating HPSI SiC Wafer6 ນິ້ວ Semi-Insulating HPSI SiC Wafer

6 ນິ້ວ Semi-Insulating HPSI SiC Wafer

Semicorex ສະຫນອງປະເພດຕ່າງໆຂອງ 4H ແລະ 6H SiC wafers. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງຜະລິດຕະພັນ silicon carbide ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. HPSI SiC Wafer ທີ່ຂັດສອງເທົ່າ 6 ນິ້ວ ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີ ແລະກວມເອົາຕະຫຼາດເອີຣົບ ແລະ ອາເມລິກາສ່ວນໃຫຍ່. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ

Semicorex ມີສາຍຜະລິດຕະພັນ wafer silicon carbide (SiC) ຄົບຖ້ວນ, ລວມທັງ 4H ແລະ 6H substrates ທີ່ມີ N-type, P-type ແລະ wafers ເຄິ່ງ insulating ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ພວກເຂົາສາມາດຢູ່ກັບຫຼືບໍ່ມີ epitaxy.

ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 6 ນິ້ວຂອງ 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafer ຂອງພວກເຮົາໃຫ້ພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານເຊັ່ນ MOSFETs, Schottky diodes, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແຮງດັນສູງອື່ນໆ. 6 Inch Semi-Insulating HPSI SiC Wafer ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນການສື່ສານ 5G, ລະບົບ radar, ຫົວຫນ້າການຊີ້ນໍາ, ການສື່ສານດາວທຽມ, ຍົນຮົບແລະຂົງເຂດອື່ນໆ, ມີຂໍ້ດີຂອງການເພີ່ມລະດັບ RF, ການກໍານົດໄລຍະໄກ ultra, ຕ້ານການ jamming ແລະສູງ. - ຄວາມໄວ, ຄວາມອາດສາມາດສູງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການໂອນຂໍ້ມູນ, ຖືວ່າເປັນ substrate ທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສຸດສໍາລັບການເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນພະລັງງານໄມໂຄເວຟ.


ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ:

● ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ: 6″

●ຂັດສອງເທົ່າ

●ຊັ້ນຮຽນ: ການຜະລິດ, ການຄົ້ນຄວ້າ, Dummy

● 4H-SiC HPSI Wafer

●ຄວາມຫນາ: 500 ± 25 μm

● ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ Micropipe: ≤1 ea/cm2~ ≤15 ea/ຊມ2


ລາຍການ

ການຜະລິດ

ການຄົ້ນຄວ້າ

Dummy

ພາລາມິເຕີ Crystal

Polytype

4H

ການວາງທິດທາງດ້ານເທິງແກນ

<0001 >

ທິດທາງດ້ານນອກຂອງແກນ

0±0.2°

(0004)FWHM

≤45arcsec

≤60arcsec

≤1OOarcsec

ຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ

ປະເພດ

HPSI

ຄວາມຕ້ານທານ

≥1 E8ohm·ຊມ

ພື້ນທີ່ 100% > 1 E5ohm·ຊມ

ພື້ນທີ່ 70% > 1 E5ohm·ຊມ

ຕົວກໍານົດການກົນຈັກ

ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ

150±0.2 ມມ

ຄວາມຫນາ

500 ± 25 ມມ

ປະຖົມນິເທດຮາບພຽງ

[1-100]±5° ຫຼື Notch

ຄວາມຍາວ/ຄວາມເລິກຂັ້ນຕົ້ນ

47.5±1.5mm ຫຼື 1 - 1.25mm

TTV

≤5ມມ

≤10ມມ

≤15ມມ

LTV

≤3ມມ(5ມມ*5ມມ)

≤5ມມ(5ມມ*5ມມ)

≤10ມມ(5ມມ*5ມມ)

ກົ້ມຫົວ

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35ມມ

≤45ມມ

≤55ມມ

ຄວາມຫຍາບດ້ານໜ້າ (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

ໂຄງສ້າງ

ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ micropipe

≤1 ea/ຊມ2

≤10 ea/ຊມ2

≤15 ea/ຊມ2

ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄາບອນລວມ

≤1 ea/ຊມ2

ນັ້ນ

ໂມ້ຫົກຫລ່ຽມ

ບໍ່ມີ

ນັ້ນ

ຄວາມເປື້ອນຂອງໂລຫະ

≤5E12ອະຕອມ/ຊມ2

ນັ້ນ

ຄຸນະພາບດ້ານຫນ້າ

ດ້ານໜ້າ

ແລະ

ສໍາເລັດຮູບ

Si-face CMP

ອະນຸພາກ

≤60ea/wafer (ຂະຫນາດ≥0.3μm)

ນັ້ນ

ຮອຍຂີດຂ່ວນ

≤5ea/ມມ. ຄວາມຍາວສະສົມ ≤ ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ

ຄວາມຍາວສະສົມ≤300mm

ນັ້ນ

ປອກເປືອກສີສົ້ມ/ຂຸມ/ຮອຍເປື້ອນ/ຮອຍຂີດຂ່ວນ/ຮອຍແຕກ/ການປົນເປື້ອນ

ບໍ່ມີ

ນັ້ນ

ຊິບຂອບ/ຫຍໍ້ໜ້າ/ຮອຍແຕກ/ແຜ່ນ hex

ບໍ່ມີ

ພື້ນທີ່ Polytype

ບໍ່ມີ

ພື້ນທີ່ສະສົມ≤20%

ພື້ນທີ່ສະສົມ≤30%

ເຄື່ອງຫມາຍເລເຊີດ້ານຫນ້າ

ບໍ່ມີ

ຄຸນະພາບກັບຄືນໄປບ່ອນ

ກັບຄືນໄປບ່ອນສໍາເລັດຮູບ

C-face CMP

ຮອຍຂີດຂ່ວນ

≤5ea/mm, ຄວາມຍາວສະສົມ≤2*ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ

ນັ້ນ

ຂໍ້ບົກພ່ອງດ້ານຫຼັງ (ຊິບຂອບ/ຫຍໍ້ໜ້າ)

ບໍ່ມີ

ກັບຄືນໄປບ່ອນ roughness

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

ເຄື່ອງຫມາຍເລເຊີກັບຄືນໄປບ່ອນ

"SEMI"

ຂອບ

ຂອບ

Chamfer

ການຫຸ້ມຫໍ່

ການຫຸ້ມຫໍ່

Epi-ພ້ອມດ້ວຍການຫຸ້ມຫໍ່ສູນຍາກາດ

ການຫຸ້ມຫໍ່ cassette ຫຼາຍ wafer

* ຫມາຍເຫດ: "NA" ຫມາຍຄວາມວ່າບໍ່ມີຄໍາຮ້ອງຂໍລາຍການທີ່ບໍ່ໄດ້ກ່າວເຖິງອາດຈະຫມາຍເຖິງ SEMI-STD.




Hot Tags: 6 ນິ້ວ Semi-Insulating HPSI SiC Wafer, ຈີນ, ຜູ້ຜະລິດ, ຜູ້ສະຫນອງ, ໂຮງງານຜະລິດ, Customized, bulk, ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, ທົນທານ
ປະເພດທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
ສົ່ງສອບຖາມ
ກະລຸນາຮູ້ສຶກວ່າບໍ່ເສຍຄ່າເພື່ອໃຫ້ການສອບຖາມຂອງທ່ານໃນແບບຟອມຂ້າງລຸ່ມນີ້. ພວກເຮົາຈະຕອບກັບທ່ານໃນ 24 ຊົ່ວໂມງ.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept