ຈີນ SiC Substrate ຜູ້ຜະລິດ, ຜູ້ສະໜອງ, ໂຮງງານ

ແຜ່ນບາງໆຂອງວັດສະດຸ semiconductor ເອີ້ນວ່າເປັນ wafer, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍວັດສະດຸທີ່ບໍລິສຸດກ້ອນດຽວ. ໃນຂະບວນການ Czochralski, ເປັນຮູບທໍ່ກົມຂອງ semiconductor monocrystalline ທີ່ບໍລິສຸດສູງແມ່ນເຮັດໂດຍການດຶງເມັດເມັດຈາກການລະລາຍ.

Silicon Carbide (SiC) ແລະ polytypes ຂອງມັນເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງອາລະຍະທໍາຂອງມະນຸດເປັນເວລາດົນນານ; ຄວາມສົນໃຈທາງດ້ານເຕັກນິກຂອງສານປະສົມທີ່ແຂງແລະຫມັ້ນຄົງນີ້ໄດ້ຖືກຮັບຮູ້ໃນປີ 1885 ແລະ 1892 ໂດຍ Cowless ແລະ Acheson ສໍາລັບຈຸດປະສົງການຂັດແລະການຕັດ, ນໍາໄປສູ່ການຜະລິດໃນຂະຫນາດໃຫຍ່.

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບ ແລະເຄມີທີ່ດີເລີດເຮັດໃຫ້ silicon carbide (SiC) ເປັນຜູ້ສະຫມັກທີ່ໂດດເດັ່ນສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ຫລາກຫລາຍ, ລວມທັງອຸປະກອນທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ພະລັງງານສູງ, ຄວາມຖີ່ສູງແລະ optoelectronic, ອົງປະກອບໂຄງສ້າງໃນເຕົາປະຕິກອນ fusion, ວັດສະດຸ cladding ສໍາລັບອາຍແກັສເຢັນ. ເຕົາປະຕິກອນ fission, ແລະ matrix inert ສໍາລັບການ transmutation ຂອງ Pu. Poly-types ທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງ SiC ເຊັ່ນ 3C, 6H, ແລະ 4H ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ. ການປູກຝັງ Ion ແມ່ນເຕັກນິກທີ່ສໍາຄັນເພື່ອຄັດເລືອກເອົາ dopants ສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນ Si-based, ເພື່ອ fabricate p-type ແລະ n-type SiC wafers.

ການ ingot ໄດ້ຫຼັງຈາກນັ້ນຖືກຊອຍໃຫ້ບາງໆເພື່ອປະກອບເປັນ silicon carbide SiC wafers.

ຄຸນສົມບັດວັດສະດຸ Silicon Carbide

ປະເພດຕ່າງໆຂອງ SiC wafers

ມີສາມປະເພດ:n-type sic wafer, p-type sic waferແລະwafer sic ຄວາມບໍລິສຸດເຄິ່ງ insulating ສູງ. Doping ຫມາຍເຖິງການປູກຝັງ ion ທີ່ແນະນໍາ impurities ກັບໄປເຊຍກັນ silicon. dopants ເຫຼົ່ານີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ປະລໍາມະນູຂອງໄປເຊຍກັນສ້າງເປັນພັນທະບັດ ionic, ເຮັດໃຫ້ໄປເຊຍກັນພາຍໃນທີ່ເຄີຍເປັນ extrinsic. ຂະບວນການນີ້ແນະນໍາສອງປະເພດຂອງ impurities; N-type ແລະ P-type. 'ປະເພດ' ມັນຂື້ນກັບວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ເພື່ອສ້າງປະຕິກິລິຍາເຄມີ. ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ N-type ແລະ P-type SiC wafer ແມ່ນວັດສະດຸຕົ້ນຕໍທີ່ໃຊ້ໃນການສ້າງປະຕິກິລິຍາເຄມີໃນລະຫວ່າງການ doping. ອີງຕາມວັດສະດຸທີ່ໃຊ້, ວົງໂຄຈອນນອກຈະມີຫ້າຫຼືສາມອິເລັກຕອນທີ່ເຮັດໃຫ້ຫນຶ່ງຄິດຄ່າລົບ (N-type) ແລະຫນຶ່ງຄິດຄ່າບວກ (P-type).

N-type SiC wafers ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່, ການສົ່ງໄຟຟ້າແຮງດັນສູງແລະສະຖານີຍ່ອຍ, ສິນຄ້າສີຂາວ, ລົດໄຟຄວາມໄວສູງ, ມໍເຕີ, photovoltaic inverters, pulse power supply, ແລະອື່ນໆ, ພວກເຂົາເຈົ້າມີຂໍ້ດີຂອງການຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍພະລັງງານອຸປະກອນ, ປັບປຸງ ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນ, ການຫຼຸດຜ່ອນຂະຫນາດອຸປະກອນແລະການປັບປຸງປະສິດທິພາບອຸປະກອນ, ແລະມີຄວາມໄດ້ປຽບ irreplaceable ໃນການສ້າງອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ.

wafer SiC ເຄິ່ງ insulating ຄວາມບໍລິສຸດສູງຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍເປັນ substrate ຂອງອຸປະກອນ RF ພະລັງງານສູງ.

Epitaxy - III-V Nitride Deposition

SiC, GaN, AlxGa1-xN ແລະ InyGa1-yN ຊັ້ນ epitaxial ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ SiC ຫຼື sapphire substrate.