SiC Epi-Wafer Receptor

Semicorex ເປັນຜູ້ຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະຜູ້ສະຫນອງ Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor ໃນປະເທດຈີນ. ພວກເຮົາສຸມໃສ່ອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ເຊັ່ນຊັ້ນ silicon carbide ແລະ epitaxy semiconductor. SiC Epi-Wafer Susceptor ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາຫຼາຍຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະໄດ້ເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໄລຍະຍາວຂອງທ່ານ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

Semicorex ສະຫນອງ SiC Epi-Wafer Susceptor ເຄືອບໂດຍ MOCVD ທີ່ໃຊ້ເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນ wafers. ໂຄງສ້າງ graphite ເຄືອບຊິລິໂຄນທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງພວກເຂົາ (SiC) ສະຫນອງການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ, ເຖິງແມ່ນວ່າຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຊັ້ນ epic ທີ່ສອດຄ່ອງແລະການຕໍ່ຕ້ານ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີທີ່ທົນທານ. ການເຄືອບໄປເຊຍກັນ SiC ລະອຽດໃຫ້ພື້ນຜິວທີ່ສະອາດ, ກ້ຽງ, ສໍາຄັນສໍາລັບການຈັດການນັບຕັ້ງແຕ່ wafers pristine ຕິດຕໍ່ກັບ susceptor ໃນຫຼາຍຈຸດໃນທົ່ວພື້ນທີ່ຂອງເຂົາເຈົ້າ.
SiC Epi-Wafer Susceptor ຂອງພວກເຮົາຖືກອອກແບບມາເພື່ອບັນລຸຮູບແບບການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ laminar ທີ່ດີທີ່ສຸດ, ຮັບປະກັນຄວາມສະເຫມີພາບຂອງໂປຣໄຟລ໌ຄວາມຮ້ອນ. ນີ້ຊ່ວຍປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນຫຼືການແຜ່ກະຈາຍຂອງ impurities, ຮັບປະກັນການເຕີບໂຕຂອງ epitaxial ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງໃນຊິບ wafer.
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາໃນມື້ນີ້ເພື່ອຮຽນຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບ SiC Epi-Wafer Susceptor ຂອງພວກເຮົາ.

ພາລາມິເຕີຂອງ SiC Epi-Wafer Susceptor

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC
ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J kg-1 K-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300

ຄຸນນະສົມບັດຂອງ SiC Epi-Wafer Susceptor

ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC coated graphite
ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ເໜືອກວ່າ & ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ
Fine SiC crystal coated ສໍາລັບຫນ້າກ້ຽງ
ທົນທານສູງຕໍ່ການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີ
ວັດສະດຸຖືກອອກແບບເພື່ອບໍ່ໃຫ້ຮອຍແຕກ ແລະ ຮອຍແຕກ.