ລາວ
ບ້ານ > ຂ່າວ > ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ຄວາມສົດໃສດ້ານຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ 12-Inch Silicon Carbide Substrates

ຄວາມສົດໃສດ້ານຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ 12-Inch Silicon Carbide Substrates

Silicon carbide (SiC), ເປັນອຸປະກອນ semiconductor bandgap ກ້ວາງ, ສະເຫນີຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ບໍ່ມີການປຽບທຽບໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກພະລັງງານສູງ, ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະຄວາມຖີ່ສູງ.

ອ່ານ​ຕື່ມ
ວິທີການ Czochralski

ວິທີການ Czochralski

wafers ແມ່ນຊອຍໃຫ້ບາງໆຈາກ rods ໄປເຊຍກັນ, ທີ່ຜະລິດຈາກ polycrystalline ແລະວັດສະດຸພາຍໃນ undoped ບໍລິສຸດ. ຂະບວນການປ່ຽນວັດສະດຸ polycrystalline ເຂົ້າໄປໃນໄປເຊຍກັນດຽວໂດຍຜ່ານການ melting ແລະ recrystallization ແມ່ນເອີ້ນວ່າການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ. ໃນປັດຈຸບັນ, ສອງວິທີການຕົ້ນຕໍແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບຂະບວນການນີ້: ວິທີການ Czochr......

ອ່ານ​ຕື່ມ
ການຜະລິດ wafer

ການຜະລິດ wafer

Wafers ເປັນວັດຖຸດິບທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບວົງຈອນປະສົມປະສານ, ອຸປະກອນພະລັງງານ, ແລະອຸປະກອນແຍກ semiconductor. ຫຼາຍກວ່າ 90% ຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານແມ່ນຜະລິດໂດຍໃຊ້ wafers ທີ່ບໍລິສຸດ, ຄຸນນະພາບສູງ. ຄຸນນະພາບແລະຄວາມສາມາດໃນການສະຫນອງຂອງ wafers ເຫຼົ່ານີ້ພາຍໃນອຸດສາຫະກໍາແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ໂດຍກົງກັບການປະຕິບັດໂດຍລວມແລະການແຂ່ງຂັນຂອງວ......

ອ່ານ​ຕື່ມ
ສິ່ງທ້າທາຍໃດແດ່ທີ່ມີສ່ວນຮ່ວມໃນການຜະລິດ SiC?

ສິ່ງທ້າທາຍໃດແດ່ທີ່ມີສ່ວນຮ່ວມໃນການຜະລິດ SiC?

ໃນພູມສັນຖານຂອງວັດສະດຸ semiconductor bandgap ກວ້າງ, silicon carbide (SiC) ໄດ້ກາຍເປັນວັດສະດຸທີ່ໄດ້ຮັບການພິຈາລະນາສູງ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນດີເລີດໃນໂດເມນການແປງພະລັງງານສູງ.

ອ່ານ​ຕື່ມ
ເທກໂນໂລຍີການຝັງຕົວ Semiconductor Ion ແມ່ນຫຍັງ?

ເທກໂນໂລຍີການຝັງຕົວ Semiconductor Ion ແມ່ນຫຍັງ?

ໃນການຜະລິດ semiconductor, ການປູກຝັງ ion ກ່ຽວຂ້ອງກັບການໃຊ້ເຄື່ອງເລັ່ງພະລັງງານສູງເພື່ອສີດອະຕອມທີ່ບໍ່ສະອາດສະເພາະ, ເຊັ່ນ: ອາເຊນິກຫຼື boron, ເຂົ້າໄປໃນ substrate ຊິລິຄອນ.

ອ່ານ​ຕື່ມ
ການຫົດຕົວ

ການຫົດຕົວ

Annealing ຫຼັງຈາກ ion implantation ເປັນຂັ້ນຕອນສໍາຄັນໃນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor, ເຊິ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນ.

ອ່ານ​ຕື່ມ
<...45678...32>
ກົດ ENTER ເພື່ອຄົ້ນຫາຫລື ESC ເພື່ອປິດ
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept