ຝຸ່ນ Graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ

Semicorex ຄວາມບໍລິສຸດສູງກຣາຟຝຸ່ນແມ່ນອຸປະກອນທີ່ສໍາຄັນໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ດ້ວຍລະດັບຄວາມບໍລິສຸດພິເສດແລະຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະສານເຄມີທີ່ເຫນືອກວ່າ, ວັດສະດຸນີ້ແມ່ນຂາດບໍ່ໄດ້ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການມາດຕະຖານການປະຕິບັດທີ່ເຂັ້ມງວດ.

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

• ຄວາມບໍລິສຸດພິເສດ: ຜົງ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງໂດຍປົກກະຕິບັນລຸປະລິມານຄາບອນເກີນ 99.9%, ຮັບປະກັນການປົນເປື້ອນຫນ້ອຍທີ່ສຸດໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ. ລະດັບຄວາມບໍລິສຸດນີ້ແມ່ນຈໍາເປັນເພື່ອຮັກສາຄວາມສົມບູນແລະຄຸນນະພາບຂອງ wafers semiconductor.
• ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ທີ່​ດີ​ເລີດ​: ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ທີ່​ດີກ​ວ່າ​ຂອງ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ການ​ເຮັດ​ໃຫ້​ການ​ແຜ່​ກະ​ຈາຍ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ເປັນ​ເອ​ກະ​ພາບ​, ທີ່​ສໍາ​ຄັນ​ໃນ​ການ​ຮັກ​ສາ​ສະ​ພາບ​ແວດ​ລ້ອມ​ການ​ຂະ​ຫຍາຍ​ຕົວ​ທີ່​ຄວບ​ຄຸມ​ສໍາ​ລັບ​ໄປ​ເຊຍ​ກັນ semiconductor​.
• ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ: ຝຸ່ນ graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງສາມາດທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມທີ່ຮຸນແຮງໂດຍບໍ່ມີການເຊື່ອມໂຊມ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບ furnaces ອຸນຫະພູມສູງທີ່ໃຊ້ໃນການຜະລິດ semiconductor.
• ສະຖຽນລະພາບທາງເຄມີ: ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ກັບປະຕິກິລິຍາເຄມີຮັບປະກັນຄວາມທົນທານແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືໃນລະຫວ່າງການສໍາຜັດກັບສະພາບທີ່ຮຸນແຮງ, ລວມທັງອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີປະຕິກິລິຍາ.
• ຂະຫນາດອະນຸພາກທີ່ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້: ມີຢູ່ໃນຂະຫນາດອະນຸພາກຕ່າງໆ, ຝຸ່ນສາມາດຖືກປັບແຕ່ງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງຂະບວນການເຕີບໂຕໄປເຊຍກັນ semiconductor ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນ Semiconductor Crystal Growth

1. SiC Crystal Growth:

ຜົງ graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊິລິໂຄນ carbide (SiC), ຂະບວນການສໍາຄັນສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ກ້າວຫນ້າ. ຝຸ່ນແມ່ນໃຊ້ໃນການຜະລິດອົງປະກອບ graphite porous, ເຊັ່ນ: crucibles ແລະ insulation, ທີ່ສະຫນັບສະຫນູນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ຄຸນນະພາບສູງ. ຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງມັນຫຼຸດຜ່ອນຄວາມບໍ່ສະອາດ, ດັ່ງນັ້ນການເສີມຂະຫຍາຍຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າແລະຄວາມຮ້ອນຂອງໄປເຊຍກັນຜົນໄດ້ຮັບ.

2. ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Photovoltaic Silicon Crystal:

ໃນອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic, ຜົງ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແມ່ນໃຊ້ໃນການຜະລິດອົງປະກອບສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊິລິໂຄນ crystal ດຽວແລະ polycrystalline. ອົງປະກອບເຫຼົ່ານີ້, ເຊັ່ນແມ່ພິມແລະເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ, ຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສອດຄ່ອງແລະຜົນຜະລິດໃນການຜະລິດຊິລິໂຄນ wafers ສໍາລັບຈຸລັງແສງຕາເວັນ.

3. ການຖິ້ມຊັ້ນ Epitaxial:

ອຸປະກອນການແມ່ນຍັງປະສົມປະສານກັບຂະບວນການ epitaxy, ບ່ອນທີ່ມີເງື່ອນໄຂຄວາມຮ້ອນແລະສານເຄມີທີ່ຊັດເຈນແມ່ນຕ້ອງການເພື່ອຂະຫຍາຍຊັ້ນຂອງວັດສະດຸ semiconductor. ຜົງ graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການຜະລິດສ່ວນປະກອບຂອງ epitaxy, ເຊັ່ນ: susceptors, ເຊິ່ງຕ້ອງການປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນແລະສານເຄມີພິເສດ.

4. insulation ຄວາມຮ້ອນທີ່ອີງໃສ່ Graphite:

ໃນເຕົາອົບທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງທີ່ໃຊ້ສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ, ຜົງ graphite ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສ້າງວັດສະດຸ insulation ທີ່ຮັກສາສະພາບແວດລ້ອມຄວາມຮ້ອນທີ່ຫມັ້ນຄົງ. ນີ້ເສີມຂະຫຍາຍປະສິດທິພາບຂະບວນການແລະຮັບປະກັນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງໄປເຊຍກັນການຂະຫຍາຍຕົວ.

ຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງ Semicorexກຣາຟຜົງໂດດເດັ່ນເນື່ອງຈາກມີຄຸນນະພາບທີ່ບໍ່ມີຕົວຕົນແລະການອອກແບບທີ່ຂັບເຄື່ອນໂດຍຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ. ຂະບວນການຜະລິດທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງພວກເຮົາຮັບປະກັນຄວາມສອດຄ່ອງ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ແລະການປັບແຕ່ງສະເພາະເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ແນ່ນອນຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor.

Semicorex ຜົງ graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງເປັນວັດສະດຸພື້ນຖານໃນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນຂອງ semiconductor, ສະເຫນີການປະຕິບັດທີ່ບໍ່ກົງກັນໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການ. ຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນ, ເຄມີ, ແລະໂຄງສ້າງພິເສດຂອງມັນຮັບປະກັນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ກ້າວຫນ້າ. ດ້ວຍຄໍາຫມັ້ນສັນຍາຂອງຕົນໃນການປະດິດສ້າງແລະຄຸນນະພາບ, Semicorex ສະຫນອງການແກ້ໄຂທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ສໍາລັບຜູ້ຜະລິດທີ່ມີຈຸດປະສົງເພື່ອບັນລຸຄວາມເປັນເລີດໃນຂະບວນການ semiconductor.