ຈີນ SiC Substrate ຜູ້ຜະລິດ, ຜູ້ສະໜອງ, ໂຮງງານ

ແຜ່ນບາງໆຂອງວັດສະດຸ semiconductor ຖືກເອີ້ນວ່າເປັນ wafer, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍວັດສະດຸແກ້ວດຽວທີ່ບໍລິສຸດ. ໃນຂະບວນການ Czochralski, ເປັນຮູບທໍ່ກົມຂອງ semiconductor monocrystalline ທີ່ບໍລິສຸດສູງແມ່ນເຮັດໄດ້ໂດຍການດຶງແກ່ນໄປເຊຍກັນຈາກການລະລາຍ.

Silicon Carbide (SiC) ແລະ polytypes ຂອງມັນເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງອາລະຍະທໍາຂອງມະນຸດເປັນເວລາດົນນານ; ຄວາມສົນໃຈທາງດ້ານເຕັກນິກຂອງສານປະສົມທີ່ແຂງແລະຫມັ້ນຄົງນີ້ໄດ້ຖືກຮັບຮູ້ໃນປີ 1885 ແລະ 1892 ໂດຍ Cowless ແລະ Acheson ສໍາລັບຈຸດປະສົງການຂັດແລະການຕັດ, ນໍາໄປສູ່ການຜະລິດໃນຂະຫນາດໃຫຍ່.

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບ ແລະເຄມີທີ່ດີເລີດເຮັດໃຫ້ silicon carbide (SiC) ເປັນຜູ້ສະຫມັກທີ່ໂດດເດັ່ນສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ຫລາກຫລາຍ, ລວມທັງອຸປະກອນທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ພະລັງງານສູງ, ຄວາມຖີ່ສູງແລະ optoelectronic, ອົງປະກອບໂຄງສ້າງໃນເຕົາປະຕິກອນ fusion, ວັດສະດຸ cladding ສໍາລັບອາຍແກັສເຢັນ. ເຕົາປະຕິກອນ fission, ແລະ matrix inert ສໍາລັບການ transmutation ຂອງ Pu. poly-types ທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງ SiC ເຊັ່ນ 3C, 6H, ແລະ 4H ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ. ການປູກຝັງ Ion ແມ່ນເຕັກນິກທີ່ສໍາຄັນເພື່ອຄັດເລືອກເອົາ dopants ສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນ Si-based, ການຜະລິດ wafers p-type ແລະ n-type SiC.

ການ ingot ໄດ້ຫຼັງຈາກນັ້ນຖືກຊອຍໃຫ້ບາງໆເພື່ອປະກອບເປັນ silicon carbide SiC wafers.

ຄຸນສົມບັດວັດສະດຸ Silicon Carbide

Polytype	Single-Crystal 4H
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ຫົກຫຼ່ຽມ
Bandgap	3.23 eV
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ (n-type; 0.020 ohm-cm)	a~4.2 W/cm • K @ 298 K c~3.7 W/cm • K @ 298 K
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ (HPSI)	a~4.9 W/cm • K @ 298 K c~3.9 W/cm • K @ 298 K
ຕົວກໍານົດການ Lattice	a=3.076 Å c=10.053 Å
ຄວາມແຂງຂອງ Mohs	~9.2
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	3.21 g/ຊມ³
ຄວາມຮ້ອນ. ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວ	4-5 x 10^-6/ກ

ປະເພດຕ່າງໆຂອງ SiC wafers

ມີສາມປະເພດ:n-type sic wafer, p-type sic waferແລະwafer sic ຄວາມບໍລິສຸດເຄິ່ງ insulating ສູງ. Doping ຫມາຍເຖິງການປູກຝັງ ion ທີ່ແນະນໍາ impurities ກັບໄປເຊຍກັນ silicon. dopants ເຫຼົ່ານີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ປະລໍາມະນູຂອງໄປເຊຍກັນສ້າງເປັນພັນທະບັດ ionic, ເຮັດໃຫ້ໄປເຊຍກັນພາຍໃນທີ່ເຄີຍເປັນ extrinsic. ຂະບວນການນີ້ແນະນໍາສອງປະເພດຂອງ impurities; N-type ແລະ P-type. 'ປະເພດ' ມັນຂື້ນກັບວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ເພື່ອສ້າງປະຕິກິລິຍາເຄມີ. ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ N-type ແລະ P-type SiC wafer ແມ່ນວັດສະດຸຕົ້ນຕໍທີ່ໃຊ້ໃນການສ້າງປະຕິກິລິຍາເຄມີໃນລະຫວ່າງການ doping. ອີງຕາມວັດສະດຸທີ່ໃຊ້, ວົງໂຄຈອນນອກຈະມີຫ້າຫຼືສາມອິເລັກຕອນທີ່ເຮັດໃຫ້ຫນຶ່ງຄິດຄ່າລົບ (N-type) ແລະຫນຶ່ງຄິດຄ່າບວກ (P-type).

N-type SiC wafers ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່, ການສົ່ງໄຟຟ້າແຮງດັນສູງແລະສະຖານີຍ່ອຍ, ສິນຄ້າສີຂາວ, ລົດໄຟຄວາມໄວສູງ, ມໍເຕີ, photovoltaic inverters, pulse power supply, ແລະອື່ນໆ, ພວກເຂົາເຈົ້າມີຂໍ້ດີຂອງການຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍພະລັງງານອຸປະກອນ, ປັບປຸງ ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນ, ການຫຼຸດຜ່ອນຂະຫນາດອຸປະກອນແລະການປັບປຸງປະສິດທິພາບອຸປະກອນ, ແລະມີຄວາມໄດ້ປຽບ irreplaceable ໃນການສ້າງອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ.

wafer SiC ເຄິ່ງ insulating ຄວາມບໍລິສຸດສູງຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍເປັນ substrate ຂອງອຸປະກອນ RF ພະລັງງານສູງ.

Epitaxy - III-V Nitride Deposition

SiC, GaN, AlxGa1-xN ແລະ InyGa1-yN ຊັ້ນ epitaxial ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ SiC ຫຼື sapphire substrate.

View as

ເຄື່ອງເຮັດໃຫ້ມີປະເພດ P-Type P-Type

ເຄື່ອງຫມາຍ SICE P-Type SICEX 8-inch ໃຫ້ຜົນງານທີ່ຍັງຄ້າງຄາສໍາລັບພະລັງງານລຸ້ນຕໍ່ໄປ, RF, ແລະອຸປະກອນທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ເລືອກ semicorex ສໍາລັບຄຸນນະພາບທີ່ມີຄຸນນະພາບຂອງຜລຶກ, ອຸດສາຫະກໍາ - ເປັນເອກະພາບດ້ານອຸດສະຫະກໍາ, ແລະຄວາມຊໍານານດ້ານຄວາມຊໍານານໃນວັດສະດຸ SIC ທີ່ກ້າວຫນ້າ. *

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

ຂະຫນາດ 12 ນິ້ວເຄິ່ງ insulating sic-sicentrates

semicorex 12-ນິ້ວ sici-insulating sic-softrates ແມ່ນອຸປະກອນການຜະລິດແບບຕໍ່ໄປທີ່ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບໂປແກຼມທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງ, ແລະໂປແກຼມ semiconductor ທີ່ມີຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ. ການເລືອກ Semicorex ຫມາຍເຖິງການເປັນຄູ່ກັບຜູ້ນໍາທີ່ໄວ້ວາງໃຈໃນນະວັດຕະກໍາ SIGS, ມີຄຸນນະພາບດີ, ແລະແກ້ໄຂບັນຫາທີ່ເຫມາະສົມກັບເຕັກໂນໂລຢີທີ່ມີຄວາມກ້າວຫນ້າທີ່ສຸດຂອງທ່ານ. *

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

n-type sic superrates

semicorex n-sildrates sic ຈະສືບຕໍ່ຂັບລົດອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ໄປສູ່ການປະຕິບັດທີ່ສູງກວ່າແລະການບໍລິໂພກພະລັງງານຕ່ໍາລົງ, ເປັນວັດສະດຸຫຼັກສໍາລັບການປ່ຽນໃຈເຫລື້ອມໃສທີ່ມີປະສິດຕິພາບ. ຜະລິດຕະພັນ Semicorex ແມ່ນຖືກຂັບເຄື່ອນໂດຍນະວັດຕະກໍາທາງເຕັກໂນໂລຢີ, ແລະພວກເຮົາໄດ້ກະທໍາໃນການສະເຫນີວິທີແກ້ໄຂວັດສະດຸທີ່ຫນ້າເຊື່ອຖືແລະເຮັດວຽກກັບຍຸກໃຫມ່ຂອງພະລັງງານສີຂຽວ. *

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

SiC Dummy Wafer

Semicorex SiC Dummy Wafer ເປັນເຄື່ອງມືພິເສດໃນການຜະລິດ semiconductor, ອອກແບບຕົ້ນຕໍເພື່ອຈຸດປະສົງການທົດລອງແລະການທົດສອບ.**

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

3C-SiC Wafer Substrate

Semicorex 3C-SiC wafer substrate ແມ່ນເຮັດດ້ວຍ SiC ທີ່ມີໄປເຊຍກັນກ້ອນ. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ wafers semiconductor ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

8 ນິ້ວ N-type SiC Wafer

Semicorex ສະຫນອງປະເພດຕ່າງໆຂອງ 4H ແລະ 6H SiC wafers. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງຂອງ wafers ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. 8 Inch N-type SiC Wafer ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

<1 2 3 >

Semicorex ໄດ້ຜະລິດ SiC Substrate ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີແລະເປັນຫນຶ່ງໃນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ SiC Substrate ມືອາຊີບໃນປະເທດຈີນ. ເມື່ອທ່ານຊື້ຜະລິດຕະພັນທີ່ກ້າວຫນ້າແລະທົນທານຂອງພວກເຮົາເຊິ່ງສະຫນອງການຫຸ້ມຫໍ່ຈໍານວນຫລາຍ, ພວກເຮົາຮັບປະກັນຈໍານວນຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນການຈັດສົ່ງໄວ. ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ພວກເຮົາໄດ້ໃຫ້ບໍລິການລູກຄ້າທີ່ກໍາຫນົດເອງ. ລູກຄ້າມີຄວາມພໍໃຈກັບຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາແລະການບໍລິການທີ່ດີເລີດ. ພວກເຮົາຫວັງຢ່າງຈິງໃຈທີ່ຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມທຸລະກິດໄລຍະຍາວທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຂອງທ່ານ! ຍິນດີຕ້ອນຮັບການຊື້ຜະລິດຕະພັນຈາກໂຮງງານຂອງພວກເຮົາ.