ແຫວນເຄືອບ SiC

ວົງແຫວນທີ່ເຄືອບ Semicorex SiC, ດ້ວຍຄຸນສົມບັດວັດສະດຸຂັ້ນສູງແລະວິສະວະກໍາ, ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນຂະບວນການ semiconductor epitaxial.

Silicon Carbide (SiC) ແມ່ນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃນການຮັກສາການແຜ່ກະຈາຍຂອງອຸນຫະພູມທີ່ເປັນເອກະພາບໃນທົ່ວ wafer. ຄວາມເປັນເອກະພາບນີ້ແມ່ນສໍາຄັນສໍາລັບການບັນລຸຊັ້ນ epitaxial ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຂໍ້ບົກພ່ອງຫນ້ອຍທີ່ສຸດ. ວົງແຫວນທີ່ເຄືອບ SiC ສາມາດທົນກັບອຸນຫະພູມທີ່ຮຸນແຮງທີ່ຕ້ອງການໃນລະຫວ່າງຂະບວນການປ່ອຍ epitaxial. ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງມັນຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງຮັບປະກັນຄວາມທົນທານແລະການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການປົນເປື້ອນແລະຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອຸປະກອນ.

ຄວາມທົນທານທາງກົນຈັກຂອງ SiC ຊ່ວຍໃຫ້ວົງແຫວນທີ່ເຄືອບ SiC ສະຫນັບສະຫນູນ wafer ໄດ້ຢ່າງປອດໄພໃນລະຫວ່າງຂະບວນການ epitaxial. ຄວາມແຂງແລະຄວາມທົນທານສູງຂອງມັນຮັບປະກັນວ່າມັນສາມາດທົນທານຕໍ່ຄວາມກົດດັນທາງດ້ານຮ່າງກາຍແລະວົງຈອນຄວາມຮ້ອນໂດຍບໍ່ມີການຜິດປົກກະຕິຫຼືການສວມໃສ່. ການປະສົມປະສານຂອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນສູງ, inertness ສານເຄມີ, ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂະຫຍາຍອາຍຸການຂອງວົງ SiC ເຄືອບ. ອາຍຸຍືນນີ້ແປວ່າຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການບໍາລຸງຮັກສາຕ່ໍາແລະການທົດແທນເລື້ອຍໆຫນ້ອຍ, ປັບປຸງປະສິດທິພາບຂະບວນການໂດຍລວມ.

ແຫວນເຄືອບ Semicorex SiC ເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນຂະບວນການ semiconductor epitaxial, ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງທີ່ຈໍາເປັນ, ຄວາມທົນທານແລະການປະຕິບັດເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຄັ່ງຄັດຂອງການຜະລິດ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ. ຄຸນສົມບັດຂັ້ນສູງຂອງມັນຮັບປະກັນການຜະລິດ wafers ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການເພີ່ມປະສິດທິພາບແລະປະສິດທິພາບໂດຍລວມຂອງຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial.