Susceptor ກັບ Grid

Semicorex Susceptor ກັບຕາຂ່າຍໄຟຟ້າເປັນອົງປະກອບພິເສດທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ຂອງ wafers semiconductor. ຊິ້ນສ່ວນທີ່ສໍາຄັນຂອງອຸປະກອນນີ້ຖືກອອກແບບມາເພື່ອປະຕິບັດແລະສະຫນັບສະຫນູນ wafers ໃນໄລຍະການຝາກຂອງວັດສະດຸໃນລະບົບ Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). Susceptor ກັບ Grid ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການຮັບປະກັນການຂະຫຍາຍຕົວເປັນເອກະພາບແລະຄວບຄຸມຂອງຊັ້ນ epitaxial ໃນ wafer semiconductor.

Susceptor ກັບຕາຂ່າຍໄຟຟ້າແມ່ນການກໍ່ສ້າງດ້ວຍວັດສະດຸທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການທໍາງານຂອງມັນ. ໃນກໍລະນີນີ້, ມັນແມ່ນເຮັດດ້ວຍ MOCVD SiC (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) ເຄືອບ graphite. ທາງເລືອກຂອງວັດສະດຸນີ້ໃຫ້ຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼາຍຢ່າງ, ລວມທັງການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງສານເຄມີ, ແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ. ການເຄືອບ SiC ເທິງ graphite ເສີມຂະຫຍາຍຄວາມທົນທານຂອງ susceptor ແລະຄວາມຕ້ານທານກັບສະພາບ harsh ພົບໃນລະຫວ່າງຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial.

Susceptor ກັບໂຄງສ້າງຕາຂ່າຍໄຟຟ້າເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນກົນໄກສະຫນັບສະຫນູນສໍາລັບ wafers semiconductor. ມັນໄດ້ຖືກອອກແບບຍຸດທະສາດເພື່ອຍຶດ wafers ໄວ້ຢ່າງປອດໄພໃນຂະນະທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ມີການໄຫຼຂອງທາດອາຍຜິດທີ່ມີປະສິດທິພາບແລະການຊຶມເຊື້ອຂອງວັດສະດຸ. ຮູບແບບຕາຂ່າຍໄຟຟ້າຊ່ວຍແຈກຢາຍຄວາມຮ້ອນແລະ reactants ເທົ່າທຽມກັນໃນທົ່ວຫນ້າດິນ wafer, ປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນຂອງຄວາມຫນາຂອງຊັ້ນ epitaxial ແລະອົງປະກອບ.

Semicorex Susceptor ກັບຕາຂ່າຍໄຟຟ້າແມ່ນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນຂະບວນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ກ້າວຫນ້າ. ການກໍ່ສ້າງທີ່ເຂັ້ມແຂງແລະການອອກແບບພິເສດຂອງມັນເຮັດໃຫ້ມັນເປັນເຄື່ອງມືທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບການບັນລຸການເຕີບໂຕຂອງ epitaxial ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ຮັບປະກັນການຜະລິດ semiconductors ທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື.