ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງເອກະສານ PBN

pbn, ຫຼື boron pyrolytic nitride, ເປັນຂອງລະບົບ hexagonal ແລະເປັນເອກະສານທີ່ບໍ່ແມ່ນໂລຫະທີ່ບໍ່ມີໂລຫະທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດເຖິງ 99.999%. ມັນມີຄວາມຫນາແຫນ້ນດີ, ບໍ່ມີຮູຂຸມຂົນ, ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຕ້ານທານທາງເຄມີ, ຄວາມຕ້ານທານຂອງ Alkali, ແລະຄວາມຕ້ານທານຂອງ alkali. ມັນມີ anisotropy ທີ່ເຫັນໄດ້ຊັດເຈນໃນກົນຈັກ, ຄວາມຮ້ອນ, ແລະຄຸນລັກສະນະໄຟຟ້າ. ມັນເປັນສ່ວນປະກອບທີ່ເປັນທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສຸດໃນການເຕີບໂຕຂອງ Crystal Semiconductor (ວິທີການ VGF, MBE Acitaxy, Politiver, PBN ແມ່ນເຮັດໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີເງິນເດືອນຂອງສານເຄມີທີ່ກ້າວຫນ້າ. ພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບການສູນຍາກາດສູງ, Boron halides ແລະ ammonia ແລະວັດຖຸດິບອື່ນໆທີ່ຖືກນໍາເຂົ້າໃນຫ້ອງປະຕິບັດຕາມ CVD. ຫຼັງຈາກປະຕິກິລິຍາທີ່ແຕກຫັກ, ມັນຄ່ອຍໆເຕີບໃຫຍ່ຢູ່ເທິງພື້ນຜິວຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນເຊັ່ນ Graphite. PBN ສາມາດປູກໄດ້ໂດຍກົງໃນພາຊະນະເຊັ່ນ: crucibles, ເຮືອ, ແລະທໍ່, ຫຼືມັນສາມາດຝາກເປັນແຜ່ນກ່ອນແລະປຸງແຕ່ງເປັນສ່ວນຕ່າງໆຂອງ PBN. ມັນຍັງສາມາດໄດ້ຮັບການເຄືອບໃນຊັ້ນຍ່ອຍອື່ນໆສໍາລັບການປ້ອງກັນ, ແລະສະເພາະຂອງຜະລິດຕະພັນແມ່ນຖືກປັບແຕ່ງຕາມສະຖານະການຂອງໂປແກຼມສະຫມັກ. ບໍ່ຄືກັບການກົດປຸ່ມທີ່ມີຄວາມສະດວກສະບາຍຮ້ອນທີ່ສຸດ, PBN ແມ່ນກຽມພ້ອມໂດຍໃຊ້ເງິນຝາກ Vapor ທີ່ມີສານເຄມີທີ່ກ້າວຫນ້າ (ເຊິ່ງມີສິ່ງກີດຂວາງດ້ານເຕັກນິກທີ່ເຂັ້ມແຂງແລະຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງອຸດສາຫະກໍາສູງ.

ຜະລິດຕະພັນ PBN ມີບົດບາດທີ່ບໍ່ປ່ຽນແປງໄດ້ໃນພາກສະຫນາມ semiconductor. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກລົງລຸ່ມຂອງທ້ອງຖິ່ນແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Crystal, Polycrystalline Epitaxy (MBE)

1) ການເຕີບໂຕຂອງ Crystal

ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນດຽວກັນ semiconductor ດຽວ (ເຊັ່ນ: Gallium phosphide, ລວມທັງອຸນຫະພູມວັດຖຸ, ຄວາມບໍລິສຸດຂອງວັດຖຸດິບ, ແລະຄວາມບໍລິສຸດແລະຄວາມບໍລິສຸດຂອງຖັງ ປະຈຸບັນ PBN crucible ແມ່ນພາຊະນະທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສຸດສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ crystal ປະສົມ semiconductor. ວິທີການຕົ້ນຕໍສໍາລັບການເຕີບໂຕແບບອັດຕະໂນມັດແບບອັດຕະໂນມັດ Semiconductor AS LEC MODE, HB, ວິທີການ VGF ແລະວິທີການ VGF. Crucibles PBN ທີ່ສອດຄ້ອງກັນປະກອບມີ LEC crucible, vb crucible ແລະ vgf crucible.

2) MoleCular Beam Epitaxy (MBE)

MBE ແມ່ນຫນຶ່ງໃນຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່ຂະຫຍາຍຕົວທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດຂອງ III-V ແລະ II-VI semicondorucortors ໃນໂລກໃນປະຈຸບັນ. ເຕັກໂນໂລຢີປະເພດນີ້ແມ່ນວິທີການຂະຫຍາຍຕົວຊັ້ນຮູບເງົາບາງໆໂດຍຊັ້ນຢູ່ຕາມແກນ crystrate ຂອງວັດສະດຸຍ່ອຍທີ່ເຫມາະສົມແລະມີເງື່ອນໄຂທີ່ເຫມາະສົມ. PBN CRUCIRE ແມ່ນຕູ້ຄອນເທນເນີທີ່ຈໍາເປັນທີ່ຈໍາເປັນໃນຂະບວນການ MBE.

3) ການສະແດງ Diode ທີ່ມີແສງໄຟປອດສານພິດ (OLED)

OLED ແມ່ນຖືວ່າເປັນເຕັກໂນໂລຢີທີ່ມີຄຸນລັກສະນະທີ່ດີເລີດ, ຄວາມຫນາຫນາ, ສາມາດໃຊ້ໄດ້ໄວ, ລະດັບອຸນຫະພູມກວ້າງ, ໂຄງປະກອບອຸນຫະພູມກວ້າງ, ໂຄງສ້າງແລະຂະບວນການງ່າຍໆ. ຮູບພາບການລະເຫີຍແມ່ນສ່ວນປະກອບຫຼັກຂອງລະບົບການລະເຫັບທີ່ມີລະບົບຂ້າງ. ໃນບັນດາພວກມັນ, ແຫວນຄູ່ມື PBN ແລະ Crucible ແມ່ນສ່ວນປະກອບຫຼັກຂອງຫນ່ວຍງານລະເຫີຍ. ແຫວນຄູ່ມືຕ້ອງມີຄວາມຮ້ອນແລະການປະຕິບັດການສນວນທີ່ດີ, ສາມາດປຸງແຕ່ງໄດ້ເປັນຮູບຮ່າງທີ່ສັບສົນ, ແລະບໍ່ຜິດປົກກະຕິຫຼືປ່ອຍອາຍແກັສໃນອຸນຫະພູມສູງ. The Crucible ຕ້ອງມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ສຸດ, ຕ້ານທານສູງອຸນຫະພູມ, ການປ້ອງກັນອຸນຫະພູມ, ແລະບໍ່ໃຫ້ປຽກກັບອຸປະກອນການແຫຼ່ງ. PBN ແມ່ນວັດສະດຸທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ກວ້າງຂວາງ.

4) ອຸປະກອນ semiconductor ຊັ້ນສູງ

ໃນຂະນະທີ່ຊິບ semiconductor ຍັງສືບຕໍ່ພັດທະນາໃຫ້ກັບ miniaturization ແລະພະລັງງານສູງ, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບເຄື່ອງໃຊ້ແລະລະບົບການຜະລິດ semiconductor ກໍາລັງເພີ່ມຂື້ນແລະສູງກວ່າ. ຜະລິດຕະພັນວັດສະດຸ PBN ແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນສ່ວນປະກອບຫຼັກຂອງອຸປະກອນທີ່ສູງເນື່ອງຈາກຄວາມບໍລິສຸດທີ່ສູງທີ່ສຸດ, ການປ້ອງກັນໄຟຟ້າ, ຄວາມຕ້ານທານດ້ານການກັດກ່ອນແລະອື່ນໆຂອງການປະຕິບັດ.

semicorex ສະເຫນີຄຸນນະພາບສູງຜະລິດຕະພັນ pbn. ຖ້າທ່ານມີຄໍາຖາມໃດໆຫຼືຕ້ອງການລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ, ກະລຸນາຢ່າລັງເລທີ່ຈະຕິດຕໍ່ກັບພວກເຮົາ.

ຕິດຕໍ່ໂທລະສັບ # + 86-1367891907

Email: Sales@sememicorex.com