ຜູ້ຮັບ Wafer

Semicorex Wafer Susceptor ຖືກສ້າງຂື້ນຢ່າງຊ່ຽວຊານຈາກ graphite ແລະເຄືອບດ້ວຍ silicon carbide (SiC) ເພື່ອຕອບສະຫນອງເງື່ອນໄຂຄວາມຕ້ອງການຂອງການຜະລິດ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ.

ໃນຂະບວນການ epitaxy, ການຮັກສາສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະຄວບຄຸມແມ່ນມີຄວາມຈໍາເປັນຢ່າງແທ້ຈິງ. Wafer Susceptor ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນເວທີພື້ນຖານທີ່ wafers ໄດ້ຖືກວາງໄວ້ໃນລະຫວ່າງການຝາກ, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ຊັດເຈນສໍາລັບຄວາມສອດຄ່ອງຂອງອຸນຫະພູມ, ຄວາມທົນທານຂອງສານເຄມີ, ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກເພື່ອບັນລຸຊັ້ນ epitaxial ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ.

ທາງເລືອກຂອງ graphite ເປັນວັດສະດຸພື້ນຖານສໍາລັບ Wafer Susceptor ໄດ້ຖືກຂັບເຄື່ອນໂດຍການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະຄຸນສົມບັດກົນຈັກ. ຄວາມສາມາດຂອງ Graphite ໃນການທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງໃນຂະນະທີ່ການຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງແມ່ນສໍາຄັນໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງຂອງເຄື່ອງປະຕິກອນ epitaxy. ນອກຈາກນັ້ນ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງ graphite ຮັບປະກັນການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ມີປະສິດທິພາບໃນທົ່ວ wafer, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຂອງການ gradient ອຸນຫະພູມທີ່ສາມາດນໍາໄປສູ່ການຜິດປົກກະຕິໃນຊັ້ນ epitaxial.

ເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງ Wafer Susceptor, ການເຄືອບ silicon carbide (SiC) ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງຊ່ຽວຊານກັບພື້ນຖານ graphite. SiC ເປັນວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມທົນທານສູງທີ່ມີການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີທີ່ເຫນືອກວ່າ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມ semiconductor ບ່ອນທີ່ມີທາດອາຍຜິດ reactive ມັກຈະມີ. ການເຄືອບ SiC ສະຫນອງສິ່ງກີດຂວາງປ້ອງກັນທີ່ປົກປ້ອງ graphite ຈາກປະຕິກິລິຍາເຄມີທີ່ເປັນໄປໄດ້, ຮັບປະກັນຄວາມທົນທານຂອງ wafer ແລະຮັກສາສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສະອາດພາຍໃນເຕົາປະຕິກອນ.

Semicorex Wafer Susceptor ເຮັດດ້ວຍ graphite ເຄືອບ SiC ເປັນອົງປະກອບທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ໃນຂະບວນການ epitaxy semiconductor. ການປະສົມປະສານຂອງຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນແລະກົນຈັກຂອງ graphite ກັບຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີແລະຄວາມຮ້ອນຂອງ silicon carbide ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມກັບຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຄັ່ງຄັດຂອງການຜະລິດ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ. ການອອກແບບ wafer ດຽວສະຫນອງການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນກ່ຽວກັບຂະບວນການ epitaxy, ປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ. susceptor ນີ້ຮັບປະກັນວ່າ wafers ໄດ້ຖືກຈັດການດ້ວຍຄວາມລະມັດລະວັງທີ່ສຸດແລະຄວາມແມ່ນຍໍາ, ເຮັດໃຫ້ຊັ້ນ epitaxial ດີກວ່າແລະຜະລິດຕະພັນ semiconductor ປະສິດທິພາບດີກວ່າ.