SiC Coated ICP ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ Etching

ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ wafer ທີ່ໃຊ້ໃນຂັ້ນຕອນການຊຶມເຊື້ອຂອງຮູບເງົາບາງໆເຊັ່ນ epitaxy ຫຼື MOCVD, ຫຼືການປຸງແຕ່ງການຈັດການ wafer ເຊັ່ນ: etching ຕ້ອງທົນກັບອຸນຫະພູມສູງແລະການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີທີ່ຮຸນແຮງ. Semicorex ສະຫນອງຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC Coated ICP Etching Carrier ສະຫນອງການທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ, ເຖິງແມ່ນວ່າຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມສອດຄ່ອງສໍາລັບຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຊັ້ນ epi ສອດຄ່ອງ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີທີ່ທົນທານ. ການເຄືອບໄປເຊຍກັນ SiC ລະອຽດໃຫ້ພື້ນຜິວທີ່ສະອາດ, ກ້ຽງ, ສໍາຄັນສໍາລັບການຈັດການນັບຕັ້ງແຕ່ wafers pristine ຕິດຕໍ່ກັບ susceptor ໃນຫຼາຍຈຸດໃນທົ່ວພື້ນທີ່ຂອງເຂົາເຈົ້າ.

SiC Coated ICP Etching Carrier ຂອງພວກເຮົາຖືກອອກແບບມາເພື່ອບັນລຸຮູບແບບການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ laminar ທີ່ດີທີ່ສຸດ, ຮັບປະກັນຄວາມສະເຫມີພາບຂອງໂປຣໄຟລ໌ຄວາມຮ້ອນ. ນີ້ຊ່ວຍປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນຫຼືການແຜ່ກະຈາຍຂອງ impurities, ຮັບປະກັນການເຕີບໂຕຂອງ epitaxial ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງໃນຊິບ wafer.

ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາໃນມື້ນີ້ເພື່ອຮຽນຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບ SiC Coated ICP Etching Carrier ຂອງພວກເຮົາ.

ພາລາມິເຕີຂອງ SiC Coated ICP Etching Carrier

ຄຸນນະສົມບັດຂອງຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC Coated ICP Etching Carrier

- ຫຼີກເວັ້ນການປອກເປືອກອອກແລະຮັບປະກັນການເຄືອບທຸກດ້ານ

ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ: ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງໃນອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1600 ° C

ຄວາມບໍລິສຸດສູງ: ເຮັດໂດຍການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ CVD ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂ chlorination ອຸນຫະພູມສູງ.

ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ: ຄວາມແຂງສູງ, ດ້ານຫນາແຫນ້ນແລະອະນຸພາກລະອຽດ.

ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ: ອາຊິດ, ດ່າງ, ເກືອແລະທາດປະສົມອິນຊີ.

- ບັນລຸຮູບແບບການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ laminar ທີ່ດີທີ່ສຸດ

- ຮັບ​ປະ​ກັນ​ຄວາມ​ສະ​ເຫມີ​ພາບ​ຂອງ profile ຄວາມ​ຮ້ອນ​

- ປ້ອງກັນການແຜ່ກະຈາຍຂອງມົນລະພິດ ຫຼື ສິ່ງສົກກະປົກ