Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible

Semicorex Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຜະລິດໂດຍ graphite, ເຊິ່ງເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ແລະຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ. ເພື່ອເພີ່ມຄຸນສົມບັດຂອງມັນແລະຍືດອາຍຸຂອງມັນໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, graphite ໄດ້ຖືກເຄືອບດ້ວຍ Tantalum Carbide (TaC). Tantalum Carbide ຖືກເລືອກສໍາລັບຄວາມແຂງພິເສດຂອງມັນ, ຈຸດລະລາຍສູງ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ, ໂດຍສະເພາະໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ວັດສະດຸອື່ນໆອາດຈະຊຸດໂຊມຫຼືປະຕິກິລິຍາທາງລົບ. ການປະສົມປະສານຂອງ graphite ແລະ TaC ນີ້ສະຫນອງ crucible ທີ່ສາມາດທົນກັບເງື່ອນໄຂທີ່ຮຸນແຮງທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC, ສະເຫນີທັງຄວາມທົນທານແລະການປະຕິບັດ.

ການອອກແບບຂອງ Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible ແມ່ນປັດໃຈອື່ນທີ່ກໍານົດມັນອອກຈາກກັນ. ບໍ່ເຫມືອນກັບ crucibles ສິ້ນແບບດັ້ງເດີມ, ຮູບແບບນີ້ມີຮູບແບບການແບ່ງສ່ວນ, ໂດຍປົກກະຕິແບ່ງອອກເປັນສາມສ່ວນແຍກຕ່າງຫາກ. ການອອກແບບສາມສ່ວນນີ້, ມັກຈະເອີ້ນວ່າ "ສາມກີບດອກ" ຫຼື "ສາມແສກ" crucible, ສະຫນອງຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼາຍ. ກ່ອນອື່ນ ໝົດ, ມັນຊ່ວຍໃຫ້ການຈັດການແລະການປະກອບງ່າຍຂຶ້ນ, ໂດຍສະເພາະໃນສະຖານະການທີ່ crucible ຕ້ອງໄດ້ຮັບການໂຍກຍ້າຍອອກເລື້ອຍໆຫຼືປ່ຽນແທນ. ການອອກແບບ segmented ຍັງອໍານວຍຄວາມສະດວກໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມເຢັນເປັນເອກະພາບຫຼາຍ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຂອງ gradients ຄວາມຮ້ອນທີ່ສາມາດນໍາໄປສູ່ຄວາມກົດດັນແລະຄວາມລົ້ມເຫຼວທີ່ອາດເກີດຂຶ້ນຂອງ crucible ຫຼືໄປເຊຍກັນການຂະຫຍາຍຕົວ.

ການອອກແບບແບ່ງສ່ວນຂອງ Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible ຍັງໃຫ້ຜົນປະໂຫຍດທາງດ້ານການບໍາລຸງຮັກສາແລະການທົດແທນ. ພາກສ່ວນສ່ວນບຸກຄົນສາມາດທົດແທນໄດ້ຕາມຄວາມຕ້ອງການ, ແທນທີ່ຈະມີການທົດແທນ crucible ທັງຫມົດ. ວິທີການ modular ນີ້ບໍ່ພຽງແຕ່ຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ແຕ່ຍັງຫຼຸດຜ່ອນການ downtime, ເນື່ອງຈາກວ່າການບໍາລຸງຮັກສາສາມາດປະຕິບັດໄດ້ປະສິດທິພາບຫຼາຍ. ນອກຈາກນັ້ນ, ການອອກແບບແບ່ງສ່ວນຊ່ວຍໃຫ້ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຫຼາຍຂຶ້ນໃນການນໍາໃຊ້ຂອງ crucible, ຍ້ອນວ່າພາກສ່ວນຕ່າງໆສາມາດຖືກປັບແຕ່ງຕາມຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຫຼືປ່ຽນເປັນເອກະລາດຖ້າເສຍຫາຍ.

ໃນສະພາບການຂອງການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC, ການເຄືອບ Tantalum Carbide Graphite Crucible ມີບົດບາດສໍາຄັນ. ໄປເຊຍກັນ Silicon Carbide ແມ່ນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄວາມແຂງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະ bandgap ກວ້າງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ພະລັງງານສູງ, ຄວາມຖີ່ສູງ, ແລະອຸນຫະພູມສູງ. ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ຂະບວນການເຕີບໂຕສໍາລັບໄປເຊຍກັນ SiC ແມ່ນສະລັບສັບຊ້ອນແລະຕ້ອງການການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນກ່ຽວກັບອຸນຫະພູມແລະສະພາບແວດລ້ອມ. ການເຄືອບ Tantalum Carbide Graphite Crucible ຊ່ວຍໃຫ້ບັນລຸເງື່ອນໄຂເຫຼົ່ານີ້ໂດຍການສະຫນອງສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະ inert ທີ່ສາມາດທົນກັບອຸນຫະພູມສູງທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການ sublimation SiC ແລະການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ.

Semicorex Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible ເປັນຕົວແທນຂອງຄວາມກ້າວຫນ້າທີ່ສໍາຄັນໃນເຄື່ອງມືທີ່ມີຢູ່ສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ SiC. ການປະສົມປະສານຂອງວັດສະດຸທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງແລະການອອກແບບນະວັດກໍາເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນຂະບວນການຜະລິດ semiconductor. ໂດຍການສະຫນອງສະພາບແວດລ້ອມທີ່ທົນທານ, ຫມັ້ນຄົງ, ແລະປະສິດທິພາບສໍາລັບການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນ, crucible ນີ້ຊ່ວຍຮັບປະກັນການຜະລິດໄປເຊຍກັນ SiC ຄຸນນະພາບສູງ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບການຜະລິດຕໍ່ໄປຂອງອຸປະກອນ semiconductor.