Silicon On Insulator Wafer

ໂຄງສ້າງຂອງ Silicon On Insulator wafer ປະກອບດ້ວຍສາມຊັ້ນຕົ້ນຕໍ. ຊັ້ນເທິງແມ່ນແຜ່ນບາງໆຂອງຊິລິໂຄນກ້ອນດຽວ, ໂດຍປົກກະຕິແມ່ນຕັ້ງແຕ່ສອງສາມ nanometers ເຖິງສອງສາມ micrometers ໃນຄວາມຫນາ. ຊັ້ນຊິລິໂຄນບາງໆນີ້ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນພາກພື້ນທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວທີ່ transistors ແລະອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກອື່ນໆຖືກສ້າງຂຶ້ນ.

ພາຍໃຕ້ຊັ້ນຊິລິໂຄນບາງໆແມ່ນຊັ້ນຂອງວັດສະດຸ insulating. ຊັ້ນ insulating ນີ້ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນອຸປະສັກ, ປ້ອງກັນການໄຫຼຂອງຄ່າໄຟຟ້າລະຫວ່າງຊັ້ນ silicon ບາງແລະຊັ້ນ substrate.

ຊັ້ນລຸ່ມແມ່ນຊັ້ນຍ່ອຍ, ເຊິ່ງເປັນຊັ້ນທີ່ຫນາກວ່າຂອງຊິລິໂຄນແກ້ວດຽວ. ມັນສະຫນອງການສະຫນັບສະຫນູນກົນຈັກກັບ wafer ແລະຍັງເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນບ່ອນລະບາຍຄວາມຮ້ອນສໍາລັບການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ຜະລິດ.

ຂະບວນການຜະລິດຂອງ Silicon On Insulator wafer ປະກອບດ້ວຍເຕັກນິກຕ່າງໆ, ລວມທັງການຜູກມັດ wafer ແລະວິທີການໂອນຊັ້ນ. ເຕັກນິກເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ການສ້າງຊັ້ນຊິລິຄອນບາງທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງຢູ່ເທິງຊັ້ນ insulating.

Silicon On Insulator wafer ໄດ້ກາຍເປັນສິ່ງສຳຄັນຫຼາຍຂຶ້ນໃນອຸດສາຫະກໍາເຊມິຄອນດັກເຕີ, ໂດຍສະເພາະໃນການຜະລິດໄມໂຄຣໂປຣເຊສເຊີ, ອຸປະກອນຄວາມຈຳ, ວົງຈອນ RF, ແລະລະບົບການສື່ສານຄວາມໄວສູງ. ໂຄງສ້າງແລະຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງພວກເຂົາເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາເປັນທາງເລືອກທີ່ມັກສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ກ້າວຫນ້າ, ປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນອຸປະກອນທີ່ໄວແລະມີປະສິດທິພາບຫຼາຍຂຶ້ນໃນດ້ານຕ່າງໆ.