Halfmoon Part ສໍາລັບ LPE

Semicorex Halfmoon Part ສໍາລັບ LPE ແມ່ນອົງປະກອບ graphite ພິເສດທີ່ເຄືອບດ້ວຍ Tantalum Carbide (TaC), ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນເຕົາປະຕິກອນຂອງບໍລິສັດ LPE, ໂດຍສະເພາະໃນຂະບວນການ SiC epitaxy. ຜະລິດຕະພັນມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ຊັດເຈນໃນເຕົາປະຕິກອນເຕັກໂນໂລຢີສູງເຫຼົ່ານີ້, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນໃນການຜະລິດ substrates SiC ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ semiconductor. ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄວາມທົນທານພິເສດ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ແລະຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນຂອງສານເຄມີ, ອົງປະກອບນີ້ເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການເພີ່ມປະສິດທິພາບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ SiC ພາຍໃນສະພາບແວດລ້ອມເຕົາປະຕິກອນ LPE.

ອົງປະກອບວັດສະດຸແລະເຕັກໂນໂລຢີການເຄືອບ

ສ້າງຂຶ້ນຈາກກາໄຟທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງ, ພາກສ່ວນ Halfmoon ຖືກເຄືອບດ້ວຍຊັ້ນຂອງ Tantalum Carbide (TaC), ວັດສະດຸທີ່ມີຊື່ສຽງສໍາລັບການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມແຂງ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງສານເຄມີ. ການເຄືອບນີ້ເສີມຂະຫຍາຍຄຸນສົມບັດກົນຈັກຂອງ substrate graphite, ໃຫ້ມັນມີຄວາມທົນທານເພີ່ມຂຶ້ນແລະການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ອຸນຫະພູມສູງແລະຮຸກຮານທາງເຄມີຂອງເຕົາປະຕິກອນ LPE.

Tantalum Carbide ເປັນວັດສະດຸເຊລາມິກ refractory ສູງທີ່ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງຂອງຕົນເຖິງແມ່ນວ່າຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ. ການເຄືອບເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນສິ່ງກີດຂວາງປ້ອງກັນການຜຸພັງແລະການກັດກ່ອນ, ປົກປ້ອງ graphite ທີ່ຕິດພັນແລະຍືດອາຍຸການດໍາເນີນງານຂອງອົງປະກອບ. ການປະສົມປະສານຂອງວັດສະດຸນີ້ຮັບປະກັນວ່າ Halfmoon Part ປະຕິບັດຢ່າງຫນ້າເຊື່ອຖືແລະສອດຄ່ອງໃນໄລຍະຫຼາຍໆຮອບໃນເຄື່ອງປະຕິກອນ LPE, ຫຼຸດຜ່ອນເວລາຢຸດແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການບໍາລຸງຮັກສາ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນ LPE Reactors

ໃນເຕົາປະຕິກອນ LPE, Halfmoon Part ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການຮັກສາຕໍາແຫນ່ງທີ່ຊັດເຈນແລະການສະຫນັບສະຫນູນຂອງ substrates SiC ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial. ຫນ້າທີ່ຕົ້ນຕໍຂອງມັນແມ່ນເພື່ອເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນອົງປະກອບໂຄງສ້າງທີ່ຊ່ວຍຮັກສາທິດທາງທີ່ຖືກຕ້ອງຂອງ SiC wafers, ຮັບປະກັນການຊຶມເຊື້ອທີ່ເປັນເອກະພາບແລະການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ. ເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງຮາດແວພາຍໃນຂອງເຕົາປະຕິກອນ, Halfmoon Part ປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການເຮັດວຽກທີ່ລຽບງ່າຍຂອງລະບົບໂດຍການທົນທານຕໍ່ຄວາມກົດດັນດ້ານຄວາມຮ້ອນແລະກົນຈັກໃນຂະນະທີ່ສະຫນັບສະຫນູນເງື່ອນໄຂການເຕີບໂຕທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບໄປເຊຍກັນ SiC.

ເຄື່ອງປະຕິກອນ LPE, ນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ຂອງ SiC, ຕ້ອງການອົງປະກອບທີ່ສາມາດທົນກັບເງື່ອນໄຂຄວາມຕ້ອງການທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບອຸນຫະພູມສູງ, ການສໍາຜັດກັບສານເຄມີ, ແລະວົງຈອນການດໍາເນີນງານຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ. The Halfmoon Part, ດ້ວຍການເຄືອບ TaC ຂອງມັນ, ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ຫນ້າເຊື່ອຖືພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂເຫຼົ່ານີ້, ປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນແລະຮັບປະກັນວ່າ substrates SiC ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະສອດຄ່ອງພາຍໃນເຕົາປະຕິກອນ.

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນແລະຂໍ້ໄດ້ປຽບ

• ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງ: ການເຄືອບ TaC ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນພິເສດ, ເຮັດໃຫ້ Halfmoon Part ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມທີ່ສຸດທີ່ມີຢູ່ໃນສະພາບແວດລ້ອມເຕົາປະຕິກອນ LPE ໂດຍບໍ່ມີການຊຸດໂຊມ.
• ຄວາມຕ້ານທານທາງເຄມີ: ຊັ້ນ TaC ປ້ອງກັນຮັບປະກັນວ່າ Halfmoon Part ຕ້ານການໂຈມຕີທາງເຄມີຈາກທາດອາຍຜິດ reactive, vapors, ແລະອົງປະກອບ corrosive ອື່ນໆທີ່ມີຢູ່ໃນຂະບວນການ epitaxy.
• ປັບປຸງຄວາມຕ້ານທານການສວມໃສ່: ຄວາມແຂງແລະຄວາມທົນທານຂອງການເຄືອບ TaC ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍປັບປຸງຄວາມຕ້ານທານຂອງອົງປະກອບຂອງການສວມໃສ່ກົນຈັກ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ຂອງການທົດແທນແລະຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງ.
• ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ: Graphite ແມ່ນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ເຮັດໃຫ້ Halfmoon Part ມີປະສິດທິພາບສູງໃນການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນໃນລະຫວ່າງການປະຕິບັດງານຂອງເຕົາປະຕິກອນ. ນີ້ຊ່ວຍຮັກສາການແຜ່ກະຈາຍຂອງອຸນຫະພູມທີ່ເປັນເອກະພາບແລະຮັບປະກັນຄຸນນະພາບການເຕີບໂຕຂອງ SiC ທີ່ສອດຄ່ອງ.
• ການອອກແບບທີ່ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້: ພາກສ່ວນ Halfmoon ສາມາດຖືກປັບແຕ່ງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງເຕົາປະຕິກອນ LPE ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ສະເຫນີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນສໍາລັບຜູ້ຜະລິດ semiconductor ແລະສະຫນອງຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ກັບລະດັບຂອງການຕັ້ງຄ່າເຕົາປະຕິກອນ.
• ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງ Crystal: ການຈັດຕໍາແຫນ່ງທີ່ຊັດເຈນແລະການຈັດຕໍາແຫນ່ງຂອງ SiC wafers ທີ່ສະຫນອງໃຫ້ໂດຍ Halfmoon Part ແມ່ນມີຄວາມຈໍາເປັນສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ. ການຫຼຸດຜ່ອນການລົບກວນກົນຈັກແລະການປົນເປື້ອນໃຫ້ແນ່ໃຈວ່າຊັ້ນ epitaxial ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນລະຫວ່າງຂະບວນການມີຂໍ້ບົກພ່ອງຫນ້ອຍທີ່ສຸດ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນການຜະລິດ Semiconductor

ສ່ວນ Halfmoon ສໍາລັບ LPE ຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນການຜະລິດ semiconductor, ໂດຍສະເພາະໃນການຜະລິດ SiC wafers ແລະຊັ້ນ epitaxial. Silicon Carbide (SiC) ແມ່ນອຸປະກອນທີ່ສໍາຄັນໃນການພັດທະນາອຸປະກອນໄຟຟ້າທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, ເຊັ່ນ: ສະຫຼັບພະລັງງານທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, ເຕັກໂນໂລຢີ LED, ແລະເຊັນເຊີທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ອົງປະກອບເຫຼົ່ານີ້ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນພະລັງງານ, ລົດຍົນ, ໂທລະຄົມ, ແລະຂະແຫນງອຸດສາຫະກໍາ, ບ່ອນທີ່ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີກວ່າຂອງ SiC, ແຮງດັນການທໍາລາຍສູງ, ແລະ bandgap ກ້ວາງເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອຸປະກອນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການ.

The Halfmoon Part ແມ່ນສໍາຄັນຕໍ່ການຜະລິດ SiC wafers ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນຕ່ໍາແລະຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການປະຕິບັດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນທີ່ອີງໃສ່ SiC. ໂດຍການຮັບປະກັນວ່າ SiC wafers ຖືກຮັກສາຢູ່ໃນທິດທາງທີ່ຖືກຕ້ອງໃນລະຫວ່າງຂະບວນການ epitaxy, Halfmoon Part ເສີມຂະຫຍາຍປະສິດທິພາບແລະຄຸນນະພາບໂດຍລວມຂອງຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ.

Semicorex Halfmoon Part ສໍາລັບ LPE, ດ້ວຍການເຄືອບ TaC ແລະພື້ນຖານ graphite, ເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນເຕົາປະຕິກອນ LPE ທີ່ໃຊ້ສໍາລັບ SiC epitaxy. ຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ແລະຄວາມທົນທານຂອງກົນຈັກເຮັດໃຫ້ມັນເປັນຜູ້ນສໍາຄັນໃນການຮັບປະກັນການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ. ໂດຍການຮັກສາຕໍາແຫນ່ງ wafer ທີ່ຊັດເຈນແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການປົນເປື້ອນ, Halfmoon Part ເສີມຂະຫຍາຍການປະຕິບັດໂດຍລວມແລະຜົນຜະລິດຂອງຂະບວນການ SiC epitaxy, ປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການຜະລິດວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ. ໃນຂະນະທີ່ຄວາມຕ້ອງການຂອງຜະລິດຕະພັນທີ່ອີງໃສ່ SiC ຍັງສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະຄວາມຍືນຍາວທີ່ສະຫນອງໂດຍ Halfmoon Part ຈະຍັງຄົງເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບຄວາມກ້າວຫນ້າຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງເຕັກໂນໂລຢີ semiconductor.