Etching Ring

ແຫວນ Etching ທີ່ເຮັດດ້ວຍ CVD SiC ແມ່ນສ່ວນປະກອບສໍາຄັນໃນຂະບວນການຜະລິດ semiconductor, ສະເຫນີການປະຕິບັດພິເສດໃນສະພາບແວດລ້ອມ plasma etching. ດ້ວຍຄວາມແຂງກະດ້າງທີ່ເຫນືອກວ່າ, ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ແລະຄວາມບໍລິສຸດສູງ, CVD SiC ຮັບປະກັນວ່າຂະບວນການຂັດແມ່ນຊັດເຈນ, ມີປະສິດທິພາບ, ແລະເຊື່ອຖືໄດ້. ໂດຍການເລືອກ Semicorex CVD SiC Etching Rings, ຜູ້ຜະລິດ semiconductor ສາມາດເພີ່ມຄວາມທົນທານຂອງອຸປະກອນຂອງພວກເຂົາ, ຫຼຸດຜ່ອນເວລາຢຸດເຮັດວຽກ, ແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບໂດຍລວມຂອງຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຂົາ.*

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

Semicorex Etching Ring ແມ່ນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນອຸປະກອນການຜະລິດ semiconductor, ໂດຍສະເພາະໃນລະບົບ plasma etching. ຜະລິດຈາກ Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide (CVD SiC), ອົງປະກອບນີ້ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ດີກວ່າໃນສະພາບແວດລ້ອມ plasma ທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການສູງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ສໍາລັບຂະບວນການ etching ຄວາມແມ່ນຍໍາໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor.

ຂະບວນການ etching, ເປັນຂັ້ນຕອນພື້ນຖານໃນການສ້າງອຸປະກອນ semiconductor, ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີອຸປະກອນທີ່ສາມາດທົນທານຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມ plasma harsh ໂດຍບໍ່ມີການຊຸດໂຊມ. ວົງແຫວນ etching, ຕັ້ງເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງຫ້ອງທີ່ plasma ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອ etch ຮູບແບບໃສ່ wafers ຊິລິໂຄນ, ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນຂະບວນການນີ້.

ວົງແຫວນ etching ປະຕິບັດຫນ້າທີ່ເປັນສິ່ງກີດຂວາງໂຄງສ້າງແລະປ້ອງກັນ, ຮັບປະກັນວ່າ plasma ໄດ້ຖືກບັນຈຸແລະຊີ້ນໍາຢ່າງແນ່ນອນໃນບ່ອນທີ່ຈໍາເປັນໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການ etching. ເນື່ອງຈາກເງື່ອນໄຂທີ່ຮຸນແຮງພາຍໃນຫ້ອງ plasma - ເຊັ່ນ: ອຸນຫະພູມສູງ, ທາດອາຍຜິດ corrosive, ແລະ plasma abrasive - ມັນເປັນສິ່ງຈໍາເປັນທີ່ວົງ etching ແມ່ນສ້າງຂຶ້ນຈາກວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານພິເສດຕໍ່ການສວມໃສ່ແລະການກັດກ່ອນ. ນີ້ແມ່ນບ່ອນທີ່ CVD SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) ພິສູດມູນຄ່າຂອງມັນເປັນທາງເລືອກສູງສຸດສໍາລັບການຜະລິດແຫວນ etching.

CVD SiC ເປັນວັດສະດຸເຊລາມິກຂັ້ນສູງທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄຸນສົມບັດກົນຈັກ, ເຄມີ, ແລະຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນ. ຄຸນລັກສະນະເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອຸປະກອນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນອຸປະກອນການຜະລິດ semiconductor, ໂດຍສະເພາະໃນຂະບວນການ etching, ບ່ອນທີ່ຄວາມຕ້ອງການປະສິດທິພາບສູງ.

ຄວາມແຂງສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່:

CVD SiC ແມ່ນຫນຶ່ງໃນວັດສະດຸທີ່ຍາກທີ່ສຸດທີ່ມີຢູ່, ເປັນອັນດັບສອງພຽງແຕ່ເພັດ. ຄວາມແຂງກະດ້າງທີ່ສຸດນີ້ສະຫນອງການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ທີ່ດີເລີດ, ເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດທົນທານຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງ, ຂັດຂອງ plasma etching. ວົງ etching, ຊູນກັບການລະເບີດຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໂດຍ ions ໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການ, ສາມາດຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງຂອງຕົນສໍາລັບໄລຍະເວລາທີ່ຍາວກວ່າເມື່ອທຽບກັບອຸປະກອນການອື່ນໆ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ຂອງການທົດແທນ.

ຄວາມອິດເມື່ອຍທາງເຄມີ:

ຫນຶ່ງໃນຄວາມກັງວົນຕົ້ນຕໍໃນຂະບວນການ etching ແມ່ນລັກສະນະ corrosive ຂອງ plasma gases, ເຊັ່ນ fluorine ແລະ chlorine. ທາດອາຍຜິດເຫຼົ່ານີ້ສາມາດເຮັດໃຫ້ເກີດການເຊື່ອມໂຊມຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນວັດສະດຸທີ່ບໍ່ທົນທານຕໍ່ສານເຄມີ. CVD SiC, ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມບໍ່ສະຫງົບທາງເຄມີພິເສດ, ໂດຍສະເພາະໃນສະພາບແວດລ້ອມ plasma ທີ່ມີທາດອາຍຜິດ corrosive, ດັ່ງນັ້ນການປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນຂອງ wafers semiconductor ແລະຮັບປະກັນຄວາມບໍລິສຸດຂອງຂະບວນການ etching.

ຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນ:

ຂະບວນການ etching semiconductor ມັກຈະເກີດຂຶ້ນໃນອຸນຫະພູມສູງ, ຊຶ່ງສາມາດເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນໃນວັດສະດຸ. CVD SiC ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ມັນຮັກສາຮູບຮ່າງແລະຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງເຖິງແມ່ນວ່າຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ. ນີ້ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຂອງການຜິດປົກກະຕິຄວາມຮ້ອນ, ຮັບປະກັນຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງ etching ສອດຄ່ອງຕະຫຼອດວົງຈອນການຜະລິດ.

ຄວາມບໍລິສຸດສູງ:

ຄວາມບໍລິສຸດຂອງວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ໃນການຜະລິດ semiconductor ແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນທີ່ສຸດ, ຍ້ອນວ່າການປົນເປື້ອນໃດໆສາມາດສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ການປະຕິບັດແລະຜົນຜະລິດຂອງອຸປະກອນ semiconductor. CVD SiC ແມ່ນວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການນໍາສິ່ງເສດເຫຼືອເຂົ້າໄປໃນຂະບວນການຜະລິດ. ນີ້ປະກອບສ່ວນໃຫ້ຜົນຜະລິດທີ່ສູງຂຶ້ນແລະຄຸນນະພາບໂດຍລວມທີ່ດີກວ່າໃນການຜະລິດ semiconductor.

ວົງ Etching ທີ່ເຮັດດ້ວຍ CVD SiC ຕົ້ນຕໍແມ່ນໃຊ້ໃນລະບົບການແກະສະຫລັກໃນ plasma, ເຊິ່ງໃຊ້ໃນການແກະຮູບແບບທີ່ສັບສົນໃສ່ wafers semiconductor. ຮູບແບບເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນມີຄວາມຈໍາເປັນສໍາລັບການສ້າງວົງຈອນກ້ອງຈຸລະທັດແລະອົງປະກອບທີ່ພົບເຫັນຢູ່ໃນອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ, ລວມທັງໂປເຊດເຊີ, ຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ, ແລະຈຸນລະພາກເອເລັກໂຕຣນິກອື່ນໆ.