ສ່ວນ Tantalum Carbide Halfmoon

Semicorex Tantalum Carbide Halfmoon Part ແມ່ນປະກອບດ້ວຍການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ໃນໄລຍະ substrate graphite, ສົມທົບຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນປະໂຫຍດຂອງທັງສອງວັດສະດຸເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບແລະຄວາມທົນທານໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຕ້ອງການ.

Tantalum carbide ແມ່ນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄວາມແຂງພິເສດແລະຈຸດລະລາຍສູງ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ມັນເປັນວັດສະດຸທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມທີ່ຮຸນແຮງ. ຈຸດລະລາຍຂອງມັນເກີນ 3880 ອົງສາ C, ເຮັດໃຫ້ມັນຢູ່ໃນບັນດາທາດປະສົມທີ່ສູງທີ່ສຸດ. ລັກສະນະນີ້ຮັບປະກັນວ່າ Tantalum Carbide Halfmoon Part ສາມາດທົນຕໍ່ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນທີ່ເຄັ່ງຄັດທີ່ພົບໃນຂະບວນການ semiconductor epitaxy ໂດຍບໍ່ມີການທໍາລາຍຫຼືສູນເສຍຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງຂອງມັນ. ການປະສົມປະສານຂອງການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງ graphite ແລະຄວາມຢືດຢຸ່ນຂອງອຸນຫະພູມສູງຂອງ tantalum carbide ສ້າງຜົນກະທົບທີ່ປະສົມປະສານ, ເສີມຂະຫຍາຍການປະຕິບັດໂດຍລວມຂອງ Tantalum Carbide Halfmoon Part.

ໃນຂະບວນການ epitaxy semiconductor, ວັດສະດຸຖືກຝາກໄວ້ໃນຊັ້ນໃຕ້ດິນເພື່ອສ້າງເປັນຊັ້ນບາງໆ, ຜລຶກ. ຂະບວນການນີ້ແມ່ນມີຄວາມອ່ອນໄຫວສູງຕໍ່ການປົນເປື້ອນແລະຕ້ອງການອົງປະກອບທີ່ສາມາດຮັກສາຄວາມບໍລິສຸດຂອງພວກເຂົາພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ຮຸນແຮງ. ສະຖຽນລະພາບທາງເຄມີຂອງ Tantalum carbide ແລະຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນໃຫ້ແນ່ໃຈວ່າສ່ວນ Tantalum Carbide Halfmoon ບໍ່ໄດ້ນໍາສະເຫນີ impurities ເຂົ້າໄປໃນຂະບວນການ epitaxial, ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງຊັ້ນ semiconductor ທີ່ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນ. ນອກຈາກນັ້ນ, ລັກສະນະທີ່ບໍ່ມີປະຕິກິລິຍາຂອງ tantalum carbide ປ້ອງກັນມັນຈາກການພົວພັນກັບທາດອາຍຜິດແລະສານເຄມີທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການ epitaxy, ປົກປ້ອງຄວາມບໍລິສຸດຂອງສິ່ງແວດລ້ອມຕື່ມອີກ.

ການອອກແບບເລຂາຄະນິດຂອງ Halfmoon Part ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການເຮັດວຽກຂອງມັນ. ຮູບຮ່າງຂອງ halfmoon ຂອງມັນອະນຸຍາດໃຫ້ຈັດວາງທີ່ດີທີ່ສຸດພາຍໃນຫ້ອງ epitaxy, ຮັບປະກັນການແຜ່ກະຈາຍຂອງວັດສະດຸທີ່ເປັນເອກະພາບແລະອັດຕາເງິນຝາກທີ່ສອດຄ່ອງ. ການອອກແບບນີ້ຍັງອໍານວຍຄວາມສະດວກໃນການຈັດການແລະການຕິດຕັ້ງທີ່ງ່າຍຂຶ້ນ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຂອງຄວາມເສຍຫາຍໃນລະຫວ່າງການຕິດຕັ້ງແລະການບໍາລຸງຮັກສາ. ວິສະວະກໍາຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງ Tantalum Carbide Halfmoon Part ຮັບປະກັນວ່າມັນຕອບສະຫນອງຄວາມທົນທານທີ່ເຂັ້ມງວດທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor, ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ກັບທຸກໆການນໍາໃຊ້.