wafer lnoi

ກົງກັນຂ້າມ, ຮູບເງົາບາງໆຂອງ Lithlite (Lithium Niobate) ສະເຫນີດັດສະນີດັດສະນີທີ່ມີຄວາມຫມາຍທີ່ສໍາຄັນ, ເຮັດໃຫ້ຮູເບີນມີພຽງແຕ່ເປັນພຽງເລັກນ້ອຍຂອງ micrsron ແລະ submon ຂ້າມ. ສິ່ງນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ມີການເຊື່ອມໂຍງເຂົ້າກັບ phonon ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງແລະການກັກຂັງໄຟທີ່ແຂງແຮງ, ຊ່ວຍເພີ່ມທະວີການໂຕ້ຕອບລະຫວ່າງແສງສະຫວ່າງແລະເລື່ອງ.

lnoi wafers ສາມາດໄດ້ຮັບການກະກຽມໂດຍໃຊ້ເຕັກນິກຕ່າງໆ, ລວມທັງການຝາກເງິນ laser, ວິທີການ gel-gel, rf magnetron sputtering, ແລະການຝາກເງິນທາງເຄມີ. ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, lnoi ທີ່ຜະລິດຈາກເຕັກນິກເຫຼົ່ານີ້ມັກຈະສະແດງໂຄງສ້າງ polycrystalline, ເຮັດໃຫ້ການສູນເສຍສາຍສົ່ງແສງສະຫວ່າງເພີ່ມຂື້ນ. ນອກຈາກນັ້ນ, ຍັງມີຊ່ອງຫວ່າງຫຼາຍລະຫວ່າງຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງຮູບເງົາແລະຜູ້ທີ່ຢູ່ໃນກະແສລົມດຽວ, ເຊິ່ງສົ່ງຜົນກະທົບໃນທາງລົບຂອງອຸປະກອນ photonic.

ວິທີການທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບການກະກຽມເຄື່ອງ wafers lnoi ກ່ຽວຂ້ອງກັບການປະສົມປະສານຂອງຂະບວນການເຊັ່ນ: ການເຊື່ອມໂຍງກັບ ion, ເຊິ່ງທາງດ້ານຮ່າງກາຍອອກຈາກວັດສະດຸ ln ຈາກວັດສະດຸ ln ຈາກວັດສະດຸ ln ຈາກວັດສະດຸ ln ແລະໂອນໃຫ້ເປັນ subtrate. ເຕັກນິກການປັ້ນແລະໂປໂລຍຍັງສາມາດໃຫ້ມັນໄດ້ຮັບ lnoi ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ. ວິທີການນີ້ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມເສຍຫາຍໃຫ້ແກ່ LN Crystal Cryste ໃນຊ່ວງ ion cryste ໃນລະຫວ່າງ ION Crystal ແລະຮັກສາຄຸນນະພາບຂອງ Crystal. LNOI WAFERS ບໍ່ພຽງແຕ່ເກັບຮັກສາຄຸນສົມບັດທີ່ຈໍາເປັນເຊັ່ນ: Electro-optical, opustol-optic, ແລະຍັງຄົງຮັກສາໂຄງສ້າງທີ່ເປັນໄປເຊຍກັນ, ເຊິ່ງເປັນປະໂຫຍດໃນການບັນລຸການສູນເສຍການສົ່ງຕໍ່ໄປ.

ອຸປະກອນ WaveGuide ແບບ optical ແມ່ນອຸປະກອນພື້ນຖານໃນ photonics ປະສົມປະສານ, ແລະມີວິທີການຕ່າງໆສໍາລັບການກະກຽມຂອງພວກເຂົາ. WaveGuores ໃນ lnoi wafers ສາມາດຖືກສ້າງຕັ້ງຂື້ນໂດຍໃຊ້ເຕັກນິກດັ້ງເດີມເຊັ່ນ: ການແລກປ່ຽນ Proton. ເນື່ອງຈາກວ່າ LN ແມ່ນດ້ານວິຊາການທາງເຄມີ, ເພື່ອຫລີກລ້ຽງການອອກກໍາລັງກາຍ, ວັດສະດຸທີ່ມີທາດເຫຼັກສາມາດຝາກໃສ່ LNOI ເພື່ອສ້າງ WavuGuide Loading Strive. ວັດສະດຸທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບແຖບທີ່ເຫມາະສົມລວມມີ TIO2, SIO2, SIEX, TA2O5, ແກ້ວ chalcogenide, ແລະຊິລິໂຄນ. ບັນດາຄື້ນ lnoi optii ທີ່ສ້າງຂື້ນໂດຍໃຊ້ວິທີການຂັດຂວາງທາງເຄມີທີ່ມີການສູນເສຍການຂະຫຍາຍພັນຂອງ 0.027 dB / CM; ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, Sideguide WaveGuide ທີ່ຕື້ນໆຂອງມັນເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມຮູ້ຂອງການປະຕິບັດຂອງຮັງທີ່ມີຂະຫນາດນ້ອຍລັງສີ. ຄື້ນຟອງ Werui Werfera, ການກະກຽມໂດຍໃຊ້ວິທີການແກ້ໄຂ plasma, ບັນລຸການສູນເສຍການສົ່ງຕໍ່ພຽງແຕ່ 0.027 db / ຊມ. ນີ້ສະແດງເຖິງຈຸດສໍາຄັນທີ່ສໍາຄັນ, ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າການເຊື່ອມໂຍງ phonon ຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະການປຸງແຕ່ງລະດັບ photon ດຽວສາມາດຮັບຮູ້ໄດ້. ນອກເຫນືອໄປຈາກອຸປະກອນ Wavegoides ທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງ, ມີການພັດທະນາໃນ LNOI, ລວມທັງສະຖານທີ່ຂຸດຄົ້ນຈຸລິນຊີ / ຈຸລິນຊີ, ແລະກະກຽມຄູ່ຮັກ, ແລະໄປເຊຍກັນ Photonic. ແນວພັນຂອງອຸປະກອນ photonic ທີ່ມີປະໂຫຍດຍັງໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນຢ່າງສໍາເລັດຜົນ. ການປັບປຸງແກ້ໄຂແບບ allow-optical ທີ່ໂດດເດັ່ນພິເສດ (LN) ລຸ້ນທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງ, ແລະການເຮັດວຽກທີ່ບໍ່ສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ງ່າຍດາຍ, ໃນບັນດາການເຮັດວຽກຂອງ photonic. LN ຍັງສະແດງຜົນກະທົບ optoic-optic. ໂມດູນ Aco Cooly-Mach-Zehder ກຽມພ້ອມໃສ່ LNOI ທີ່ມີການໂຕ້ຕອບແບບ optomechace ທີ່ມີຄວາມຖີ່ຂອງການປ່ຽນໃຈເຫລື້ອມໃສຂອງ 1500 NM, ອໍານວຍຄວາມສະດວກໃນການປ່ຽນສັນຍານທີ່ມີສັນຍາລັກທີ່ມີປະສິດທິພາບ.

ນອກຈາກນັ້ນ, ໂມດູນ Acoust--optic-friultated ໃນຮູບເງົາ ln ຂ້າງເທິງຂອງ subtrate subjire ຫລີກລ້ຽງຄວາມໄວໃນການເຮັດໃຫ້ມີຄວາມໄວສູງຂອງ sapphire, ເຊິ່ງຍັງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການຮົ່ວໄຫຼຂອງພະລັງງານທີ່ມີສຽງດັງ. shifter ຄວາມຖີ່ຂອງ Acousty-opticy ທີ່ຖືກພັດທະນາໃນ LNOI ສະແດງໃຫ້ເຫັນປະສິດທິພາບຄວາມຖີ່ຂອງການປ່ຽນແປງທີ່ສູງກວ່າເມື່ອທຽບໃສ່ກັບຫນັງສືພິມອາລູມິນຽມ nitride. ຄວາມກ້າວຫນ້າຍັງໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນໃນ lasers ແລະ amplifiers ໃຊ້ lnoi ທີ່ຫາຍາກ. ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ເຂດທົ່ວໂລກທີ່ຫາຍາກທີ່ຫາຍາກຂອງ Wafers LNOI ວາງສະແດງການດູດຊືມແສງສະຫວ່າງທີ່ສໍາຄັນໃນວົງການສື່ສານ optical counter, ເຊິ່ງຂັດຂວາງການເຊື່ອມໂຍງເຂົ້າກັນຂະຫນາດໃຫຍ່. ຄົ້ນຫາແຜ່ນດິນໂລກທີ່ຫາຍາກໃນທ້ອງຖິ່ນທີ່ສຸດກ່ຽວກັບ LNOI ສາມາດສະຫນອງການແກ້ໄຂບັນຫານີ້. Amorphous Silicon ສາມາດຝາກໃສ່ LNOI ເພື່ອສ້າງ photeteentectors. ການຫຸ້ມຫໍ່ໂລຫະທີ່ເປັນໂລຫະທີ່ໄດ້ຮັບແລະໂລຫະສະແດງໃຫ້ເຫັນການຕອບສະຫນອງຂອງ 22-37 Ma / W ໃນທົ່ວຄື້ນຄື້ນຂອງ 635-850 NM. ພ້ອມດຽວກັນ, ພ້ອມທັງປະສົມປະສານ lasers iii-v seemorenductor and dete dete្co on on se se se se on se se se se on on on se se se se on on on on on on pre pre ນໍາສະເຫນີວິທີແກ້ໄຂທີ່ເປັນໄປໄດ້ສໍາລັບການພັດທະນາ lasers ແລະເຄື່ອງກວດຈັບໃນເອກະສານນີ້. ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ຂະບວນການກະກຽມແມ່ນສະລັບສັບຊ້ອນແລະມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ມີການປັບປຸງເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແລະເພີ່ມອັດຕາຜົນສໍາເລັດ.