8 ນິ້ວ N-type SiC Wafer

Semicorex ມີສາຍຜະລິດຕະພັນ wafer silicon carbide (SiC) ຄົບຖ້ວນ, ລວມທັງ 4H ແລະ 6H substrates ທີ່ມີ N-type, P-type ແລະ wafers ເຄິ່ງ insulating ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ພວກເຂົາສາມາດຢູ່ກັບຫຼືບໍ່ມີ epitaxy.

8 Inch N-type SiC Wafer ຂອງພວກເຮົາແມ່ນປະເພດຂອງ wafer ຄຸນນະພາບສູງທີ່ຜະລິດຈາກໄປເຊຍກັນດຽວຂອງ silicon carbide ທີ່ມີ doping N-type, ເຊິ່ງຂັດສອງເທົ່າ. ອອກແບບມາເພື່ອນໍາໃຊ້ໃນຂອບເຂດກ້ວາງຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ, ຈາກເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານກັບອຸປະກອນຄວາມຖີ່ສູງ, wafer ນີ້ແມ່ນຢູ່ໃນແຖວຫນ້າຂອງການປະຕິວັດ silicon carbide.

ວັດສະດຸ SiC ທີ່ໃຊ້ໃນ wafer ນີ້ປະກອບດ້ວຍການນໍາຄວາມຮ້ອນພິເສດ, ເຮັດໃຫ້ການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນປະສິດທິພາບແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ. ຄຸນນະສົມບັດນີ້ຮັບປະກັນຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະອາຍຸຍືນຂອງອຸປະກອນທີ່ເຮັດວຽກຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ, ເຮັດໃຫ້ມັນສົມບູນແບບສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການທີ່ຄວາມທົນທານແມ່ນສໍາຄັນ.

ນອກຈາກນັ້ນ, 8 Inch N-type SiC Wafer ສະຫນອງຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດ, ເຊັ່ນ: ການເຄື່ອນທີ່ຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການສູງແລະການສູນເສຍພະລັງງານຕ່ໍາ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ຄວາມສາມາດໃນການຈັດການພະລັງງານທີ່ດີຂຶ້ນແລະການບໍລິໂພກພະລັງງານຫຼຸດລົງ. ຄຸນລັກສະນະເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ດີເລີດສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, ລວມທັງ inverters, converters, ແລະ motor drives, ບ່ອນທີ່ປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແມ່ນສໍາຄັນທີ່ສຸດ.