ການເຄືອບ SiC ແມ່ນຊັ້ນບາງໆໃສ່ຕົວດູດຜ່ານຂະບວນການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ (CVD). ວັດສະດຸ silicon carbide ສະຫນອງຂໍ້ໄດ້ປຽບຈໍານວນຫນຶ່ງຂອງຊິລິໂຄນ, ລວມທັງ 10x ການທໍາລາຍຄວາມເຂັ້ມແຂງພາກສະຫນາມໄຟຟ້າ, 3x ຊ່ອງຫວ່າງແຖບ, ເຊິ່ງສະຫນອງວັດສະດຸທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ທີ່ດີເລີດເຊັ່ນດຽວກັນກັບການນໍາຄວາມຮ້ອນ.
Semicorex ໃຫ້ບໍລິການທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານປະດິດສ້າງດ້ວຍອົງປະກອບທີ່ຍາວນານ, ຫຼຸດຜ່ອນເວລາຮອບວຽນ, ແລະປັບປຸງຜົນຜະລິດ.
ການເຄືອບ SiC ມີຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ເປັນເອກະລັກຫຼາຍ
ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ: CVD SiC coated susceptor ສາມາດທົນອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1600 ° C ໂດຍບໍ່ມີການ undergoing ການເຊື່ອມໂຊມຄວາມຮ້ອນທີ່ສໍາຄັນ.
ຄວາມຕ້ານທານທາງເຄມີ: ການເຄືອບ silicon carbide ໃຫ້ຄວາມຕ້ານທານທີ່ດີເລີດຕໍ່ກັບສານເຄມີທີ່ຫລາກຫລາຍ, ລວມທັງອາຊິດ, ດ່າງ, ແລະສານລະລາຍອິນຊີ.
ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່: ການເຄືອບ SiC ສະຫນອງວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານການສວມໃສ່ທີ່ດີເລີດ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການສວມໃສ່ແລະນ້ໍາຕາສູງ.
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ: ການເຄືອບ CVD SiC ສະຫນອງວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນອຸນຫະພູມສູງທີ່ຕ້ອງການການຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນທີ່ມີປະສິດທິພາບ.
ຄວາມເຂັ້ມແຂງແລະຄວາມແຂງສູງ: susceptor ເຄືອບ silicon carbide ສະຫນອງວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງແລະຄວາມແຂງຕົວສູງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກສູງ.
ການເຄືອບ SiC ຖືກນໍາໃຊ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕ່າງໆ
ການຜະລິດ LED: CVD SiC coated susceptor ຖືກນໍາໃຊ້ໃນການຜະລິດການປຸງແຕ່ງຂອງປະເພດ LED ຕ່າງໆ, ລວມທັງ LED ສີຟ້າແລະສີຂຽວ, LED UV ແລະເລິກ UV LED, ເນື່ອງຈາກການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງແລະທົນທານຕໍ່ສານເຄມີ.
ການສື່ສານມືຖື: CVD SiC coated susceptor ແມ່ນສ່ວນຫນຶ່ງທີ່ສໍາຄັນຂອງ HEMT ເພື່ອເຮັດສໍາເລັດຂະບວນການ GaN-on-SiC epitaxial.
Semiconductor Processing: CVD SiC coated susceptor ຖືກນໍາໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕ່າງໆ, ລວມທັງການປຸງແຕ່ງ wafer ແລະການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial.
SiC ເຄືອບ graphite ອົງປະກອບ
ເຮັດໂດຍ Silicon Carbide Coating (SiC) graphite, ການເຄືອບແມ່ນໃຊ້ໂດຍວິທີການ CVD ກັບຊັ້ນສະເພາະຂອງ graphite ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, ສະນັ້ນມັນສາມາດເຮັດວຽກຢູ່ໃນເຕົາອົບທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງເກີນ 3000 °C ໃນບັນຍາກາດ inert, 2200 ° C ໃນສູນຍາກາດ. .
ຄຸນສົມບັດພິເສດແລະມະຫາຊົນຕ່ໍາຂອງວັດສະດຸອະນຸຍາດໃຫ້ອັດຕາຄວາມຮ້ອນໄວ, ການແຜ່ກະຈາຍອຸນຫະພູມເປັນເອກະພາບແລະຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ໂດດເດັ່ນໃນການຄວບຄຸມ.
ຂໍ້ມູນວັດສະດຸຂອງການເຄືອບ Semicorex SiC
|
ຄຸນສົມບັດທົ່ວໄປ |
ໜ່ວຍ |
ຄຸນຄ່າ |
|
ໂຄງສ້າງ |
|
ໄລຍະ FCC β |
|
ປະຖົມນິເທດ |
ເສດສ່ວນ (%) |
111 ມັກ |
|
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ |
g/cm³ |
3.21 |
|
ຄວາມແຂງ |
ຄວາມແຂງຂອງ Vickers |
2500 |
|
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ |
J kg-1 K-1 |
640 |
|
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ 100–600°C (212–1112°F) |
10-6K-1 |
4.5 |
|
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ |
Gpa (4pt ງໍ, 1300℃) |
430 |
|
ຂະໜາດເມັດພືດ |
ມມ |
2~10 |
|
ອຸນຫະພູມ sublimation |
℃ |
2700 |
|
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural |
MPa (RT 4 ຈຸດ) |
415 |
|
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ |
(W/mK) |
300 |
ສະຫຼຸບ CVD SiC coated susceptor ເປັນວັດສະດຸປະສົມທີ່ປະສົມປະສານຄຸນສົມບັດຂອງ susceptor ແລະ silicon carbide. ວັດສະດຸນີ້ມີຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນເອກະລັກ, ລວມທັງອຸນຫະພູມສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ທີ່ດີເລີດ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງແລະຄວາມແຂງ. ຄຸນສົມບັດເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອຸປະກອນທີ່ດຶງດູດສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງຕ່າງໆ, ລວມທັງການປຸງແຕ່ງ semiconductor, ການປຸງແຕ່ງສານເຄມີ, ການປິ່ນປົວຄວາມຮ້ອນ, ການຜະລິດຈຸລັງແສງຕາເວັນ, ແລະການຜະລິດ LED.
Semicorex ເປັນຜູ້ຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະຜູ້ສະຫນອງ Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor ໃນປະເທດຈີນ. Semicorex graphite susceptor ວິສະວະກໍາໂດຍສະເພາະສໍາລັບອຸປະກອນ epitaxy ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ໃນປະເທດຈີນ. ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການເຄືອບ RTP RTA SiC ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາຫຼາຍຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະໄດ້ເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໄລຍະຍາວຂອງທ່ານ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມSemicorex RTP Carrier ສໍາລັບ MOCVD Epitaxial Growth ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປຸງແຕ່ງ wafer semiconductor, ລວມທັງການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ແລະການປຸງແຕ່ງການຈັດການ wafer. susceptors graphite ກາກບອນແລະ quartz crucibles ແມ່ນການປຸງແຕ່ງໂດຍ MOCVD ດ້ານຂອງ graphite, ceramics, ແລະອື່ນໆ ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາຫຼາຍຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມອົງປະກອບ SiC-Coated ICP ຂອງ Semicorex ຖືກອອກແບບມາສະເພາະສໍາລັບຂະບວນການຈັດການ wafer ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງເຊັ່ນ epitaxy ແລະ MOCVD. ດ້ວຍການເຄືອບໄປເຊຍກັນ SiC ທີ່ດີ, ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂອງພວກເຮົາໃຫ້ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ, ເຖິງແມ່ນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ແລະທົນທານຕໍ່ສານເຄມີ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມໃນເວລາທີ່ມັນມາກັບຂະບວນການຈັດການ wafer ເຊັ່ນ epitaxy ແລະ MOCVD, Semicorex's High-Temperature SiC Coating for Plasma Etch Chambers is the top choice. ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂອງພວກເຮົາໃຫ້ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ, ເຖິງແມ່ນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີທີ່ທົນທານຍ້ອນການເຄືອບ Crystal SiC ທີ່ດີຂອງພວກເຮົາ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມSemicorex's ICP Plasma Etching Tray ແມ່ນວິສະວະກໍາໂດຍສະເພາະສໍາລັບຂະບວນການຈັດການ wafer ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງເຊັ່ນ epitaxy ແລະ MOCVD. ດ້ວຍຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ຄວາມຕ້ານທານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1600 ° C, ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂອງພວກເຮົາສະຫນອງເຖິງແມ່ນໂປຣໄຟລຄວາມຮ້ອນ, ຮູບແບບການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ laminar, ແລະປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນຫຼືການແຜ່ກະຈາຍຂອງ impurities.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ SiC Coated ຂອງ Semicorex ສໍາລັບລະບົບ ICP Plasma Etching System ເປັນການແກ້ໄຂທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ແລະປະຫຍັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍສໍາລັບຂະບວນການຈັດການ wafer ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງເຊັ່ນ epitaxy ແລະ MOCVD. ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂອງພວກເຮົາມີສານເຄືອບ Crystal SiC ທີ່ດີທີ່ໃຫ້ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ, ເຖິງແມ່ນວ່າຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມຮ້ອນ, ແລະທົນທານຕໍ່ສານເຄມີທີ່ທົນທານ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມ