ວັດສະດຸ Graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ

ວັດສະດຸ graphite porous ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນຕົວຢ່າງໂດຍ Semicorex porous graphite, ຢືນເປັນຈຸດສູງສຸດໃນວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC (Silicon Carbide) ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ວັດສະດຸ graphite ພິເສດນີ້ໄດ້ຖືກວິສະວະກໍາໂດຍເນັ້ນໃສ່ຢ່າງລະມັດລະວັງກ່ຽວກັບຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະ porosity ເປີດພິເສດ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ສູງທີ່ສຸດສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ.

ຄຸນລັກສະນະທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງ Semicorex porous graphite ແມ່ນຢູ່ໃນຄວາມບໍລິສຸດທີ່ບໍ່ມີຕົວຕົນ, ຮັບປະກັນຄວາມບໍ່ສະອາດຫນ້ອຍທີ່ສາມາດທໍາລາຍຄວາມສົມບູນຂອງຂະບວນການຜະລິດ semiconductor. ລະດັບຄວາມບໍລິສຸດສູງນີ້ແມ່ນຈໍາເປັນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC, ຍ້ອນວ່າສິ່ງປົນເປື້ອນໃດໆສາມາດສົ່ງຜົນກະທົບທາງລົບຕໍ່ຄຸນສົມບັດທາງໄຟຟ້າແລະໂຄງສ້າງຂອງວັດສະດຸ semiconductor ຜົນໄດ້ຮັບ.

ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, Semicorex porous graphite ມີ porosity ເປີດສູງ, ເປັນລັກສະນະທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນປະສິດທິພາບແລະຄວບຄຸມ. ການເປີດ porosity ອໍານວຍຄວາມສະດວກໃນການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນຂອງການໄຫຼຂອງອາຍແກັສແລະການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນໃນລະຫວ່າງຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ, ປະກອບສ່ວນໃນການຜະລິດຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຄຸນສົມບັດເປັນເອກະພາບ.

ຄຸນນະພາບສູງສຸດຂອງວັດສະດຸຂະຫຍາຍເກີນກວ່າລັກສະນະທາງເຄມີ ແລະທາງກາຍະພາບຂອງມັນ. Semicorex porous graphite ແມ່ນ crafted meticulously ແລະປະຕິບັດເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື, ຄວາມສອດຄ່ອງ, ແລະການປະຕິບັດຂອງມັນເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ມັກສໍາລັບຜູ້ຜະລິດ semiconductor ທີ່ມີສ່ວນຮ່ວມໃນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC.