ICP Plasma Etching Plate

ແຜ່ນ ICP Plasma Etching Plate ຂອງ Semicorex ສະຫນອງຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າແລະການຕໍ່ຕ້ານການກັດກ່ອນສໍາລັບການຈັດການ wafer ແລະຂະບວນການປ່ອຍຮູບເງົາບາງໆ. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາຖືກອອກແບບເພື່ອທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງແລະການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີທີ່ຮຸນແຮງ, ຮັບປະກັນຄວາມທົນທານແລະອາຍຸຍືນ. ດ້ວຍພື້ນຜິວທີ່ສະອາດ ແລະລຽບນຽນ, ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂອງພວກເຮົາແມ່ນດີເລີດສຳລັບການຈັດການ wafers pristine.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ໃນເວລາທີ່ມັນມາກັບການຝາກຮູບເງົາບາງໆແລະການຈັດການ wafer, ໄວ້ວາງໃຈ ICP Plasma Etching Plate ຂອງ Semicorex. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາສະຫນອງຄວາມຮ້ອນແລະທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ, ເຖິງແມ່ນວ່າຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ແລະຮູບແບບການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ laminar ທີ່ດີທີ່ສຸດ. ດ້ວຍພື້ນຜິວທີ່ສະອາດ ແລະລຽບນຽນ, ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂອງພວກເຮົາແມ່ນດີເລີດສຳລັບການຈັດການ wafers pristine.

ແຜ່ນ ICP Plasma Etching Plate ຂອງພວກເຮົາຖືກອອກແບບເພື່ອບັນລຸຮູບແບບການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ laminar ທີ່ດີທີ່ສຸດ, ຮັບປະກັນຄວາມກົມກຽວຂອງຄວາມຮ້ອນ. ນີ້ຊ່ວຍປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນຫຼືການແຜ່ກະຈາຍຂອງ impurities, ຮັບປະກັນການເຕີບໂຕຂອງ epitaxial ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງໃນຊິບ wafer.

ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາໃນມື້ນີ້ເພື່ອຮຽນຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບ ICP Plasma Etching Plate ຂອງພວກເຮົາ.

ພາລາມິເຕີຂອງ ICP Plasma Etching Plate

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC
ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J kg-1 K-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300