ຜະລິດຕະພັນ

Semicorex SiC porous debonding chucks ເຊລາມິກແມ່ນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນທີ່ຖືກອອກແບບມາເປັນພິເສດສໍາລັບການດູດຊຶມແລະການສ້ອມແຊມຂອງ wafers ultra-thin ໃນການຜະລິດ semiconductor ກ້າວຫນ້າ. Semicorex ມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະສະເຫນີເຄື່ອງປັ້ນດິນເຜົາ SiC porous ທີ່ມີເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ມີຄຸນະພາບເປັນຜູ້ນໍາຕະຫຼາດສໍາລັບລູກຄ້າທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງພວກເຮົາ.

Semicorex SiC porous chucks ສູນຍາກາດເຊລາມິກແມ່ນອຸປະກອນເຊລາມິກທີ່ມີຄວາມຊໍານິຊໍານານສູງທີ່ນໍາໃຊ້ໂຄງສ້າງພິເສດຂອງວັດສະດຸເຊລາມິກ silicon carbide porous ເພື່ອບັນລຸການດູດຊຶມສູນຍາກາດຂອງ workpieces. ການນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີການຜະລິດທີ່ທັນສະໄຫມແລະປະສົບການການຜະລິດທີ່ແກ່ຍາວ, Semicorex ມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະສະຫນອງລູກຄ້າທີ່ມີຄຸນຄ່າຂອງພວກເຮົາດ້ວຍເຄື່ອງດູດຝຸ່ນ SiC porous ceramic ທີ່ມີຄຸນນະພາບຊັ້ນນໍາ.

ເບກເບກຄາບອນ-ເຊລາມິກ Semicorex CCB ແມ່ນອົງປະກອບເບຣກທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງ, ເຊິ່ງເປັນໂຊລູຊັ່ນທີ່ດີທີ່ສຸດທີ່ອອກແບບມາສະເພາະສຳລັບລະບົບເບຣກຊັ້ນສູງ. ຂໍຂອບໃຈກັບເຕັກໂນໂລຢີການຜະລິດທີ່ມີປະສົບການແລະຂະບວນການ, Semicorex ຈະສະຫນອງປະສົບການເບກທີ່ປອດໄພແລະເຊື່ອຖືໄດ້.

ເຄື່ອງດູດຝຸ່ນເຊລາມິກ Semicorex SiC ແມ່ນອຸປະກອນດູດຊືມສູນຍາກາດທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ຜະລິດຈາກຊິລິໂຄນຄາໄບເຊລາມິກ, ເຊິ່ງສາມາດເຮັດໃຫ້ເຄື່ອງຊັກຜ້າ semiconductor ມີຄວາມຊັດເຈນແລະຫມັ້ນຄົງຢູ່ໃນຕໍາແຫນ່ງສະເພາະໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງແລະການກວດກາ. ການ​ນໍາ​ໃຊ້ Semicorex SiC chucks ສູນ​ຍາ​ກາດ ceramic ສາ​ມາດ​ຊ່ວຍ​ປັບ​ປຸງ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ການ​ຜະ​ລິດ semiconductor​, ເສີມ​ຂະ​ຫຍາຍ​ການ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ຂອງ​ອຸ​ປະ​ກອນ semiconductor​, ແລະ​ຫຼຸດ​ຜ່ອນ​ຕົ້ນ​ທຶນ​ການ​ຜະ​ລິດ​ໂດຍ​ລວມ​.

ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ Semicorex Graphite ແມ່ນອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນທີ່ທົນທານຕໍ່ວິສະວະກໍາທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະຄວາມຕ້ອງການອຸນຫະພູມສູງຂອງເຕົາເຜົາ semiconductor, ເຫມາະໂດຍສະເພາະສໍາລັບຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງ MOCVD, CVD, ແລະ SiC ໄປເຊຍກັນ. ການເປັນຄູ່ຮ່ວມງານກັບ Semicorex ສະຫນອງການແກ້ໄຂຄວາມຮ້ອນແບບເປັນແບບພິເສດທີ່ປະສົມປະສານກັບ graphite isostatic ຊັ້ນສູງກັບເຕັກໂນໂລຢີການເຄືອບທີ່ກ້າວຫນ້າ, ຮັບປະກັນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນຊັ້ນນໍາຂອງອຸດສາຫະກໍາ, ປະສິດທິພາບການປົນເປື້ອນສູນ, ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການເປັນເຈົ້າຂອງທັງຫມົດ (TCO).*

Semicorex Porous Tantalum Carbide Rings ແມ່ນອົງປະກອບ refractory ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ອອກແບບມາໂດຍສະເພາະສໍາລັບຂະບວນການຂົນສົ່ງ Vapor ທາງດ້ານຮ່າງກາຍ (PVT) ຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຜລຶກ Silicon Carbide (SiC), ປະກອບດ້ວຍໂຄງສ້າງ sintered monolithic ທີ່ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນພິເສດແລະການ permeability ອາຍແກັສຄວບຄຸມ.*