- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
ຂ່າວຂອງບໍລິສັດ
ຂໍ້ດີແລະຂໍ້ເສຍຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ Gallium Nitride (GaN).
ໃນຂະນະທີ່ໂລກຊອກຫາໂອກາດໃຫມ່ໃນ semiconductors, gallium nitride ຍັງສືບຕໍ່ໂດດເດັ່ນເປັນຜູ້ສະຫມັກທີ່ມີທ່າແຮງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ພະລັງງານແລະ RF ໃນອະນາຄົດ. ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ສໍາລັບຜົນປະໂຫຍດທັງຫມົດທີ່ມັນສະເຫນີ, ມັນຍັງປະເຊີນກັບສິ່ງທ້າທາຍໃຫຍ່; ບໍ່ມີຜະລິດຕະພັນປະເພດ P (P-type). ເປັນຫຍັງ GaN ຈຶ່ງຖືກຍົກໃຫ້ເປັນວັດສະດຸ semic......
ອ່ານຕື່ມ
ຂໍແນະນຳ Gallium Oxide(Ga2O3)
Gallium oxide (Ga2O3) ເປັນອຸປະກອນ " semiconductor bandgap ultra-wide" ໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ. semiconductors ultra-wide bandgap ຕົກຢູ່ໃນປະເພດຂອງ " semiconductors ຮຸ່ນທີສີ່," ແລະເມື່ອປຽບທຽບກັບ semiconductors ຮຸ່ນທີສາມເຊັ່ນ silicon carbide (SiC) ແລະ gallium nitride (GaN), gallium oxide ມີຄວາມກວ້......
ອ່ານຕື່ມ
graphitising ແມ່ນຫຍັງ?
Graphitising ແມ່ນຂະບວນການຂອງການປ່ຽນຖ່ານທີ່ບໍ່ແມ່ນຖ່ານຫີນກາຟິກເປັນຖ່ານກາຟິກດ້ວຍໂຄງສ້າງປົກກະຕິສາມມິຕິລະດັບ graphite ໂດຍການປິ່ນປົວຄວາມຮ້ອນດ້ວຍອຸນຫະພູມສູງ, ເຮັດໃຫ້ການນໍາໃຊ້ຢ່າງເຕັມທີ່ຂອງຄວາມຮ້ອນຕ້ານໄຟຟ້າເພື່ອຄວາມຮ້ອນຂອງວັດສະດຸຖ່ານເປັນ 2300 ~ 3000 ℃, ແລະການຫັນເປັນຖ່ານ. ມີໂຄງສ້າງຊັ້ນ chaotic amorphous ເຂົ......
ອ່ານຕື່ມ
Porous Graphite ສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ Crystal SiC ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງໂດຍວິທີການ PVT
Silicon Carbide (SiC) ໄດ້ອອກມາເປັນວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນໃນພາກສະຫນາມຂອງເທກໂນໂລຍີ semiconductor, ສະເຫນີຄຸນສົມບັດພິເສດທີ່ເຮັດໃຫ້ມັນມີຄວາມຕ້ອງການສູງສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກແລະ optoelectronic ຕ່າງໆ. ການຜະລິດໄປເຊຍກັນ SiC ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແມ່ນສໍາຄັນສໍາລັບການກ້າວຫນ້າທາງດ້ານຄວາມສາມາດຂອງອຸປະກອນເຊັ່ນ: ເຄື່ອງໄຟ......
ອ່ານຕື່ມ
