ແຫວນຄູ່ມື

ແຫວນຄູ່ມື semicorex ແມ່ນສ່ວນປະກອບສໍາຄັນໃນ SIC (Silicon Carbide) Sy Crystal Crystal Furnace, ທີ່ຖືກອອກແບບມາເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບດ້ານສະພາບແວດລ້ອມການເຕີບໂຕຂອງ Crystal. ແຫວນຄູ່ມືທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງນີ້ແມ່ນຜະລິດຈາກຮູບພາບທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດແລະມີຄຸນລັກສະນະຂອງສະຖານະພາບຂອງ CVD-art (ເງິນຝາກ Vapor)tantalum carbide (TAC) ການເຄືອບ. ການປະສົມປະສານຂອງວັດສະດຸເຫຼົ່ານີ້ຮັບຄວາມທົນທານ, ສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານກັບສະພາບສານເຄມີແລະທາງກາຍະພາບທີ່ສຸດ.

ວັດສະດຸແລະການເຄືອບ

ເອກະສານພື້ນຖານຂອງວົງແຫວນຄູ່ມືແມ່ນ graphite ຄວາມສະຖຽນລະພາບສູງ, ຖືກຄັດເລືອກສໍາລັບຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງໃນອຸນຫະພູມສູງ. ແຜ່ນຮອງຂອງກຣາຟມັນຖືກເຄືອບດ້ວຍຊັ້ນທີ່ຫນາແຫນ້ນ, ເປັນເອກະພາບຂອງ tantalum carbide ໂດຍໃຊ້ຂະບວນການ CVD ທີ່ກ້າວຫນ້າ. Tantalum Carbide ແມ່ນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກກັນດີສໍາລັບຄວາມແຂງກະດ້າງເປັນພິເສດ, ຄວາມຕ້ານທານການຜຸພັງ, ແລະຄວາມບໍ່ມີຄວາມຄິດທາງເຄມີ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນຊັ້ນປ້ອງກັນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບອົງປະກອບ Graphite ປະຕິບັດງານໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ໂຫດຮ້າຍ.

ອຸປະກອນຄວາມສາມາດໃນການປ່ຽນແປງແລະຊິລິໂຄນທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການໃນການປ່ຽນແປງໃຫມ່ທີ່ມີຄວາມຖີ່ແລະພະລັງງານສູງ, ມີພະລັງງານສູງ, ມີສີລັງແຮງສູງ. ເພາະສະນັ້ນ, ພວກເຂົາມີຄວາມຄາດຫວັງຂອງການສະຫມັກດ່ວນໃນຂົງເຂດການສື່ສານມືຖືລຸ້ນໃຫມ່, ພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່, ຕາຂ່າຍໄຟຟ້າທີ່ສະຫຼາດແລະໄຟຟ້າ. ການພັດທະນາທີ່ສົມບູນແບບຂອງຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາລຸ້ນທີສາມຢ່າງຮີບດ່ວນຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຄວາມກ້າວຫນ້າໃນເຕັກໂນໂລຢີຫຼັກ, ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງການອອກແບບອຸປະກອນແລະຄວາມລະອຽດຂອງເອກະສານອ້າງອີງ.

ການກິນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Silicon Carbide ເປັນຕົວຢ່າງ, ວັດສະດຸ graphite ແລະວັດສະດຸດັດສົມທາດກາກບອນແມ່ນຍາກທີ່ຈະຕອບສະຫນອງບັນຍາກາດສະລັບສັບຊ້ອນ (Sic₂, Sic₂c) ຂະບວນການ 2300 ℃. ບໍ່ພຽງແຕ່ແມ່ນຊີວິດທີ່ມີຊີວິດການບໍລິການ, ສ່ວນທີ່ແຕກຕ່າງກັນໄດ້ຖືກທົດແທນໃຫ້ທຸກໆສິບແຮງ, ແລະການເຫນັງຕີງຂອງຮູບພາບສູງສາມາດນໍາໄປສູ່ຄວາມຜິດປົກກະຕິດ້ານສຸຂະພາບເຊັ່ນ: ການລວມເອົາກາກບອນງ່າຍດາຍ. ເພື່ອຮັບປະກັນການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແລະມີຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງການເຄືອບ semiconductor, ເຊິ່ງຈະຂະຫຍາຍອອກຈາກສ່ວນປະກອບຂອງ graphite, ຍັບຍັ້ງການອົບພະຍົບຂອງ Graphite, ຍັບຍັ້ງການອົບພະຍົບ ໃນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ Epicon Carbide, ຊິລິໂຄນ carbide corbide corbide ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນໃຊ້ເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນແລະເຮັດຄວາມຮ້ອນໃນຊັ້ນໃຕ້ດິນດຽວ. ຊີວິດການບໍລິການຂອງມັນຍັງຕ້ອງໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແລະເງິນຝາກຊິລິໂຄນ Carbide ໃນອິນເຕີເຟດຕ້ອງໄດ້ຮັບການອະນາໄມເປັນປະຈໍາ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ,tantalum carbide (TAC) ການເຄືອບມີຄວາມທົນທານຕໍ່ບັນຍາກາດທີ່ບໍ່ດີແລະອຸນຫະພູມສູງ, ແລະແມ່ນເຕັກໂນໂລຢີຫຼັກສໍາລັບ "ຄວາມຫນາ, ຄວາມຫນາແລະຄຸນນະພາບ" ຂອງ SIC.

ໃນເວລາທີ່ Sic ໄດ້ຖືກກະກຽມໂດຍການຂົນສົ່ງ vapor ທາງດ້ານຮ່າງກາຍ (PVT), ໃນເຂດເມັດພັນແມ່ນຢູ່ໃນເຂດອຸນຫະພູມທີ່ຂ້ອນຂ້າງສູງ, ແລະວັດຖຸດິບທີ່ຂ້ອນຂ້າງຢູ່ໃນເຂດອຸນຫະພູມທີ່ຂ້ອນຂ້າງສູງ (ເຫນືອ 2400 ℃). ເຄື່ອງໃຊ້ວັດຖຸດິບ Decompses ຜະລິດ sixcomes (ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນບັນຈຸ si, sic₂, ແລະອື່ນໆ), ແລະ nucleates ແລະເຕີບໃຫຍ່ເພື່ອປະກອບເປັນໄປເຊຍກັນ. ອຸປະກອນການເຮັດຄວາມຮ້ອນທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການນີ້, ເຊັ່ນ: ແຫວນທີ່ເປັນບ່ອນທີ່ຖືກຕ້ອງ, ສໍາລັບຜູ້ເກັບ Crystal, ແລະແກ່ນຂອງເມັດ, ແລະບໍ່ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງແລະບໍ່ໄດ້ປົນເປື້ອນວັດຖຸດິບແລະ Sic Crystal. ວັດສະດຸທີ່ເຮັດຄວາມສະອາດ, ເຊິ່ງມີຄວາມຈໍາເປັນໃນແຕ່ລະດ້ານ, ແລະມີຄວາມຫນາແຫນ້ນຫນ້ອຍຫນຶ່ງ ນອກຈາກນັ້ນ, ອັດຕາການສູນເສຍນ້ໍາຫນັກຂອງ TAC TAC ແມ່ນເກືອບສູນ, ຮູບລັກສະນະແມ່ນຍັງຄົງຄ້າງ, ແລະມັນສາມາດປັບປຸງຄວາມຍືນຍົງແລະປະສິດຕິພາບຂອງການກະກຽມໄປເຊຍກັນແບບດຽວ.