PBN Electrostatic Chuck

ຄຸນສົມບັດວັດສະດຸຂອງPBNChuck ໄຟຟ້າສະຖິດ

ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມແຮງຂອງ Dielectric

ໄດ້PBNElectrostatic Chuck ແມ່ນມີຊື່ສຽງສໍາລັບການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງພິເສດ, ລັກສະນະທີ່ເປັນຈຸດສໍາຄັນໃນຂະບວນການຜະລິດ semiconductor. Pyrolytic Boron Nitride (PBN), ວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ໃນການກໍ່ສ້າງຂອງ chuck, ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານສູງກວ່າເຊລາມິກທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປທີ່ສຸດ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບການຮັກສາແຮງດັນ chuck Johnsen-Rahbek (J-R) ສູງເຖິງ 1050 ° C. ຄວາມຕ້ານທານສູງນີ້, ບວກໃສ່ກັບຄວາມເຂັ້ມແຂງ dielectric ສູງ, ຮັບປະກັນວ່າການທໍາລາຍໄຟຟ້າແມ່ນຖືກປ້ອງກັນຢ່າງມີປະສິດທິພາບເຖິງແມ່ນວ່າພາຍໃຕ້ຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງ, ດັ່ງນັ້ນການເພີ່ມຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືໃນການດໍາເນີນງານຂອງ chuck.

ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ອາການຊ໊ອກ

ໂຄງສ້າງຂອງເສັ້ນດ່າງຫົກຫລ່ຽມຂອງ PBN, ກະກຽມຜ່ານການລະບາຍອາຍຂອງສານເຄມີທີ່ອຸນຫະພູມເກີນ 1500 ° C, ປະກອບສ່ວນໃຫ້ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນແລະການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກ. ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງພາຍໃນPBNElectrostatic Chuck ເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດບັນລຸລະດັບຄວາມຮ້ອນຂອງ wafer ທີ່ສອດຄ່ອງທີ່ມີຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີຂອງ 1.1-1.5% ໃນອຸນຫະພູມ 600-800 ° C. ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, chuck ທີ່ອີງໃສ່ PBN ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນແລະມະຫາຊົນຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ, ເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດບັນລຸ 600 ° C ໃນຄວາມໄວ ramping ຢ່າງໄວວາຂອງ 23 ° C / ວິນາທີໂດຍບໍ່ມີຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການແຕກຫຼື delamination.

ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຫຼາຍເຂດທີ່ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້

PBN Electrostatic Chuck ແມ່ນສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ສູງ, ມີຄວາມສາມາດໃນການເຮັດຄວາມຮ້ອນຫຼາຍເຂດທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ຄວບຄຸມອຸນຫະພູມສູງສຸດ. ລະດັບການປັບແຕ່ງນີ້ຮັບປະກັນວ່າແຕ່ລະ chuck ສາມາດຖືກປັບແຕ່ງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງລູກຄ້າສ່ວນບຸກຄົນ, ສະຫນອງການແກ້ໄຂທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປຸງແຕ່ງ semiconductor ຕ່າງໆ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງPBNChuck ໄຟຟ້າສະຖິດ

Ion Implantation ແລະ Wafer Handling

PBN Electrostatic Chuck ແມ່ນອຸປະກອນການຈັດການ wafer ທີ່ຕ້ອງການໃນຂະບວນການປູກຝັງ ion. ຄວາມສາມາດໃນການຖື wafers ຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມເກີນ 1000 ° C ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນຫນຶ່ງໃນ chucks electrostatic ທີ່ຫຼາກຫຼາຍທີ່ສຸດໃນຕະຫຼາດ. ຄວາມຍືດຫຍຸ່ນນີ້ໄດ້ຖືກປັບປຸງຕື່ມອີກໂດຍຄວາມສາມາດໃນການຮັກສາ wafers ພາຍໃນຂອບເຂດອຸນຫະພູມທີ່ແຫນ້ນຫນາ, ຍ້ອນອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນຫຼາຍເຂດທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ.

ການປູກຝັງ Ion Silicon Carbide

ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະເພາະຂອງ implantation SiC, ໄດ້PBNElectrostatic Chuck ສະຫນອງການແກ້ໄຂທີ່ເປັນໄປໄດ້ຕໍ່ກັບສິ່ງທ້າທາຍຂອງການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ wafer ແລະການຈັດການ. ຄວາມສາມາດສອງດ້ານຂອງມັນ, ເຊິ່ງລວມມີແຮງດັນສູງ, ພະລັງງານຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ແລະການຕອບສະຫນອງໄວ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການແກ້ໄຂບັນຫາຄວາມຕ້ອງການສະລັບສັບຊ້ອນຂອງ implantation SiC.

ການຜະລິດ semiconductor

PBN Electrostatic Chuck ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການຜະລິດ semiconductor, ບ່ອນທີ່ການຈັດການ wafer ທີ່ຊັດເຈນແລະການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມເປັນສິ່ງຈໍາເປັນ. ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນສູງຂອງມັນແລະຄວາມສາມາດໃນການເລັ່ງອຸນຫະພູມຢ່າງໄວວາເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບຂະບວນການ semiconductor ກ້າວຫນ້າທີ່ຕ້ອງການການຄຸ້ມຄອງອຸນຫະພູມທີ່ເຄັ່ງຄັດແລະວົງຈອນຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາ.