Crucibles ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ

Semicorex Crucibles ສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ Crystal ສະເຫນີການຕັ້ງຄ່າທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະຄວບຄຸມທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການສ້າງຕັ້ງທີ່ຊັດເຈນຂອງໄປເຊຍກັນ semiconductor. ພວກເຂົາເຈົ້າແມ່ນເຄື່ອງມືໃນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ monocrystalline silicon ingots ຜ່ານເຕັກນິກການກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເຊັ່ນຂະບວນການ Czochralski ແລະວິທີການ float-zone. ຂະບວນການເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນສໍາຄັນສໍາລັບການຜະລິດວັດສະດຸທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງສໍາລັບອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ.

ວິສະວະກໍາສໍາລັບຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນ, ການຕໍ່ຕ້ານການກັດກ່ອນຂອງສານເຄມີ, ແລະການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຫນ້ອຍທີ່ສຸດ, Crucibles ເຫຼົ່ານີ້ສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ Crystal ຮັບປະກັນຄວາມທົນທານແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງ. ພວກມັນຖືກອອກແບບເພື່ອທົນທານຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມທາງເຄມີທີ່ຮຸນແຮງໂດຍບໍ່ມີການທໍາລາຍຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງຫຼືການປະຕິບັດ, ດັ່ງນັ້ນການຍືດອາຍຸຂອງ crucible ແລະຮັກສາການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງໃນໄລຍະການນໍາໃຊ້ເວລາດົນນານ.

ອົງປະກອບທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງ Semicorex Crucibles ສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ Crystal ຮັບປະກັນວ່າພວກເຂົາທົນທານຕໍ່ເງື່ອນໄຂການປຸງແຕ່ງທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ນີ້ຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນພິເສດແລະຄວາມບໍລິສຸດ, ທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ semiconductor. ອົງປະກອບຂອງ Crucibles ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນຍັງອໍານວຍຄວາມສະດວກໃນການໂອນຄວາມຮ້ອນປະສິດທິພາບ, ສົ່ງເສີມການໄປເຊຍກັນເປັນເອກະພາບແລະຫຼຸດຜ່ອນ gradients ຄວາມຮ້ອນພາຍໃນ melting ຊິລິຄອນ.

ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, Semicorex ສະຫນອງ crucibles graphite porous ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ດ້ວຍການອອກແບບແລະການບໍລິການທີ່ກໍາຫນົດເອງຕາມຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດສະເພາະ. ຄວາມສົນໃຈໃນລາຍລະອຽດນີ້ຊ່ວຍໃຫ້ມີການຕັ້ງຄ່າທີ່ຫລາກຫລາຍ, ຮັບປະກັນວ່າ Crucibles ສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ Crystal ສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດທີ່ຊັດເຈນຢ່າງມີປະສິດທິພາບ.

ສະຫຼຸບແລ້ວ, Semicorex Crucibles for Crystal Growth ຖືກອອກແບບມາເພື່ອຮອງຮັບຄວາມຕ້ອງການອັນພິຖີພິຖັນຂອງການສ້າງ crystal semiconductor, ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ຄວາມທົນທານ, ແລະການປະຕິບັດທີ່ບໍ່ສາມາດປຽບທຽບໄດ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ແລະສະເຫນີການແກ້ໄຂຕາມຄວາມຕ້ອງການເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດທີ່ຫຼາກຫຼາຍ.