Silicon, ຊິລິໂຄນ Carbide ແລະ nitride gallium

ຢູ່ທາງຫລັງຂອງຜະລິດຕະພັນດິຈິຕອນທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປແລະພາຫະນະໄຟຟ້າທີ່ມີເຕັກນິກສູງ, ມີ Siliconductor apper ພວກເຂົາບໍ່ແມ່ນທາງເລືອກສໍາລັບແຕ່ລະຄົນ, ພວກເຂົາແມ່ນຜູ້ຊ່ຽວຊານໃນທີມ, ແລະມີຄວາມພະຍາຍາມທີ່ບໍ່ສາມາດປ່ຽນແທນໄດ້ໃນສະຫນາມຮົບທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ເຂົ້າໃຈການອອກແຮງງານຂອງພວກເຂົາ, ພວກເຮົາສາມາດເຫັນຕົ້ນໄມ້ການພັດທະນາຂອງອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ທັນສະໄຫມ.

1.ຊິລິກາ: ຫີນພື້ນຖານຂອງວົງຈອນປະສົມ

ຊິລິກາ ແມ່ນກະສັດທີ່ແນ່ນອນຂອງ semicondoructor, ກົດລະບຽບທັງຫມົດຂອງຄອມພິວເຕີ້ທີ່ປະສົມປະສານສູງ, ແລະສັບສົນ. ຄອມພິວເຕີ CPU, ໂປເຊດເຊີຟນິກ, ໂທລະສັບມືຖື, ແລະຊິບອັດຕາສ່ວນຕ່າງໆແລະເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າດິຈິຕອລ, ເກືອບທັງຫມົດກໍ່ຖືກສ້າງຂຶ້ນໃນພື້ນຖານຊິລິໂຄນ.

ເປັນຫຍັງ Silicon ປົກຄອງພາກສະຫນາມນີ້

1) ປະລິນຍາປະສົມປະສານທີ່ດີເລີດ

ຊິລິກາ ມີຄຸນສົມບັດທາງວັດຖຸທີ່ດີເລີດ, ມັນສາມາດປູກໄດ້ຮູບເງົາທີ່ມີຊີວິດຊີວາ siob ງາມທີ່ດີເລີດຢູ່ເທິງພື້ນຜິວໂດຍຜ່ານຂະບວນການຜຸພັງຄວາມຮ້ອນ. ຊັບສິນນີ້ແມ່ນພື້ນຖານໃນການກໍ່ສ້າງ CMOs Transistor, ການປະສົມພັນກັບລົດເຂັນໃນຊິບນ້ອຍຫນຶ່ງພັນລ້ານ, ເພື່ອບັນລຸຫນ້າທີ່ logistic ທີ່ສັບສົນ.

2) ຂະບວນການແກ່ແລະຕົ້ນທຶນຕ່ໍາ

ຜ່ານການພັດທະນາສະຕະວັດຫຼາຍກ່ວາເຄິ່ງສະຕະວັດ, ຂະບວນການຂອງ Silicon ແມ່ນຜົນຂອງພົນລະເມືອງອຸດສາຫະກໍາຂອງມະນຸດທັງຫມົດ. ຈາກການເຮັດຄວາມສະອາດ, ການດຶງໄປເຊຍກັນ, ເຂົ້າໄປໃນຮູບຖ່າຍ, ການອອກກໍາລັງກາຍ, ມັນໄດ້ຖືກຕ່ອງໂສ້ອຸດຕັນອຸດສາຫະກໍາທີ່ແກ່ແລະຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແລະມີລາຄາຖືກທີ່ສຸດ.

3) ຍອດເງິນທີ່ດີ

ຊິລິກາ ບັນລຸຄວາມສົມດຸນທີ່ດີທີ່ສຸດລະຫວ່າງການປະຕິບັດ, ປ່ຽນຄວາມໄວ, ຕົ້ນທຶນການຜະລິດ, ແລະປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນ. ໃນຂະນະທີ່ມັນອາດຈະບໍ່ກົງກັບການປະຕິບັດງານຂອງອຸປະກອນການຂຶ້ນຂອງມັນໃນການສະແດງທີ່ສຸດ, ມັນແມ່ນຄວາມພຽງພໍທີ່ສຸດແລະທາງເລືອກທີ່ມີປະໂຫຍດທີ່ສຸດສໍາລັບການຈັດການສັນຍານດິຈິຕອລແລະເຫດຜົນ.

2.Carbide ຊິລິກາ: ພະລັງງານຜູ້ປົກປ້ອງຢູ່ໃນສະຫນາມຮົບທີ່ສູງ Volt

SIC ແມ່ນວັດສະດຸປະຕິວັດໃນສະຫນາມສູງ VOLT, HIGHT-Power. ມັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນ "ອຸປະກອນໄຟຟ້າ" ສໍາລັບການແປງພະລັງງານແລະການຄວບຄຸມ. ເຊັ່ນ Inverter Drive Main Drive, ເຄື່ອງສາກໄຟໃນກະດານ, ຕົວປ່ຽນ DC-DC ໃນພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່; ສະຖານີການປ່ຽນແປງຂອງໄຟຟ້າອຸດສາຫະກໍາ, ແລະການຂົນສົ່ງທາງລົດໄຟໃນອຸດສາຫະກໍາແລະໄຟຟ້າພະລັງງານ; ຕົວປ່ຽນແປງຂອງ Photovoltaic ແລະເຄື່ອງປ່ຽນພະລັງງານລົມໃນອຸດສະຫະກໍາການຜະລິດພະລັງງານໃຫມ່.

ເປັນຫຍັງ sic ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ແຮງດັນສູງ

1) ສະຫນາມໄຟຟ້າແຕກແຍກສູງທີ່ສຸດ

ລະດັບສະຫນາມໄຟຟ້າແຕກແຍກຂອງ SIC ແມ່ນສູງກວ່າ 10 ເທົ່າຫຼັງຈາກນັ້ນຂອງຊິລິໂຄນ. ມັນຫມາຍຄວາມວ່າການປະດິດອຸປະກອນທີ່ມີຂະຫນາດດຽວກັນ, ຊັ້ນຂອງ SICITAXIAL ຂອງ SIC ສາມາດເຮັດໃຫ້ເບົາບາງລົງ, ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນສາມາດສູງ, ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ານທານຂອງອຸປະກອນ. ໃນເວລາທີ່ຄວາມຕ້ານທານກາຍເປັນຕ່ໍາ, ການສູນເສຍພະລັງງານແລະການສ້າງຄວາມຮ້ອນສາມາດຫຼຸດຜ່ອນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນເວລາທີ່ການປະຕິບັດ.

2) ການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ

ການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນຂອງ SIC ແມ່ນ 3 ເທົ່າຂອງຊິລິໂຄນ. ໃນການສະຫມັກພະລັງງານສູງ, ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແມ່ນ "Killer ຊັ້ນນໍາ". ອຸປະກອນ SIC ສາມາດອອກຈາກຄວາມຮ້ອນໄດ້ຢ່າງໄວວາ, ເພື່ອອະນຸຍາດໃຫ້ເຮັດວຽກທີ່ຫມັ້ນຄົງຂອງລະບົບຢູ່ໃຕ້ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານ, ຫຼືງ່າຍດາຍລະບົບການເຈາະລະບົບຄວາມຮ້ອນ.

3) ຄວາມສາມາດໃນການເຮັດວຽກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ

ອຸນຫະພູມໃນການເຮັດວຽກຂອງອຸປະກອນ Silicon ໂດຍປົກກະຕິແມ່ນຕໍ່າກວ່າ 175 ° C, ໃນຂະນະທີ່ອຸປະກອນ SIC ສາມາດເຮັດວຽກໄດ້ທີ່ຫມັ້ນຄົງຢູ່ເຫນືອ 200 ° C. ສິ່ງດັ່ງກ່າວເຮັດໃຫ້ມັນມີຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ອຸນຫະພູມສູງແລະຍາກ, ເຊັ່ນວ່າລະບົບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ຕັ້ງຢູ່ໃກ້ກັບເຄື່ອງຈັກລົດ.

3.nitride Gallium: ບຸກເບີກຄວາມໄວໃນການຕິດຕາມຄວາມຖີ່ສູງ

ປະໂຫຍດ Core ຂອງ Gan ແມ່ນຢູ່ໃນຄວາມຖີ່ສູງ. ມັນສ່ອງໃນສອງທົ່ງນາ:

ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງ (ການສາກໄຟໄວ): ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ກວ້າງຂວາງທີ່ສຸດໃນປະຈຸບັນ, ເຮັດໃຫ້ພວກເຮົາສາມາດນໍາໃຊ້ Gan ໄວທີ່ສຸດແລະມີປະສິດທິພາບສູງ gan ໄວ.

RF Front-End: Amplifiers ພະລັງງານໃນສະຖານີສື່ສານ 5G ແລະລະບົບ radar ໃນອຸດສະຫະກໍາປ້ອງກັນປະເທດ.

ເປັນຫຍັງ Gan ຈຶ່ງເປັນກະສັດແຫ່ງການປະຕິບັດຄວາມຖີ່ສູງ

1) ຄວາມໄວສູງທີ່ສຸດຂອງເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ສຸດ: Electrons ຍ້າຍໄວທີ່ສຸດໃນວັດສະດຸ gan, ຫມາຍຄວາມວ່າ transistor ທີ່ສາມາດປະສົບຜົນສໍາເລັດໄດ້ໄວທີ່ສຸດ. ສໍາລັບເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າ, ຄວາມຖີ່ຂອງການປ່ຽນແປງທີ່ສູງຂື້ນຊ່ວຍໃຫ້ໃຊ້ຕົວຄວບຄຸມເຄື່ອງຫຼີ້ນນ້ອຍແລະເບົາກວ່າແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງເຮັດໃຫ້ເກີດເຄື່ອງສາກໄຟ.

2) ການເຄື່ອນໄຫວທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວແບບເອເລັກໂຕຣນິກສູງ (Hemt): ຕາມລາຍລະອຽດໃນບົດຄວາມທີ່ຜ່ານມາ, ອັດຕາສ່ວນທີ່ມີຂະຫນາດເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຂະຫນາດສອງມິຕິ (2DEG), ເຊິ່ງມີຄວາມເຂັ້ມແຂງທາງ Electron ແລະການເຄື່ອນໄຫວ, ເຊິ່ງມີຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າທີ່ສຸດ. ສິ່ງດັ່ງກ່າວເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນ gan ໄດ້ປຽບສອງຢ່າງທີ່ມີຄວາມໄດ້ປຽບສອງຢ່າງຂອງການສູນເສຍການປະຕິບັດຕ່ໍາແລະການສູນເສຍການປ່ຽນຕ່ໍາໃນລະຫວ່າງການປ່ຽນຄວາມໄວສູງ.

3) Bandgap ທີ່ກວ້າງຂວາງ: ຄ້າຍຄືກັບຊິລິໂຄນ Carbide, Gan ຍັງມີຜ້າພັນບາດກ້ວາງ, ເຮັດໃຫ້ມັນທົນທານຕໍ່ກັບອຸນຫະພູມສູງແລະມີຄວາມແຂງແຮງກ່ວາຊິລິໂຄນ.