- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
ຂ່າວ
ການເຄືອບ TaC ດ້ວຍວິທີການ CVD
ການເຄືອບ Tantalum carbide ເປັນວັດສະດຸໂຄງສ້າງທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ, ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ, ມີຈຸດລະລາຍສູງເຖິງ 4273 ° C, ເຊິ່ງເປັນສານປະກອບຈໍານວນຫນຶ່ງທີ່ມີຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງສຸດ. ມັນມີຄຸນສົມບັດກົນໄກອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ, ການທົນທານຕໍ່ກັບການ scourin......
ອ່ານຕື່ມ
ວິທີການຂອງ AlN Crystal Growth
AlN, ເປັນວັດສະດຸ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ, ບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນແສງສະຫວ່າງສີຟ້າແລະແສງສະຫວ່າງ ultraviolet ທີ່ສໍາຄັນ, ແຕ່ຍັງເປັນອຸປະກອນການຫຸ້ມຫໍ່ທີ່ສໍາຄັນ, ການແຍກ dielectric ແລະ insulation ສໍາລັບອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກແລະວົງຈອນປະສົມປະສານ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບອຸປະກອນອຸນຫະພູມສູງແລະພະລັງງານສູງ. . ນອກຈາກນັ້ນ, A......
ອ່ານຕື່ມ
TaC Coating Crucible ສໍາລັບ AlN Crystal Growth
ການຜະລິດທີ່ສາມຂອງວັດສະດຸ semiconductor AlN ເປັນຂອງ semiconductor bandgap ໂດຍກົງ, bandwidth ຂອງ 6.2 eV, ມີ conductivity ຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄວາມຕ້ານທານ, ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງພາກສະຫນາມ breakdown, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີແລະຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນແສງສະຫວ່າງສີຟ້າທີ່ສໍາຄັນ, ວັດສະດຸ ultraviolet. , ຫ......
ອ່ານຕື່ມ
ການເຄືອບ Tantalum carbide ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor
ການພັດທະນາ LEDs ສີຟ້າແລະ UV ທີ່ມີພະລັງງານສູງໄດ້ເຮັດໃຫ້ການສ້າງໂທລະພາບ LED ເຕັມສີ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລົດຍົນ LED ສີຂາວແລະແສງສະຫວ່າງພາຍໃນປະເທດ. LEDs ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນອີງໃສ່ Gallium Nitride, ເຊິ່ງຖືກຝາກໄວ້ໃນ wafers substrate ສະຫນັບສະຫນູນໂດຍ CVD SiC-coated graphite susceptor ໂດຍໃຊ້ຂະບວນການ MOCVD.
ອ່ານຕື່ມ
