Semiconductor-Grade Quartz Crucibles

ເກຣດ Semicorex semiconductor-gradecrucibles quartzຖືກຜະລິດໂດຍໃຊ້ຂະບວນການລະລາຍຂອງເສັ້ນໂຄ້ງໄຟຟ້າ. ໂຄງສ້າງປະສົມສາມຊັ້ນຂອງພວກມັນປະກອບດ້ວຍຊັ້ນໃນຄວາມໂປ່ງໃສທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຊັ້ນການປ່ຽນລະຫວ່າງກາງ, ແລະຊັ້ນປະສົມຟອງຊັ້ນນອກ. ຊັ້ນເຫຼົ່ານີ້ເຮັດວຽກ synergistically ເພື່ອສ້າງຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກທີ່ດີກວ່າ, ປະສິດທິພາບການຈັດການຄວາມຮ້ອນທີ່ດີທີ່ສຸດ, ແລະປະສິດທິພາບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ.

ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງ Semiconductor-Grade Quartz Crucibles

1. ຄວາມບໍລິສຸດສູງ:

Semiconductorex quartz crucibles ລະດັບ semiconductor ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ບໍ່ສາມາດປຽບທຽບໄດ້, ມີເນື້ອໃນ impurity (ເຊັ່ນ: Al, Fe, Ca, Mg) ຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດໃນລະດັບ ppm ຫຼືແມ້ກະທັ້ງ ppb. ການຄວບຄຸມຄວາມບໍລິສຸດນີ້ມີປະສິດທິຜົນຫຼີກເວັ້ນການປົນເປື້ອນ impurity ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊິລິໂຄນ monocrystalline, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງປົກປ້ອງປະສິດທິພາບໄຟຟ້າແລະຜົນຜະລິດຂອງ semiconductor wafers ຊິລິຄອນຈາກແຫຼ່ງ.

2. ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ

ເກຣດ Semicorex semiconductor-gradequartzcrucibles ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນສະພາບແວດລ້ອມອຸນຫະພູມສູງ 1100 ℃ແລະສາມາດທົນໃນໄລຍະສັ້ນອຸນຫະພູມສູງຂອງ 1450 ℃. ຂໍຂອບໃຈກັບຄຸນສົມບັດນີ້, Semicorex semiconductor-grade quartz crucibles ສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການດ້ານອຸນຫະພູມສູງຂອງການຜະລິດ semiconductor ຢ່າງເຕັມສ່ວນ, ຫຼີກເວັ້ນການດຶງໄປເຊຍກັນຄວາມລົ້ມເຫຼວທີ່ເກີດຈາກການຜິດປົກກະຕິຂອງອຸນຫະພູມສູງຫຼືອ່ອນລົງ.

3. ສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນພິເສດ

Semicorex semiconductor-grade quartz crucibles ມີຄ່າສໍາປະສິດຕ່ໍາຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາສາມາດຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງໂຄງສ້າງໃນລະຫວ່າງການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຫຼືຄວາມເຢັນຢ່າງໄວວາແລະຫຼຸດຜ່ອນການແຕກຫຼືການຜິດປົກກະຕິເນື່ອງຈາກຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນ. ນອກຈາກນັ້ນ, ໄດ້ຮັບຜົນປະໂຫຍດຈາກການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດຂອງພວກເຂົາ, Semicorex semiconductor-grade quartz crucibles ສາມາດຊ່ວຍບັນລຸການແຜ່ກະຈາຍຂອງພາກສະຫນາມອຸນຫະພູມທີ່ເປັນເອກະພາບແລະຫມັ້ນຄົງ, ດັ່ງນັ້ນການປັບປຸງຄຸນນະພາບແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງ rods monocrystalline silicon.

4. ເນື້ອໃນຟອງຕ່ໍາໃນຊັ້ນໃນ

ຊັ້ນໃນໂປ່ງໃສຂອງ Semicorex semiconductor-grade crucibles quartz ສາມາດບັນລຸຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຟອງຕ່ໍາທີ່ສຸດໂດຍຜ່ານການຄວບຄຸມທີ່ເຂັ້ມງວດ. ນີ້ສາມາດຫຼຸດຜ່ອນການແຊກແຊງຂອງການຂະຫຍາຍຟອງແລະການ rupture ໃນລະຫວ່າງການປະຕິບັດງານກ່ຽວກັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ monocrystalline silicon, ດັ່ງນັ້ນການຫຼຸດຜ່ອນອັດຕາການຜິດປົກກະຕິຂອງ rods monocrystalline silicon.