CVD TAC ເຄືອບວິສາຫະປະເພດ

ໃນລະບົບ Mocvd, Susceptor ແມ່ນເວທີຫຼັກທີ່ wafers ໄດ້ຖືກຈັດໃສ່ໃນລະຫວ່າງການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Epitaxial. ມັນເປັນສິ່ງທີ່ສໍາຄັນທີ່ຄວບຄຸມອຸນຫະພູມທີ່ຖືກຕ້ອງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ, ແລະສະຖຽນລະພາບກົນຈັກໃນອຸນຫະພູມສູງກວ່າ 1200 ° C. semicorex cvd cvd cvd acceptor ມີຄວາມສາມາດໃນການເຮັດສໍາເລັດໂດຍການປະສົມປະສານກັບຊັ້ນໃຕ້ຂອງ Graphite ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນດ້ວຍຄວາມຫນາແຫນ້ນ, ເປັນເອກະພາບການເຄືອບຂອງ tantalum carbide (tac)ເຮັດຜ່ານການຝາກເງິນ vapor ທາງເຄມີ (CVD).

ຄຸນນະພາບຂອງ TAC ປະກອບມີຄວາມແຂງກະດ້າງ, ຄວາມຕ້ານທານການກັດກ່ອນ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນ. TAC ມີຈຸດທີ່ລະລາຍຫຼາຍກ່ວາ 3800 ° C, ແລະດັ່ງທີ່ເປັນຫນຶ່ງໃນວັດສະດຸທີ່ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມຫຼາຍທີ່ສຸດໃນມື້ນີ້, ເຮັດໃຫ້ມັນໃຊ້ໃນເຕົາປະຕິກອນ Mocvd, W

ith precursors ທີ່ອາດຈະຮ້ອນຫຼາຍແລະ corrosive ສູງ. ໄດ້cvd tac ເຄືອບ tacສະຫນອງອຸປະສັກທີ່ປ້ອງກັນລະຫວ່າງສົງຄາມ graphite ແລະທາດອາຍທີ່ມີປະຕິກິລິຍາ, ຍົກຕົວຢ່າງ, ammonia (nh₃), ແລະ precursors ອິນຊີ. ການເຄືອບສາມາດປ້ອງກັນການເຊື່ອມໂຊມຂອງສານເຄມີ, ການສ້າງຕັ້ງສະເພາະຂອງອະນຸພາກໃນສະພາບແວດລ້ອມຂອງເງິນຝາກ, ແລະການແຜ່ກະຈາຍຂອງຄວາມບໍ່ສະອາດເຂົ້າໃນຮູບເງົາທີ່ຝາກ. ການກະທໍາເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນສໍາຄັນສໍາລັບຮູບເງົາທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ນິຍົມ, ເພາະວ່າມັນອາດຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາ.

Wafer Susceptors ແມ່ນສ່ວນປະກອບທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການກະກຽມ wafer ແລະການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ Epitaxial ຂອງ semiconducuctors ຊັ້ນ III, ເຊັ່ນ Sic, ແລະ Gan. ບັນທຸກສິນຄ້າທີ່ Wafer ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນເຮັດດ້ວຍຮູບພາບແລະເຄືອບດ້ວຍ SIC ເພື່ອປ້ອງກັນການກັດກ່ອນຈາກທາດອາຍຜິດ. ອຸນຫະພູມຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງ Epitaxial ຕັ້ງແຕ່ 1100 ເຖິງ 1600 ° C, ແລະຄວາມຕ້ານທານການກັດກ່ອນຂອງການເຄືອບປ້ອງກັນແມ່ນສໍາຄັນຕໍ່ອາຍຸຍືນຂອງຜູ້ຂົນສົ່ງ Wafer. ການຄົ້ນຄວ້າໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ tac corroded sixder six ກ່ວາ sic ໃນ ammonia ທີ່ອຸນຫະພູມສູງແລະຫຼາຍກວ່າສິບເທົ່າຂອງ hydrogen ອຸນຫະພູມສູງ.

ການທົດລອງໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າຜູ້ຂົນສົ່ງທີ່ມີເອກະສານອ້າງອີງແມ່ນສະແດງຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ດີທີ່ສຸດໃນຂະບວນການ Gan Mocvd ສີຟ້າໂດຍບໍ່ມີການແນະນໍາຄວາມບໍ່ສະອາດ. ດ້ວຍການປັບປຸງຂະບວນການທີ່ຈໍາກັດ, LEDs ທີ່ເຕີບໃຫຍ່ໂດຍໃຊ້ງານວາງສະແດງການວາງສະແດງແລະຄວາມເປັນເອກະພາບທຽບເທົ່າກັບຜູ້ທີ່ປູກໂດຍໃຊ້ລົດບັນທຸກທີ່ມີຄວາມຫມາຍແບບທໍາມະດາ. ສະນັ້ນ, ຜູ້ຂົນສົ່ງທີ່ມີການເຄືອບ TAC

ການນໍາໃຊ້ການເຄືອບ CORBIDE (TAC)ສາມາດແກ້ໄຂຂໍ້ບົກຜ່ອງດ້ານໄປເຊຍກັນໄດ້ແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນເຕັກໂນໂລຢີຫຼັກໃນການບັນລຸ "ໄວ, ຫນາ, ແລະເຕີບໃຫຍ່ຂຶ້ນ." ການຄົ້ນຄວ້າອຸດສາຫະກໍາຍັງໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ Crucible Graphite Corbide Carbide Corbide, ເຮັດໃຫ້ພື້ນຖານການເຕີບໃຫຍ່ຂອງການສ້າງຕັ້ງ polycrystalline ໃນຂອບຂອງ Crystal Crystal Crystal.

ວິທີການຝາກເງິນຂອງ CVD ຂອງ TAC ສົ່ງຜົນໃຫ້ມີການເຄືອບທີ່ຫນາແຫນ້ນແລະມີຄວາມຮັກແພງທີ່ສຸດ. CVD TAC ແມ່ນຜູກພັນກັບຊັ້ນໃຕ້ດິນ, ກົງກັນຂ້າມກັບການສີດພົ່ນຫຼືສີດເສື້ອກັນຫນາວ, ຈາກການເຄືອບຈະຖືກນໍາໃຊ້. ສິ່ງນີ້ແປເປັນກາວທີ່ດີກວ່າ, ສໍາເລັດຮູບຫນ້າທີ່ລຽບ, ແລະຄວາມສົມບູນສູງ. ການເຄືອບຈະທົນຕໍ່ການເຊາະເຈື່ອນ, ການແຕກ, ແລະປອກເປືອກເຖິງແມ່ນວ່າໃນເວລາທີ່ມີການຂີ່ລົດຖີບເລື້ອຍໆໃນສະພາບແວດລ້ອມຂະບວນການຮຸກຮານ. ສິ່ງດັ່ງກ່າວອໍານວຍຄວາມສະດວກໃຫ້ແກ່ຊີວິດການຮັບໃຊ້ທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວຕໍ່ການບໍລິການທີ່ຍາວກວ່າແລະການບໍາລຸງຮັກສາແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການທົດແທນ.

The CVD Coated Tac Susceptor ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ເພື່ອໃຫ້ເຫມາະສົມກັບການຕັ້ງຄ່າເຕົາປະຕິກອນ Mocvd, ເຊິ່ງປະກອບມີແນວນອນ, ແນວຕັ້ງ, ແນວຕັ້ງແລະແນວຕັ້ງ.  ການປັບແຕ່ງປະກອບມີຄວາມຫນາຂອງການເຄືອບ, ວັດສະດຸຍ່ອຍ, ແລະເລຂາຄະນິດ, ໃຫ້ການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂື້ນກັບສະພາບຂອງຂະບວນການ.  ບໍ່ວ່າຈະເປັນສໍາລັບ Gan, Algan, Ingan ຫຼືສໍາລັບອຸປະກອນການປະສົມປະສົມອື່ນໆ, Sumpertor ໃຫ້ມີການປະຕິບັດທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະເຮັດວຽກທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການປຸງແຕ່ງອຸປະກອນທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງ.

ການເຄືອບ TAC ສະເຫນີຄວາມທົນທານແລະຄວາມບໍລິສຸດຫຼາຍຂື້ນ, ແຕ່ມັນກໍ່ເຮັດໃຫ້ຄຸນລັກສະນະຂອງກົນຈັກຂອງຜູ້ທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານກັບຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນຊ້ໍາ. ຄຸນສົມບັດກົນຈັກຮັບປະກັນການສະຫນັບສະຫນູນການສະຫນັບສະຫນູນແລະການຫມູນວຽນແບບຍືນຍົງໃນໄລຍະເງິນຝາກຍາວ.  ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, ການປັບປຸງໃຫ້ອໍານວຍຄວາມສະດວກໃນການສະຫນັບສະຫນູນການຈະເລີນພັນແລະໃຊ້ເວລາໃນການໃຊ້ງານ.