> ຂ່າວ

ຂ່າວ

ຂັ້ນຕອນຕົ້ນຕໍໃນການປຸງແຕ່ງ substrate SiC

ການປຸງແຕ່ງຂອງ substrate 4H-SiC ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍຂັ້ນຕອນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:

ຕົວກໍານົດການທີ່ສໍາຄັນຂອງຊັ້ນຍ່ອຍ Silicon Carbide (SiC).

ຂະບວນການຜະລິດ Silicon Carbide (SiC) ກວມເອົາການກະກຽມຂອງ substrate ແລະ epitaxy ຈາກດ້ານວັດສະດຸ, ປະຕິບັດຕາມດ້ວຍການອອກແບບຊິບແລະການຜະລິດ, ການຫຸ້ມຫໍ່ອຸປະກອນ, ແລະສຸດທ້າຍ, ການແຈກຢາຍໄປສູ່ຕະຫຼາດຄໍາຮ້ອງສະຫມັກລຸ່ມ. ໃນບັນດາຂັ້ນຕອນເຫຼົ່ານີ້, ການປຸງແຕ່ງວັດສະດຸຍ່ອຍແມ່ນລັກສະນະທີ່ທ້າທາຍທີ່ສຸດຂອງອຸດສາຫະກໍາ SiC. substra......

ອ່ານຕື່ມ

Silicon Carbide (SiC) Crystal Growth Furnace

ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນແມ່ນການເຊື່ອມຕໍ່ຫຼັກໃນການຜະລິດຂອງ substrates Silicon Carbide, ແລະອຸປະກອນຫຼັກແມ່ນ furnace ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ. ຄ້າຍຄືກັນກັບເຕົາອົບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມ, ໂຄງສ້າງຂອງເຕົາບໍ່ສັບສົນຫຼາຍແລະສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍເຕົາເຜົາ, ລະບົບຄວາມຮ້ອນ, ກົນໄກການສົ່ງສາຍ, ລະບົບການດູດຊືມແລ......

ອ່ານຕື່ມ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະການພັດທະນາສິ່ງທ້າທາຍຂອງອົງປະກອບ Graphite ເຄືອບ TaC

ວັດສະດຸ semiconductor bandgap ກວ້າງທີສາມ, ເຊັ່ນ Gallium Nitride (GaN) ແລະ Silicon Carbide (SiC), ແມ່ນມີຊື່ສຽງສໍາລັບການປ່ຽນ optoelectronic ພິເສດຂອງເຂົາເຈົ້າແລະຄວາມສາມາດໃນການສົ່ງສັນຍານ microwave. ວັດສະດຸເຫຼົ່ານີ້ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງ, ອຸນຫະພູມສູງ, ພະລັງງານສູງ, ແລະທົ......

ອ່ານຕື່ມ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ Silicon Carbide

Silicon carbide ມີຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຈໍານວນຫລາຍໃນອຸດສາຫະກໍາທີ່ພົ້ນເດັ່ນຂື້ນແລະອຸດສາຫະກໍາພື້ນເມືອງ. ໃນປັດຈຸບັນ, ຕະຫຼາດ semiconductor ທົ່ວໂລກໄດ້ລື່ນກາຍ 100 ຕື້ຢວນ. ຄາດວ່າຮອດປີ 2025, ຍອດຈຳໜ່າຍວັດສະດຸຜະລິດ semiconductor ໃນທົ່ວໂລກຈະບັນລຸ 39,5 ຕື້ໂດລາສະຫະລັດ, ໃນນັ້ນຕະຫລາດຊິລິຄອນຄາໄບ......

ອ່ານຕື່ມ

ເຮືອ SiC ແມ່ນຫຍັງ, ແລະຂະບວນການຜະລິດຕ່າງໆຂອງມັນແມ່ນຫຍັງ?

ເຮືອ SiC, ສັ້ນສໍາລັບເຮືອ silicon carbide, ແມ່ນອຸປະກອນເສີມທີ່ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງທີ່ໃຊ້ໃນທໍ່ furnace ເພື່ອປະຕິບັດ wafers ໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງ silicon carbide ເຊັ່ນ: ຄວາມຕ້ານທານກັບອຸນຫະພູມສູງ, ການກັດກ່ອນຂອງສານເຄມີ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ເ......

ອ່ານຕື່ມ

<...13 14 15 16 17...30 >