> ຂ່າວ > ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ Silicon Carbide

Silicon carbide ມີຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຈໍານວນຫລາຍໃນອຸດສາຫະກໍາທີ່ພົ້ນເດັ່ນຂື້ນແລະອຸດສາຫະກໍາພື້ນເມືອງ. ໃນປັດຈຸບັນ, ຕະຫຼາດ semiconductor ທົ່ວໂລກໄດ້ລື່ນກາຍ 100 ຕື້ຢວນ. ຄາດວ່າຮອດປີ 2025, ຍອດຈຳໜ່າຍວັດສະດຸຜະລິດ semiconductor ໃນທົ່ວໂລກຈະບັນລຸ 39,5 ຕື້ໂດລາສະຫະລັດ, ໃນນັ້ນຕະຫລາດຊິລິຄອນຄາໄບ......

ອ່ານຕື່ມ

ການແນະນໍາກ່ຽວກັບຂະບວນການປູກຝັງແລະຝັງດິນຂອງ Silicon Carbide Ion

ໃນການຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງານຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມ, ການແຜ່ກະຈາຍໃນອຸນຫະພູມສູງແລະການຝັງ ion ຢືນເປັນວິທີການຕົ້ນຕໍສໍາລັບການຄວບຄຸມ dopant, ແຕ່ລະຄົນມີຂໍ້ດີແລະຂໍ້ເສຍຂອງມັນ. ໂດຍປົກກະຕິ, ການແຜ່ກະຈາຍໃນອຸນຫະພູມສູງແມ່ນມີລັກສະນະຄວາມງ່າຍດາຍ, ປະສິດທິພາບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ໂປຼໄຟລ໌ການແຜ່ກະຈາຍ dopant isotropic, ແລະການແນະນໍາຕ່ໍາຂອງຄ......

ອ່ານຕື່ມ

ວິທີການກະກຽມຝຸ່ນ SiC

Silicon carbide (SiC) ແມ່ນສານອະນົງຄະທາດ. ປະລິມານຂອງ silicon carbide ທໍາມະຊາດແມ່ນຫນ້ອຍຫຼາຍ. ມັນເປັນແຮ່ທາດທີ່ຫາຍາກແລະຖືກເອີ້ນວ່າ moissanite. Silicon carbide ທີ່ໃຊ້ໃນການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຖືກສັງເຄາະປອມ.

ອ່ານຕື່ມ

Epitaxial Layers: ພື້ນຖານຂອງອຸປະກອນ Semiconductor ຂັ້ນສູງ

ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor, ຊັ້ນ epitaxial ມີບົດບາດສໍາຄັນໂດຍການປະກອບຮູບເງົາບາງໆກ້ອນດຽວຢູ່ເທິງຊັ້ນ wafer, ເຊິ່ງເອີ້ນກັນວ່າ wafers epitaxial. ໂດຍສະເພາະ, ຊັ້ນ epitaxial silicon carbide (SiC) ທີ່ປູກຢູ່ເທິງຊັ້ນໃຕ້ດິນ SiC ຜະລິດ wafers SiC epitaxial ທີ່ເປັນເອກະພາບ, ເຊິ່ງເປັນເຄື່ອງມືໃນການຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງາ......

ອ່ານຕື່ມ

ບົດບາດສໍາຄັນຂອງຊັ້ນ Epitaxial ໃນອຸປະກອນ Semiconductor

ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ Epitaxial ຫມາຍເຖິງຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊັ້ນ monocrystalline ທີ່ມີລະບຽບຮຽບຮ້ອຍດີຢູ່ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ. ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ, ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ກ່ຽວຂ້ອງກັບການປູກຝັງຂອງຊັ້ນໄປເຊຍກັນເທິງຊັ້ນໃຕ້ດິນໄປເຊຍກັນ, ໂດຍຊັ້ນທີ່ເຕີບໃຫຍ່ໄດ້ແບ່ງປັນທິດທາງຂອງ crystallographic ດຽວກັນກັບຊັ້ນໃຕ້ດິນຕົ້ນສະບັບ. E......

ອ່ານຕື່ມ

ຮູ້ GaN

ບໍ່ດົນມານີ້, ອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ໄດ້ສືບຕໍ່ເອົາໃຈໃສ່ກັບເຕັກໂນໂລຢີ Gallium Nitride (GaN). ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທາງອີເລັກໂທຣນິກທີ່ດີເລີດ, ອຸປະກອນ Gallium Nitride ມີຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ສໍາຄັນໃນຫຼາຍຂົງເຂດເຕັກໂນໂລຢີສູງ:

ອ່ານຕື່ມ

<...18 19 20 21 22...31 >