Silicon nitride substric slectric

ຊິລິໂຄນ nitride ເຊລາມິກຊັ້ນໃຕ້ດິນແມ່ນຊັ້ນໃຕ້ດິນທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງເຮັດດ້ວຍ Silicon Nitride (Si₃n₄) ເປັນວັດສະດຸຫຼັກ. ສ່ວນປະກອບຕົ້ນຕໍຂອງມັນແມ່ນຊິລິໂຄນ (si) ແລະອົງປະກອບໄນໂຕຣເຈນ (n), ເຊິ່ງມີຄວາມຜູກພັນທາງເຄມີ. ໃນລະຫວ່າງຂັ້ນຕອນການຜະລິດ, ເປັນຈໍານວນຫນ້ອຍຫນຶ່ງຂອງເຄື່ອງຊ່ວຍເຫຼືອ, ເຊັ່ນ: ຜຸພັງທາດອາລູມິນຽມ (al₂o₃), ແມ່ນເພີ່ມເຕີມ

ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນພາຍໃນຂອງ Silicon Nitride slectrates ຕົ້ນຕໍແມ່ນຕົ້ນຕໍແມ່ນβ phase, ກັບເມັດພືດທີ່ກໍາລັງປົນຢູ່ໃນເຄືອຂ່າຍ Honeycomb ທີ່ຫມັ້ນຄົງ. ການຈັດແຈງທີ່ເປັນເອກະລັກສະເພາະທີ່ເປັນເອກະລັກສະເພາະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກສູງແລະຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມຮ້ອນຂອງວັດສະດຸ. ໂຄງສ້າງທີ່ຫນາແຫນ້ນ, ບັນລຸໄດ້ໂດຍຜ່ານຄົນຂີ້ລັກອຸນຫະພູມສູງ, ຜົນໄດ້ຮັບໃນການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ຄວາມເຂັ້ມແຂງ, ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ, ແລະຄວາມຕ້ານທານການກັດກ່ອນ. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນເອເລັກໂຕຣນິກ, ອຸປະກອນພະລັງງານແລະອາວະກາດ, ໂດຍປົກກະຕິຮັບໃຊ້ເປັນເວທີການບີບຄວາມຮ້ອນຫຼືການສນວນສ່ວນປະກອບສະຫນັບສະຫນູນສໍາລັບອົງປະກອບທາງອີເລັກໂທຣນິກ.

Silicon Nitrideເຊື່ອຫມັ້ນເປັນຊັ້ນໃຕ້ດິນເພາະວ່າມັນຕອບສະຫນອງຄວາມຮຽກຮ້ອງຕ້ອງການທີ່ຈະເຕີບໃຫຍ່ຂື້ນໃນການຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງໂຄງສ້າງໃນຕົວຢ່າງທີ່ມີໂຄງສ້າງ. ໃນຖານະເປັນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງອຸປະກອນເພີ່ມຂື້ນ, ອະນຸພາກພື້ນແບບດັ້ງເດີມສູ້ເພື່ອຮັບມືກັບຄວາມກົດດັນແລະຄວາມຮ້ອນຂອງເຄື່ອງຈັກ.

silicon nitride substrates ຮັກສາສະຖຽນລະພາບກົນຈັກເຖິງແມ່ນວ່າຢູ່ໃນວົງຈອນການຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາ. ນີ້ເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາເຫມາະສົມສໍາລັບ igs igs, ໂມດູນພະລັງງານ, ແລະວົງຈອນຜ່າຕັດລົດຍົນ, ບ່ອນທີ່ມີຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງພະລັງງານແລະຄວາມລົ້ມເຫຼວແມ່ນບໍ່ສາມາດຍອມຮັບໄດ້.

ມັນຍັງມັກໃນການສະຫມັກ RF, ບ່ອນທີ່ຊັ້ນໃຕ້ດິນຕ້ອງສະຫນັບສະຫນູນຄວາມດຸ່ນດ່ຽງທີ່ດີແລະຮັກສາຄວາມສົມດຸນຂອງຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າແລະຄວາມຮ້ອນຍາກທີ່ຈະຊອກຫາໃນວັດສະດຸພື້ນເມືອງ.

ຄຸນລັກສະນະ silicon nitride

1. ການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນ

ດ້ວຍຄວາມຮ້ອນຂອງປະມານ 80-90 w / (M · k), silcride secrellate superrates secrellates alumina ciramics ໃນການລະລາຍຄວາມຮ້ອນ. ຍົກຕົວຢ່າງ, ໃນໂມດູນພະລັງງານໄຟຟ້າ, ຊິລິໂຄນສາມາດຫຼຸດຜ່ອນອຸນຫະພູມຊິບ 30%, ເຊິ່ງປັບປຸງປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື.

2. ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ

ຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງການໂຄ້ງສາມຈຸດຂອງມັນສາມາດເກີນ 800 MPA, ປະມານສາມເທື່ອຂອງເຄື່ອງປັ່ນປ່ວນ alumina. ການທົດສອບໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ Substrate ຫນາ 0.32 ມມສາມາດຕ້ານທານກັບຄວາມກົດດັນຂອງ 400 n ໂດຍບໍ່ມີການແຕກ.

3. ສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນ

ລະດັບການດໍາເນີນງານທີ່ຫມັ້ນຄົງຂອງມັນແມ່ນ -50 ° C ເຖິງ 800 ° C, ແລະຕົວຄູນຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນແມ່ນຕໍ່າກ່ວາ 3.2 ×10⁻⁶ / ° C, ເຮັດໃຫ້ມັນຖືກຈັບຄູ່ກັບວັດສະດຸ semiconductor. ຍົກຕົວຢ່າງ, ໃນເຄື່ອງປັ່ນປ່ວນທີ່ມີຄວາມໄວສູງ, ປ່ຽນເປັນຊັ້ນໃຕ້ດິນຊິລິໂຄນຫຼຸດລົງອັດຕາການລົ້ມເຫຼວເນື່ອງຈາກມີອັດຕາການລົ້ມເຫຼວຂອງໄວ 227%.

4. ການປະຕິບັດການສນວນ

ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ, ການຕ້ານທານຂອງປະລິມານທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ10¹⁴· ach, ແລະຄວາມແຂງກະດ້າງຂອງມັນແມ່ນ 20 kV / mm, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງການສນວນກັນຂອງໂມດູນການສນວນກັນ.

semicorex ສະເຫນີຄຸນນະພາບສູງSilicon Nitride ຜະລິດຕະພັນເຊລາມິກໃນ semiconductor. ຖ້າທ່ານມີຄໍາຖາມໃດໆຫຼືຕ້ອງການລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ, ກະລຸນາຢ່າລັງເລທີ່ຈະຕິດຕໍ່ກັບພວກເຮົາ.

ຕິດຕໍ່ໂທລະສັບ # + 86-1367891907

Email: Sales@sememicorex.com