crucibles grumibles SIC-Coated

ຕິດຕັ້ງຢູ່ສູນກາງຂອງເຕົາໄຟທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ Crystal Crystal Crystal Crystalເຄືອບ sic-coatedCrucibles Crucibles ເຮັດວຽກຮ່ວມກັບເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ, ເຄື່ອງຊັກຜ້າຄວາມຮ້ອນ, ທໍ່ແນະນໍາ, ແລະ shafts crucible ເພື່ອປະກອບເປັນລະບົບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນທີ່ສົມບູນ. ລະບົບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນນີ້ສາມາດຮັກສາສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງທີ່ມີຄວາມຈໍາເປັນໃນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Crystal.

ການຜະລິດຂອງ sic-coatedCrucibles Graphiteປົກກະຕິແລ້ວເລີ່ມຕົ້ນດ້ວຍການນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີເງິນຝາກທີ່ມີສານເຄມີທີ່ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານການຄ້າເພື່ອຝາກຄວາມຫນາແຫນ້ນCarbide Siliconການເຄືອບຢູ່ດ້ານຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນທີ່ມີຮູບພາບ. ປະກອບດ້ວຍຄວາມບໍລິສຸດທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງພະຍາແຖCrucibles Crucibles ເຮັດວຽກຮ່ວມກັບເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ, ເຄື່ອງຊັກຜ້າຄວາມຮ້ອນ, ທໍ່ແນະນໍາ, ແລະ shafts crucible ເພື່ອປະກອບເປັນລະບົບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນທີ່ສົມບູນ. ລະບົບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນນີ້ສາມາດຮັກສາສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງທີ່ມີຄວາມຈໍາເປັນໃນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Crystal.

ວິທີການ Czochralski ແມ່ນເຕັກນິກອຸດສາຫະກໍາທົ່ວໄປສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ Crystal. ເຕັກນິກນີ້ຈະໃຊ້ກໍາລັງແຮງຂອງສູນກາງໃນເວລາທີ່ຖືກຄຶງໃນລະຫວ່າງການຜະລິດໄປເຊຍກັນ. ຄວາມເຂັ້ມແຂງທີ່ເຫນືອກວ່າທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງແລະຄວາມເຄັ່ງຄັດຂອງ Crucibles Graphite Sic-coated ໃນລະຫວ່າງການຫມູນວຽນການຜະລິດຄວາມໄວສູງ, ມີປະສິດຕິຜົນທີ່ມີຄວາມເສຍຫາຍ ນອກຈາກນັ້ນ, crucibles ຕ້ອງໄດ້ຮັບການປັບປຸງການເຫນັງຕີງຂອງອຸນຫະພູມໃນໄລຍະເວລາສັ້ນໆຂອງເວລານີ້. ຂໍຂອບໃຈສໍາລັບຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງພວກມັນ, crucibles gructibles ຂອງ SIC

ພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງ, crucibles gruminite sic ຈະປະກອບເປັນຊັ້ນປົກປ້ອງ silicon carbide. ຊັ້ນປ້ອງກັນນີ້ສາມາດແຍກສະຖານະພາບຂອງກາຟິກຈາກ Silicon Vapor ແລະ Silicon molic, ເຮັດໃຫ້ອັດຕາການເສື່ອມຂອງ graphite ແລະຄວາມສ່ຽງດ້ານການປົນເປື້ອນໄປເຊຍກັນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການປອກເປືອກ. ເພາະສະນັ້ນ, crucibles Graphite ເຄືອບ Semicorex ສາມາດຕ້ານທານກັບສະພາບແວດລ້ອມການກັດກ່ອນອຸນຫະພູມສູງໃນໄລຍະເວລາທີ່ໄດ້ຂະຫຍາຍ. ນີ້ຮັບປະກັນສ່ວນປະກອບໄປເຊຍທີ່ສອດຄ່ອງແລະຫຼຸດຜ່ອນອັດຕາທີ່ຂາດຕົກຮັບ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການຜະລິດໄປເຊຍກັນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ.