Barrel Susceptor ທີ່ມີການເຄືອບ SiC ໃນ Semiconductor

ຖ້າທ່ານກໍາລັງຊອກຫາຕົວຍຶດ graphite ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ເຄືອບດ້ວຍ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, Semicorex Barrel Susceptor ທີ່ມີການເຄືອບ SiC ໃນ Semiconductor ແມ່ນທາງເລືອກທີ່ສົມບູນແບບ. ຄຸນສົມບັດການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນແລະການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ພິເສດຂອງມັນເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນການຜະລິດ semiconductor.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

The Semicorex Barrel Susceptor with SiC Coating in Semiconductor is a premium quality graphite product coated with high-purity SiC, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະ corrosive. ຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ດີເລີດແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນສະຫນອງການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນພິເສດແລະການປົກປ້ອງໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການຜະລິດ semiconductor.
ທີ່ Semicorex, ພວກເຮົາສຸມໃສ່ການສະຫນອງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ປະຫຍັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃຫ້ແກ່ລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາ. Barrel Susceptor ຂອງພວກເຮົາທີ່ມີການເຄືອບ SiC ໃນ Semiconductor ມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາແລະຖືກສົ່ງອອກໄປຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາຫຼາຍ. ພວກເຮົາມີຈຸດປະສົງເພື່ອເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໃນໄລຍະຍາວຂອງທ່ານ, ສະຫນອງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບສອດຄ່ອງແລະການບໍລິການລູກຄ້າພິເສດ.

ຕົວກໍານົດການຂອງ Barrel Susceptor ທີ່ມີການເຄືອບ SiC ໃນ Semiconductor

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC
ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J kg-1 K-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300

ຄຸນນະສົມບັດຂອງ Barrel Susceptor ທີ່ມີການເຄືອບ SiC ໃນ Semiconductor

- ທັງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ແລະຊັ້ນ silicon carbide ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ດີແລະສາມາດມີບົດບາດປ້ອງກັນທີ່ດີໃນອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບແວດລ້ອມການເຮັດວຽກທີ່ກັດກ່ອນ.

- susceptor ເຄືອບ Silicon carbide ໃຊ້ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວມີຄວາມຮາບພຽງຢູ່ດ້ານສູງຫຼາຍ.

- ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມແຕກຕ່າງຂອງຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ແລະຊັ້ນ silicon carbide, ປະສິດທິຜົນປັບປຸງຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງພັນທະບັດເພື່ອປ້ອງກັນການແຕກແລະ delamination.

- ທັງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ແລະຊັ້ນ silicon carbide ມີ conductivity ຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະຄຸນສົມບັດການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ.

- ຈຸດ melting ສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion.