ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກຕົວຮັບສານກາໄບທີ່ເຄືອບ SiC?

Graphite suceptorແມ່ນຫນຶ່ງໃນສ່ວນທີ່ສໍາຄັນໃນອຸປະກອນ MOCVD, ແມ່ນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການແລະເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນຂອງຊັ້ນຍ່ອຍ wafer. ຄຸນສົມບັດຂອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມຮ້ອນມີບົດບາດຕັດສິນໃນຄຸນນະພາບຂອງການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial wafer, ເຊິ່ງກໍານົດໂດຍກົງຄວາມເປັນເອກະພາບແລະຄວາມບໍລິສຸດຂອງວັດສະດຸຊັ້ນ, ດັ່ງນັ້ນຄຸນນະພາບຂອງມັນມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ການກະກຽມຂອງ epitaxy. ໃນຂະນະດຽວກັນ, ດ້ວຍການເພີ່ມຂື້ນຂອງຈໍານວນການນໍາໃຊ້ແລະການປ່ຽນແປງໃນສະພາບການເຮັດວຽກ, ມັນງ່າຍຫຼາຍທີ່ຈະສູນເສຍ, ແລະເປັນຂອງເຄື່ອງບໍລິໂພກ. ການນໍາຄວາມຮ້ອນແລະສະຖຽນລະພາບທີ່ດີຂອງ Graphite ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນປະໂຫຍດທີ່ດີເປັນອົງປະກອບພື້ນຖານສໍາລັບອຸປະກອນ MOCVD. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ຖ້າຫາກວ່າພຽງແຕ່ graphite ບໍລິສຸດຖືກນໍາໃຊ້, ມັນຈະປະເຊີນກັບບັນຫາບາງຢ່າງ. ຈະມີທາດອາຍແກັສ corrosive ແລະໂລຫະທີ່ຕົກຄ້າງຢູ່ໃນຂະບວນການຜະລິດ, ແລະພື້ນຖານ graphite ຈະ corrode ແລະຫຼຸດລົງຂອງຝຸ່ນ, ເຊິ່ງຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍອາຍຸການບໍລິການຂອງ.graphite suceptor, ແລະ​ຝຸ່ນ graphite ຫຼຸດ​ລົງ​ຍັງ​ຈະ​ເຮັດ​ໃຫ້​ເກີດ​ມົນ​ລະ​ພິດ​ກັບ chip ໄດ້​, ສະ​ນັ້ນ​ໃນ​ຂະ​ບວນ​ການ​ກະ​ກຽມ​ຂອງ​ຖານ​ຍັງ​ບັນ​ຫາ​ເຫຼົ່າ​ນີ້​ຈໍາ​ເປັນ​ຕ້ອງ​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ແກ້​ໄຂ​ໃນ​ລະ​ຫວ່າງ​ການ​ກະ​ກຽມ​ຂອງ​ຖານ​. ເທກໂນໂລຍີການເຄືອບສາມາດສະຫນອງການແກ້ໄຂຝຸ່ນຫນ້າດິນ, ເສີມຂະຫຍາຍການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ແລະການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນເທົ່າທຽມກັນ, ເຊິ່ງກາຍເປັນເຕັກໂນໂລຢີຕົ້ນຕໍເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫານີ້. ເຕັກໂນໂລຢີຕົ້ນຕໍແມ່ນເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫານີ້. ອີງຕາມສະພາບແວດລ້ອມຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະຄວາມຕ້ອງການຂອງgraphite suceptors, ການເຄືອບດ້ານຄວນມີລັກສະນະດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້.

ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງແລະການຫຸ້ມຫໍ່ຢ່າງເຕັມທີ່: ພື້ນຖານ graphite ທັງຫມົດແມ່ນຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ, ສະພາບແວດລ້ອມການເຮັດວຽກ corrosive, ພື້ນຜິວຕ້ອງໄດ້ຮັບການຫໍ່ຢ່າງເຕັມສ່ວນ, ໃນຂະນະທີ່ການເຄືອບຕ້ອງມີຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ດີທີ່ຈະມີບົດບາດປ້ອງກັນທີ່ດີ.

ຄວາມຮາບພຽງຂອງພື້ນຜິວທີ່ດີ: ເນື່ອງຈາກພື້ນຖານກຣາຟຟິກທີ່ໃຊ້ສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກດຽວຕ້ອງການຄວາມຮາບພຽງດ້ານຂອງພື້ນຜິວທີ່ສູງ, ຄວາມຮາບພຽງຂອງພື້ນຖານຕ້ອງໄດ້ຮັບການຮັກສາໄວ້ຫຼັງຈາກການກະກຽມການເຄືອບ, i.e. ດ້ານການເຄືອບຕ້ອງມີຄວາມເປັນເອກະພາບ.

ຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງຄວາມຜູກພັນທີ່ດີ: ການຫຼຸດຜ່ອນຄວາມແຕກຕ່າງຂອງຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງພື້ນຖານ graphite ແລະວັດສະດຸເຄືອບສາມາດປັບປຸງຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງຄວາມຜູກພັນລະຫວ່າງພວກມັນຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ແລະການເຄືອບບໍ່ງ່າຍທີ່ຈະແຕກຫຼັງຈາກວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຕ່ໍາ.

ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ: ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊິບທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງຕ້ອງການຄວາມຮ້ອນທີ່ໄວແລະເປັນເອກະພາບຈາກພື້ນຖານ graphite, ດັ່ງນັ້ນວັດສະດຸເຄືອບຄວນຈະມີຄວາມຮ້ອນສູງ.

ຈຸດ melting ສູງ, ການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion: ການເຄືອບຄວນຈະສາມາດເຮັດວຽກໄດ້ຢ່າງຫມັ້ນຄົງໃນອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບແວດລ້ອມການເຮັດວຽກ corrosive.