Ceramic End Effector

Semicorex ແມ່ນຄູ່ຮ່ວມງານຂອງທ່ານສໍາລັບອົງປະກອບ graphite ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະເຄື່ອງປະກອບເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນການຜະລິດທີ່ສູງຂຶ້ນແລະຜົນຜະລິດທີ່ດີກວ່າໃນອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງ semiconductor ຂອງທ່ານ. ຜູ້ຊ່ຽວຊານດ້ານວັດສະດຸຂອງພວກເຮົາພ້ອມທີ່ຈະເຮັດວຽກກັບທ່ານເພື່ອພັດທະນາການແກ້ໄຂທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສຸດສໍາລັບການຈັດການ wafer, ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ, ແລະການປຸງແຕ່ງຄວາມຕ້ອງການຂອງທ່ານ. Ceramic End Effector ຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາຫຼາຍຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

Ceramic End Effector ແມ່ນມືຂອງຫຸ່ນຍົນທີ່ເຄື່ອນຍ້າຍ wafers semiconductor ລະຫວ່າງຕໍາແຫນ່ງໃນອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງ wafer ແລະ carriers. End effector ຕ້ອງມີຄວາມຊັດເຈນທາງດ້ານມິຕິແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນ, ໃນຂະນະທີ່ມີພື້ນຜິວທີ່ລຽບ, ທົນທານຕໍ່ຮອຍຂີດຂ່ວນເພື່ອຈັດການກັບ wafers ຢ່າງປອດໄພໂດຍບໍ່ມີການທໍາລາຍອຸປະກອນຫຼືການຜະລິດການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກ. ຊິລິຄອນຄາໄບທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງພວກເຮົາ Ceramic End Effector ສະຫນອງການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ, ເຖິງແມ່ນວ່າຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຊັ້ນ epic ທີ່ສອດຄ່ອງແລະການຕໍ່ຕ້ານ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີທີ່ທົນທານ.

ທີ່ Semicorex, ພວກເຮົາສຸມໃສ່ການສະຫນອງຄຸນນະພາບສູງ, ປະສິດທິພາບ Ceramic End Effector, ພວກເຮົາຈັດລໍາດັບຄວາມສໍາຄັນຄວາມພໍໃຈຂອງລູກຄ້າແລະສະຫນອງການແກ້ໄຂຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໄລຍະຍາວຂອງທ່ານ, ການສະຫນອງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແລະການບໍລິການລູກຄ້າພິເສດ.

ພາລາມິເຕີຂອງ Ceramic End Effector

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC
ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J kg-1 K-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300