ກ່ຽວກັບຂໍ້ບົກພ່ອງໃນໄປເຊຍກັນ SiC - Micropipe

SiC substrate ສາມາດມີຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງກ້ອງຈຸລະທັດ, ເຊັ່ນ: Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD), ແລະອື່ນໆ. ຂໍ້ບົກພ່ອງເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນເກີດມາຈາກການ deviations ໃນການຈັດລຽງຂອງປະລໍາມະນູໃນລະດັບປະລໍາມະນູ. ໄປເຊຍກັນ SiC ອາດຈະມີການເຄື່ອນທີ່ຂອງມະຫາພາກເຊັ່ນ: Si ຫຼື C ລວມ, micropipe, voids hexagonal, polymorphs, ແລະອື່ນໆ. ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ dislocations ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນມີຂະຫນາດໃຫຍ່.

ຫນຶ່ງໃນບັນຫາທີ່ສໍາຄັນໃນການຜະລິດອຸປະກອນ SiC ແມ່ນໂຄງສ້າງຈຸນລະພາກສາມມິຕິທີ່ເອີ້ນວ່າ "micropipe" ຫຼື "pinholes", ເຊິ່ງໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນ 30-40um ແລະ 0.1-5um ໃນຂະຫນາດຕາມລໍາດັບ. micropipe ເຫຼົ່ານີ້ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ 10-10³ / cm²ແລະສາມາດເຈາະເຂົ້າໄປໃນຊັ້ນ epitaxial, ສົ່ງຜົນໃຫ້ອຸປະກອນ killer ຜິດປົກກະຕິ. ພວກມັນຕົ້ນຕໍແມ່ນເກີດມາຈາກການຈັດກຸ່ມຂອງ spiro dislocations ແລະຖືວ່າເປັນອຸປະສັກຕົ້ນຕໍໃນການພັດທະນາອຸປະກອນ SiC.

Microtubule defects on the substrate are the source of other defects formed in the epitaxial layer during the growth process, such as voids, inclusions of various polymorphs, twins, etc. Therefore, the most important thing to do during the growth process of the substrate material for high-voltage and high-power SiC devices is to reduce the formation of microtubule defects in bulk SiC crystals and to prevent them from entering the epitaxial layer.

micropipe ສາມາດຖືກເບິ່ງເປັນຂຸມຂະຫນາດນ້ອຍ, ແລະໂດຍການເພີ່ມປະສິດທິພາບເງື່ອນໄຂຂອງຂະບວນການ, ພວກເຮົາສາມາດ "ຕື່ມຂໍ້ມູນໃສ່ຂຸມ" ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ micropipe. ການສຶກສາຈໍານວນຫນຶ່ງໃນວັນນະຄະດີແລະຂໍ້ມູນການທົດລອງໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ epitaxy evaporation, ການຂະຫຍາຍຕົວ CVD, ແລະ epitaxy ໄລຍະຂອງແຫຼວສາມາດຕື່ມຂໍ້ມູນໃສ່ micropipe ແລະຫຼຸດຜ່ອນການສ້າງຕັ້ງຂອງ micropipe ແລະ dislocations.

Semicorex ນໍາໃຊ້ເຕັກນິກ MOCVD ເພື່ອສ້າງການເຄືອບ SiC ທີ່ຫຼຸດລົງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ micropipe ຢ່າງມີປະສິດທິຜົນ, ເຮັດໃຫ້ຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບດີ. ຖ້າທ່ານມີຄໍາຖາມໃດໆຫຼືຕ້ອງການລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ, ກະລຸນາຢ່າລັງເລທີ່ຈະຕິດຕໍ່ກັບພວກເຮົາ.

ເບີໂທຕິດຕໍ່ #+86-13567891907

ອີເມວ: sales@semicorex.com