ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນແບບປະສົມ C/C

ອົງປະກອບຂອງ C/Cເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນມັກຈະຖືກຈັດວາງຢູ່ອ້ອມຮອບ crucible ທີ່ຕັ້ງຢູ່ໃນສູນກາງຂອງເຕົາອົບທີ່ເຕີບໂຕໄປເຊຍກັນ, ສະຫນອງຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບກັບວັດສະດຸ semiconductor ພາຍໃນ crucible ຜ່ານຄວາມຮ້ອນຕໍ່ຕ້ານ. ເມື່ອເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນແບບປະສົມ C/C ຖືກພະລັງງານ, ເສັ້ນໃຍກາກບອນ ແລະມາຕຣິກເບື້ອງສາມາດສ້າງຄວາມຮ້ອນໄດ້ຍ້ອນຜົນກະທົບຂອງການຕໍ່ຕ້ານ. ຄວາມຮ້ອນນີ້ຖືກໂອນໄປຫາວັດສະດຸ semiconductor ໃນ crucible ໂດຍຜ່ານການນໍາຄວາມຮ້ອນແລະການຮັງສີ, ຍົກສູງບົດບາດໃຫ້ເຂົາເຈົ້າກັບອຸນຫະພູມທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການ melting ໄປເຊຍກັນ. ເພື່ອຮັບປະກັນການແຜ່ກະຈາຍຂອງອຸນຫະພູມທີ່ສອດຄ່ອງ ແລະມີປະສິດທິພາບຫຼາຍຂຶ້ນ, ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນປະສົມ C/C ຫຼາຍຊະນິດສາມາດຖືກລວມເຂົ້າກັນເພື່ອສ້າງໂຄງສ້າງຄວາມຮ້ອນຊັ້ນສໍາລັບ furnaces ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນຂະຫນາດໃຫຍ່.

ອົງປະກອບຂອງ C/Cເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນສາມາດສະຫນອງການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນກ່ຽວກັບເງື່ອນໄຂຂະບວນການສໍາລັບການລະລາຍເອກະພາບຂອງວັດສະດຸ semiconductor ແລະ gradient ອຸນຫະພູມທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນ, ດັ່ງນັ້ນການຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບຂອງອຸນຫະພູມການເຫນັງຕີງຂອງຄຸນນະພາບຂອງໄປເຊຍກັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ດັ່ງນັ້ນ, ເຂດຮ້ອນສະແດງໃຫ້ເຫັນການແຜ່ກະຈາຍຂອງອຸນຫະພູມທີ່ເປັນເອກະພາບແລະຄົງທີ່ພາຍໃນເຕົາຜລຶກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ການແຜ່ກະຈາຍຂອງອຸນຫະພູມທີ່ປັບປຸງນີ້ຈະຊ່ວຍໃຫ້ການປູກຝັງຜະລິດຕະພັນຊິລິໂຄນ monocrystalline ຕ່ໍາ, ຄຸນນະພາບສູງ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າແລະກົນຈັກຂອງໄປເຊຍກັນໄດ້ດີທີ່ສຸດ. ພາຍ​ໃຕ້​ການ​ກະ​ທຳ​ຂອງ​ເຄື່ອງ​ເຮັດ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ປະ​ສົມ C/C, ວົງ​ຈອນ​ການ​ລະ​ລາຍ​ຂອງ​ວັດ​ສະ​ດຸ semiconductor ສາ​ມາດ​ຖືກ​ຫຼຸດ​ລົງ​ຢ່າງ​ມີ​ປະ​ສິດ​ທິ​ຜົນ, ໂດຍ​ສະ​ນັ້ນ​ການ​ເລັ່ງ​ອັດ​ຕາ​ການ​ເຕີບ​ໂຕ​ຂອງ​ໄປ​ເຊຍ​ກັນ ແລະ​ຊ່ວຍ​ປັບ​ປຸງ​ປະ​ສິດ​ທິ​ພາບ​ການ​ຜະ​ລິດ​ໂດຍ​ລວມ.

ລະບົບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນສໍາລັບການຈະເລີນເຕີບໂຕໄປເຊຍກັນ semiconductor ແມ່ນປະກອບດ້ວຍເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນປະສົມ C / C, ພ້ອມກັບອົງປະກອບຫຼັກລວມທັງ crucibles, ທໍ່ຄູ່ມືການໄຫຼ, ແຂນ insulation ຄວາມຮ້ອນ, ແລະ shafts crucible. ການເລືອກເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ C/C ຂອງ Semicorex ສາມາດສ້າງຄວາມສະດວກໃນການປັບປຸງແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງລະບົບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂະຫນາດໃຫຍ່ສໍາລັບວັດສະດຸຜລຶກທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງໃນຂະແຫນງຕ່າງໆເຊັ່ນ: semiconductor, photovoltaic, ແລະ optical ອຸດສາຫະກໍາ.