> ຂ່າວ > ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ວິທີການກະກຽມຝຸ່ນ SiC

Silicon carbide (SiC) ແມ່ນສານອະນົງຄະທາດ. ປະລິມານຂອງ silicon carbide ທໍາມະຊາດແມ່ນຫນ້ອຍຫຼາຍ. ມັນເປັນແຮ່ທາດທີ່ຫາຍາກແລະຖືກເອີ້ນວ່າ moissanite. Silicon carbide ທີ່ໃຊ້ໃນການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຖືກສັງເຄາະປອມ.

ອ່ານຕື່ມ

Epitaxial Layers: ພື້ນຖານຂອງອຸປະກອນ Semiconductor ຂັ້ນສູງ

ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor, ຊັ້ນ epitaxial ມີບົດບາດສໍາຄັນໂດຍການປະກອບຮູບເງົາບາງໆກ້ອນດຽວຢູ່ເທິງຊັ້ນ wafer, ເຊິ່ງເອີ້ນກັນວ່າ wafers epitaxial. ໂດຍສະເພາະ, ຊັ້ນ epitaxial silicon carbide (SiC) ທີ່ປູກຢູ່ເທິງຊັ້ນໃຕ້ດິນ SiC ຜະລິດ wafers SiC epitaxial ທີ່ເປັນເອກະພາບ, ເຊິ່ງເປັນເຄື່ອງມືໃນການຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງາ......

ອ່ານຕື່ມ

ບົດບາດສໍາຄັນຂອງຊັ້ນ Epitaxial ໃນອຸປະກອນ Semiconductor

ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ Epitaxial ຫມາຍເຖິງຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊັ້ນ monocrystalline ທີ່ມີລະບຽບຮຽບຮ້ອຍດີຢູ່ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ. ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ, ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ກ່ຽວຂ້ອງກັບການປູກຝັງຂອງຊັ້ນໄປເຊຍກັນເທິງຊັ້ນໃຕ້ດິນໄປເຊຍກັນ, ໂດຍຊັ້ນທີ່ເຕີບໃຫຍ່ໄດ້ແບ່ງປັນທິດທາງຂອງ crystallographic ດຽວກັນກັບຊັ້ນໃຕ້ດິນຕົ້ນສະບັບ. E......

ອ່ານຕື່ມ

ຮູ້ GaN

ບໍ່ດົນມານີ້, ອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ໄດ້ສືບຕໍ່ເອົາໃຈໃສ່ກັບເຕັກໂນໂລຢີ Gallium Nitride (GaN). ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທາງອີເລັກໂທຣນິກທີ່ດີເລີດ, ອຸປະກອນ Gallium Nitride ມີຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ສໍາຄັນໃນຫຼາຍຂົງເຂດເຕັກໂນໂລຢີສູງ:

ອ່ານຕື່ມ

Surge ແລະການຄາດຄະເນຂອງຕະຫຼາດອຸປະກອນພະລັງງານ Silicon Carbide (SiC).

ໃນຂະນະທີ່ການຍອມຮັບທົ່ວໂລກຂອງຍານພາຫະນະໄຟຟ້າຄ່ອຍໆເພີ່ມຂຶ້ນ, Silicon Carbide (SiC) ຈະພົບກັບໂອກາດການຂະຫຍາຍຕົວໃຫມ່ໃນທົດສະວັດທີ່ຈະມາເຖິງ. ຄາດວ່າຜູ້ຜະລິດເຄື່ອງຈັກຜະລິດໄຟຟ້າແລະຜູ້ປະກອບການໃນອຸດສາຫະກຳລົດຍົນຈະເຂົ້າຮ່ວມຢ່າງຕັ້ງໜ້າໃນການກໍ່ສ້າງຕ່ອງໂສ້ມູນຄ່າຂອງຂະແໜງການນີ້.

ອ່ານຕື່ມ

ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງ SiC ໃນອຸດສາຫະກໍາ EV

ໃນຖານະເປັນວັດສະດຸ semiconductor ກວ້າງ (WBG), ຄວາມແຕກຕ່າງຂອງພະລັງງານທີ່ກວ້າງກວ່າຂອງ SiC ເຮັດໃຫ້ມັນມີຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນແລະເອເລັກໂຕຣນິກສູງກວ່າ SiC ແບບດັ້ງເດີມ. ຄຸນສົມບັດນີ້ເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນພະລັງງານເຮັດວຽກຢູ່ໃນອຸນຫະພູມ, ຄວາມຖີ່ ແລະແຮງດັນທີ່ສູງຂຶ້ນ.

ອ່ານຕື່ມ

<...17 18 19 20 21...29 >