SiC-Coated Epitaxial Susceptors

ເຊມິຄອນດັກເຕີທາດຍ່ອຍບໍ່ສາມາດວາງໂດຍກົງໃສ່ພື້ນຖານໃນອຸປະກອນ MOCVD ຫຼື CVD ໃນລະຫວ່າງການຝາກ epitaxial ເນື່ອງຈາກຜົນກະທົບຂອງປັດໃຈສໍາຄັນຫຼາຍ, ລວມທັງທິດທາງການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ (ແນວນອນແລະແນວຕັ້ງ), ອຸນຫະພູມ, ຄວາມກົດດັນ, ການສ້ອມແຊມ substrate, ແລະການປົນເປື້ອນ particle. ສໍາລັບເຫດຜົນນີ້, ຕົວອ່ອນຂອງ epitaxial ຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ວາງຕໍາແຫນ່ງຢູ່ໃນສູນກາງຂອງຫ້ອງຕິກິຣິຍາໃນລະບົບ MOCVD / CVD ເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນແລະຮັບປະກັນ substrates semiconductor, ດັ່ງນັ້ນການປ້ອງກັນການເຊື່ອມໂຊມຂອງຄຸນນະພາບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ທີ່ເກີດຈາກການສັ່ນສະເທືອນຫຼືການຍ້າຍຕໍາແຫນ່ງ.

graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງຖືກນໍາໃຊ້ເປັນວັດສະດຸ matrix ສໍາລັບ SemicorexSiC-coated epitaxial susceptors, ດ້ວຍການເຄືອບ silicon carbide ຝາກໄວ້ເທິງຫນ້າດິນຂອງເຂົາເຈົ້າໂດຍເຕັກນິກ CVD ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ. Semicorex SiC-coated epitaxial susceptors ແມ່ນອົງປະກອບທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ໃນຂະບວນການສ້າງຊັ້ນ epitaxial. ພາລະບົດບາດຕົ້ນຕໍຂອງພວກເຂົາແມ່ນເພື່ອສະຫນອງສະພາບແວດລ້ອມການດໍາເນີນງານທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊັ້ນ epitaxial ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍຂອງ semiconductor, ເຊິ່ງສາມາດຮັບປະກັນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄຸນນະພາບຂອງຫນ້າດິນ wafer.

ຄຸນລັກສະນະຂອງ Semicorex SiC-coated epitaxial susceptors

1. ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງທີ່ໂດດເດັ່ນເພື່ອທົນທານຕໍ່ສະພາບການດໍາເນີນງານ 1600 ℃.

2.High thermal conductivity, ການຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາເພື່ອຮັກສາການແຜ່ກະຈາຍອຸນຫະພູມທີ່ເປັນເອກະພາບໃນ substrates semiconductor.

3.Strong corrosion ສານເຄມີຕ້ານການເຊື່ອມໂຊມຂອງສານເຄມີແລະການ corrosion, ຫຼີກເວັ້ນການປົນເປື້ອນຂະບວນການຂອງ substrates ແລະຊັ້ນ epitaxial.

4.Superior ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຊ໊ອກເພື່ອຫຼີກເວັ້ນການປະກົດຕົວຂອງ cracking ເຄືອບແລະ delamination.

5.Exceptional flatness ດ້ານ, fitting snugly ກັບ substrates ທີ່ຫຼຸດຜ່ອນຊ່ອງຫວ່າງແລະຂໍ້ບົກພ່ອງ.

6.Longer ຊີວິດການບໍລິການ, ການຫຼຸດຜ່ອນເວລາແລະການສູນເສຍເສດຖະກິດທີ່ເກີດຈາກການທົດແທນແລະບໍາລຸງຮັກສາພາກສ່ວນ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ Semicorex SiC-coated susceptors epitaxial

ດ້ວຍຄວາມໄດ້ປຽບທີ່ດີເລີດຫຼາຍ, Semicorex SiC-coated susceptors epitaxial ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການອໍານວຍຄວາມສະດວກການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຮູບເງົາບາງໆ epitaxial ແລະໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວ semiconductor epitaxial.

1.GaN ການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial

2.SiC ການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial

3.Si ການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial