Wafer Carrier

· ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ທີ່​ດີ​ເລີດ​: ການ​ອໍາ​ນວຍ​ຄວາມ​ສະ​ດວກ​ການ​ຖ່າຍ​ໂອນ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ປະ​ສິດ​ທິ​ພາບ​, ທີ່​ຈໍາ​ເປັນ​ໃນ​ລະ​ຫວ່າງ​ການ​ຂະ​ຫຍາຍ​ຕົວ​ຂອງ semiconductor epitaxial​.

· ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ: ການເຄືອບ SiC ທົນທານຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງ, ຮັບປະກັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຮັກສາການປະຕິບັດຂອງມັນຕະຫຼອດວົງຈອນຄວາມຮ້ອນໃນເຕົາປະຕິກອນ.

· ການຕໍ່ຕ້ານການກັດກ່ອນທາງເຄມີ: ການເຄືອບ SiC ປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແລະການກັດກ່ອນຂອງຜູ້ຂົນສົ່ງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຈາກທາດອາຍຜິດ reactive ທີ່ພົບເລື້ອຍໆໃນລະຫວ່າງການ epitaxy.

· ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງມິຕິມິຕິ: ການປະສົມປະສານຂອງ SiC ແລະ graphite ຮັບປະກັນວ່າຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຮັກສາຮູບຮ່າງແລະຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງຕົນໃນໄລຍະເວລາ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການຜິດປົກກະຕິໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການຍາວ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນ Semiconductor Epitaxy ການຂະຫຍາຍຕົວ

Epitaxy ແມ່ນຂະບວນການທີ່ຊັ້ນບາງໆຂອງວັດສະດຸ semiconductor ຖືກຝາກໄວ້ໃນຊັ້ນໃຕ້ດິນ, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວເປັນ wafer, ເພື່ອສ້າງໂຄງສ້າງຂອງເສັ້ນດ່າງໄປເຊຍກັນ. ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການນີ້, ການຈັດການ wafer ຄວາມແມ່ນຍໍາແມ່ນສໍາຄັນ, ຍ້ອນວ່າການບິດເບືອນເລັກນ້ອຍໃນການຈັດຕໍາແຫນ່ງ wafer ສາມາດເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມບົກຜ່ອງຫຼືການປ່ຽນແປງໃນໂຄງສ້າງຊັ້ນ.

Wafer Carrier ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການຮັບປະກັນວ່າ wafers semiconductor ໄດ້ຖືກຖືຢ່າງປອດໄພແລະວາງຕໍາແຫນ່ງຢ່າງຖືກຕ້ອງໃນລະຫວ່າງຂະບວນການນີ້. ການປະສົມປະສານຂອງ SiC-coated graphite ສະຫນອງຄຸນລັກສະນະການປະຕິບັດທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບ silicon carbide (SiC) epitaxy, ຂະບວນການທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນໄຟຟ້າພະລັງງານ, optoelectronics, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ semiconductor ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານອື່ນໆ.

ໂດຍສະເພາະ, ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ Wafer:

· ສະຫນອງການສອດຄ່ອງ wafer ທີ່ຊັດເຈນ: ຮັບປະກັນຄວາມເປັນເອກະພາບໃນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊັ້ນ epitaxial ໃນທົ່ວ wafer, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບຜົນຜະລິດອຸປະກອນແລະປະສິດທິພາບ.

· ທົນທານຕໍ່ວົງຈອນຄວາມຮ້ອນ: SiC-coated graphite ຍັງຄົງຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະເຊື່ອຖືໄດ້, ເຖິງແມ່ນວ່າຢູ່ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 2000 ° C, ຮັບປະກັນການຈັດການ wafer ສອດຄ່ອງຕະຫຼອດຂະບວນການ.

· ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນຂອງ wafer: ອົງປະກອບຂອງວັດສະດຸທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຮັບປະກັນວ່າ wafer ບໍ່ໄດ້ສໍາຜັດກັບສິ່ງປົນເປື້ອນທີ່ບໍ່ຕ້ອງການໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial.

ໃນເຄື່ອງປະຕິກອນ semiconductor epitaxy, Wafer Carrier ແມ່ນຖືກຈັດໃສ່ຢູ່ໃນຫ້ອງ reactor, ບ່ອນທີ່ມັນເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນເວທີສະຫນັບສະຫນູນສໍາລັບ wafer. ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການອະນຸຍາດໃຫ້ wafer ປະເຊີນກັບອຸນຫະພູມສູງແລະທາດອາຍຜິດ reactive ທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ໂດຍບໍ່ມີການປະນີປະນອມຄວາມສົມບູນຂອງ wafer ໄດ້. ການເຄືອບ SiC ປ້ອງກັນປະຕິສໍາພັນທາງເຄມີກັບອາຍແກັສ, ຮັບປະກັນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງວັດສະດຸທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ບໍ່ມີຂໍ້ບົກພ່ອງ.

ຂໍ້ດີຂອງ SiC Coated Graphite Wafer Carrier

1. ປັບປຸງຄວາມທົນທານ: ການເຄືອບ SiC ເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານການສວມໃສ່ຂອງວັດສະດຸ graphite, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຂອງການເຊື່ອມໂຊມໃນໄລຍະການນໍາໃຊ້ຫຼາຍ.

2. ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງ: ຜູ້ບັນທຸກ Wafer ສາມາດທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມທີ່ຮຸນແຮງທົ່ວໄປໃນ furnaces ການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial, ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງຂອງຕົນໂດຍບໍ່ມີການ warping ຫຼື cracking.

3. ການປັບປຸງຜົນຜະລິດແລະປະສິດທິພາບຂະບວນການ: ໂດຍການຮັບປະກັນ wafers ໄດ້ຖືກຈັດການຢ່າງປອດໄພແລະສອດຄ່ອງ, SiC-coated graphite Wafer Carrier ຈະຊ່ວຍປັບປຸງຜົນຜະລິດໂດຍລວມແລະປະສິດທິພາບຂອງຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial.

4. ຕົວເລືອກການປັບແຕ່ງ: ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ຕາມຂະຫນາດແລະການຕັ້ງຄ່າເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງເຄື່ອງປະຕິກອນ epitaxial ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ສະຫນອງຄວາມຍືດຫຍຸ່ນສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ຫລາກຫລາຍຂອງ semiconductor.

SemicorexSiC-coated graphiteWafer Carrier ເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor, ສະຫນອງການແກ້ໄຂທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບການຈັດການ wafer ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial. ດ້ວຍການປະສົມປະສານຂອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ, ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ມັນຮັບປະກັນການຈັດການທີ່ຊັດເຈນແລະເຊື່ອຖືໄດ້ຂອງ wafers semiconductor, ນໍາໄປສູ່ຜົນໄດ້ຮັບທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແລະການປັບປຸງຜົນຜະລິດໃນຂະບວນການ epitaxy. ບໍ່ວ່າຈະເປັນສໍາລັບ silicon carbide epitaxy ຫຼືຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ semiconductor ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານອື່ນໆ, Wafer Carrier ນີ້ສະຫນອງຄວາມທົນທານແລະປະສິດທິພາບທີ່ຈໍາເປັນເພື່ອຕອບສະຫນອງມາດຕະຖານທີ່ແນ່ນອນຂອງການຜະລິດ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ.