ແຜ່ນບາງໆຂອງວັດສະດຸ semiconductor ຖືກເອີ້ນວ່າເປັນ wafer, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍວັດສະດຸແກ້ວດຽວທີ່ບໍລິສຸດ. ໃນຂະບວນການ Czochralski, ເປັນຮູບທໍ່ກົມຂອງ semiconductor monocrystalline ທີ່ບໍລິສຸດສູງແມ່ນເຮັດໄດ້ໂດຍການດຶງແກ່ນໄປເຊຍກັນຈາກການລະລາຍ.
Silicon Carbide (SiC) ແລະ polytypes ຂອງມັນເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງອາລະຍະທໍາຂອງມະນຸດເປັນເວລາດົນນານ; ຄວາມສົນໃຈທາງດ້ານເຕັກນິກຂອງສານປະສົມທີ່ແຂງແລະຫມັ້ນຄົງນີ້ໄດ້ຖືກຮັບຮູ້ໃນປີ 1885 ແລະ 1892 ໂດຍ Cowless ແລະ Acheson ສໍາລັບຈຸດປະສົງການຂັດແລະການຕັດ, ນໍາໄປສູ່ການຜະລິດໃນຂະຫນາດໃຫຍ່.
ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບ ແລະເຄມີທີ່ດີເລີດເຮັດໃຫ້ silicon carbide (SiC) ເປັນຜູ້ສະຫມັກທີ່ໂດດເດັ່ນສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ຫລາກຫລາຍ, ລວມທັງອຸປະກອນທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ພະລັງງານສູງ, ຄວາມຖີ່ສູງແລະ optoelectronic, ອົງປະກອບໂຄງສ້າງໃນເຕົາປະຕິກອນ fusion, ວັດສະດຸ cladding ສໍາລັບອາຍແກັສເຢັນ. ເຕົາປະຕິກອນ fission, ແລະ matrix inert ສໍາລັບການ transmutation ຂອງ Pu. poly-types ທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງ SiC ເຊັ່ນ 3C, 6H, ແລະ 4H ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ. ການປູກຝັງ Ion ແມ່ນເຕັກນິກທີ່ສໍາຄັນເພື່ອຄັດເລືອກເອົາ dopants ສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນ Si-based, ການຜະລິດ wafers p-type ແລະ n-type SiC.
ການ ingot ໄດ້ຫຼັງຈາກນັ້ນຖືກຊອຍໃຫ້ບາງໆເພື່ອປະກອບເປັນ silicon carbide SiC wafers.
ຄຸນສົມບັດວັດສະດຸ Silicon Carbide
Polytype |
Single-Crystal 4H |
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ |
ຫົກຫຼ່ຽມ |
Bandgap |
3.23 eV |
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ (n-type; 0.020 ohm-cm) |
a~4.2 W/cm • K @ 298 K c~3.7 W/cm • K @ 298 K |
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ (HPSI) |
a~4.9 W/cm • K @ 298 K c~3.9 W/cm • K @ 298 K |
ຕົວກໍານົດການ Lattice |
a=3.076 Å c=10.053 Å |
ຄວາມແຂງຂອງ Mohs |
~9.2 |
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ |
3.21 g/ຊມ3 |
ຄວາມຮ້ອນ. ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວ |
4-5 x 10-6/ກ |
ປະເພດຕ່າງໆຂອງ SiC wafers
ມີສາມປະເພດ:n-type sic wafer, p-type sic waferແລະwafer sic ຄວາມບໍລິສຸດເຄິ່ງ insulating ສູງ. Doping ຫມາຍເຖິງການປູກຝັງ ion ທີ່ແນະນໍາ impurities ກັບໄປເຊຍກັນ silicon. dopants ເຫຼົ່ານີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ປະລໍາມະນູຂອງໄປເຊຍກັນສ້າງເປັນພັນທະບັດ ionic, ເຮັດໃຫ້ໄປເຊຍກັນພາຍໃນທີ່ເຄີຍເປັນ extrinsic. ຂະບວນການນີ້ແນະນໍາສອງປະເພດຂອງ impurities; N-type ແລະ P-type. 'ປະເພດ' ມັນຂື້ນກັບວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ເພື່ອສ້າງປະຕິກິລິຍາເຄມີ. ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ N-type ແລະ P-type SiC wafer ແມ່ນວັດສະດຸຕົ້ນຕໍທີ່ໃຊ້ໃນການສ້າງປະຕິກິລິຍາເຄມີໃນລະຫວ່າງການ doping. ອີງຕາມວັດສະດຸທີ່ໃຊ້, ວົງໂຄຈອນນອກຈະມີຫ້າຫຼືສາມອິເລັກຕອນທີ່ເຮັດໃຫ້ຫນຶ່ງຄິດຄ່າລົບ (N-type) ແລະຫນຶ່ງຄິດຄ່າບວກ (P-type).
N-type SiC wafers ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່, ການສົ່ງໄຟຟ້າແຮງດັນສູງແລະສະຖານີຍ່ອຍ, ສິນຄ້າສີຂາວ, ລົດໄຟຄວາມໄວສູງ, ມໍເຕີ, photovoltaic inverters, pulse power supply, ແລະອື່ນໆ, ພວກເຂົາເຈົ້າມີຂໍ້ດີຂອງການຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍພະລັງງານອຸປະກອນ, ປັບປຸງ ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນ, ການຫຼຸດຜ່ອນຂະຫນາດອຸປະກອນແລະການປັບປຸງປະສິດທິພາບອຸປະກອນ, ແລະມີຄວາມໄດ້ປຽບ irreplaceable ໃນການສ້າງອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ.
wafer SiC ເຄິ່ງ insulating ຄວາມບໍລິສຸດສູງຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍເປັນ substrate ຂອງອຸປະກອນ RF ພະລັງງານສູງ.
Epitaxy - III-V Nitride Deposition
SiC, GaN, AlxGa1-xN ແລະ InyGa1-yN ຊັ້ນ epitaxial ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ SiC ຫຼື sapphire substrate.
Semicorex SiC Dummy Wafer ເປັນເຄື່ອງມືພິເສດໃນການຜະລິດ semiconductor, ອອກແບບຕົ້ນຕໍເພື່ອຈຸດປະສົງການທົດລອງແລະການທົດສອບ.**
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມSemicorex 3C-SiC wafer substrate ແມ່ນເຮັດດ້ວຍ SiC ທີ່ມີໄປເຊຍກັນກ້ອນ. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ wafers semiconductor ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມSemicorex ສະຫນອງປະເພດຕ່າງໆຂອງ 4H ແລະ 6H SiC wafers. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງຂອງ wafers ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. 8 Inch N-type SiC Wafer ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມSemicorex ສະຫນອງ N-type SiC ingot ທີ່ມີ 4 ນິ້ວ, 6 ນິ້ວແລະ 8 ນິ້ວ. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງຂອງ wafers ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. 4 "6" 8" N-type SiC Ingot ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາສ່ວນໃຫຍ່, ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໃນໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມSemicorex ສະຫນອງຄວາມບໍລິສຸດເຄິ່ງ insulating SiC ingot ທີ່ມີ 4 ນິ້ວແລະ 6 ນິ້ວ. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງຂອງ wafers ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. SiC Ingot ຄວາມບໍລິສຸດສູງ 4 "6" ຂອງພວກເຮົາມີຄວາມໄດ້ປຽບດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມSemicorex ສະຫນອງປະເພດຕ່າງໆຂອງ 4H ແລະ 6H SiC wafers. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງຂອງ wafers ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. P-type SiC Substrate Wafer ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມ