Tantalum Carbide Crucible

Semicorex Tantalum Carbide Crucible ແມ່ນຜະລິດຢ່າງພິຖີພິຖັນຈາກກຣາຟ, ເຊິ່ງຫຼັງຈາກນັ້ນຖືກເຄືອບດ້ວຍ tantalum carbide (TaC), ການປະສົມປະສານທີ່ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຫນືອກວ່າໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມຕ້ອງການທາງເຄມີຂອງການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນ SiC.

Tantalum carbide ແມ່ນວັດສະດຸເຊລາມິກ refractory ທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄວາມແຂງພິເສດ, ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ແລະຄວາມສາມາດໃນການຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງໃນອຸນຫະພູມສູງທີ່ສຸດ. ໂດຍການເຄືອບ graphite crucible ກັບ TaC, Tantalum Carbide Crucible ສືບທອດຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນປະໂຫຍດເຫຼົ່ານີ້, ເສີມຂະຫຍາຍປະສິດທິພາບແລະຊີວິດຂອງຕົນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ການເຄືອບ TaC ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນສິ່ງກີດຂວາງປ້ອງກັນ, ປ້ອງກັນບໍ່ໃຫ້ graphite ປະຕິກິລິຍາກັບວັດສະດຸ SiC ຫຼືອາຍແກັສອື່ນໆທີ່ມີຢູ່ໃນຂະບວນການເຕີບໂຕ. ນີ້ຮັບປະກັນວ່າ crucible ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງຕົນແລະບໍ່ແນະນໍາການປົນເປື້ອນໃດໆທີ່ສາມາດປະນີປະນອມຄຸນນະພາບຂອງໄປເຊຍກັນ SiC.

Tantalum Carbide Crucible ມີຄວາມສາມາດທີ່ຈະປະຕິບັດງານຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC. ໄປເຊຍກັນ SiC ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວແມ່ນການຂະຫຍາຍຕົວຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມເກີນ 2000 ° C, ແລະການຮັກສາອຸນຫະພູມສູງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແມ່ນສໍາຄັນສໍາລັບການຜະລິດໄປເຊຍກັນຄຸນນະພາບສູງ. ກຣາຟຕີ້ທີ່ເຄືອບ TaC ສາມາດທົນກັບສະພາບທີ່ຮ້າຍກາດເຫຼົ່ານີ້ໄດ້ໂດຍບໍ່ມີການຜິດປົກກະຕິຫຼືຊຸດໂຊມ, ສະຫນອງສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຫມັ້ນຄົງສໍາລັບຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ. ຄວາມຫມັ້ນຄົງນີ້ເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການບັນລຸຂະຫນາດໄປເຊຍກັນທີ່ຕ້ອງການ, ຄວາມບໍລິສຸດ, ແລະຄຸນສົມບັດໂຄງສ້າງທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບການນໍາໃຊ້ semiconductor.

Tantalum carbide crucible ມີຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ສານເຄມີທີ່ເຂັ້ມແຂງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC. ຕະຫຼອດຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່, ທາດອາຍຜິດຕ່າງໆແລະຊະນິດທີ່ມີປະຕິກິລິຍາຖືກ ນຳ ສະ ເໜີ ເພື່ອຊ່ວຍໃນການສ້າງໄປເຊຍກັນ SiC. ສະພາບແວດລ້ອມເຫຼົ່ານີ້ສາມາດເປັນ corrosive ສູງ, posing ຄວາມສ່ຽງຕໍ່ຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງ crucible ໄດ້. ການເຄືອບ TaC ມີປະສິດຕິຜົນປົກປ້ອງ graphite ຈາກອົງປະກອບ corrosive ເຫຼົ່ານີ້, ຮັບປະກັນວ່າ crucible ຍັງ intact ແລະເຮັດວຽກໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການ. ຄວາມຕ້ານທານກັບການໂຈມຕີທາງເຄມີນີ້ບໍ່ພຽງແຕ່ prolongs ຊີວິດຂອງ crucible ໄດ້, ແຕ່ຍັງປະກອບສ່ວນໃຫ້ປະສິດທິພາບໂດຍລວມແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍປະສິດທິພາບຂອງການດໍາເນີນງານການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນໄດ້.