> ຂ່າວ

ຂ່າວ

ບັນລຸການເຕີບໂຕຂອງ SiC Crystal ຄຸນນະພາບສູງຜ່ານການຄວບຄຸມລະດັບຄວາມສູງຂອງອຸນຫະພູມໃນຂັ້ນຕອນການຂະຫຍາຍຕົວເບື້ອງຕົ້ນ

Silicon carbide (SiC) ເປັນອຸປະກອນ semiconductor ກວ້າງ bandgap ທີ່ໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້ເນື່ອງຈາກປະສິດທິພາບພິເສດຂອງມັນໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີແຮງດັນສູງແລະອຸນຫະພູມສູງ. ການສຶກສານີ້ຂຸດຄົ້ນຢ່າງເປັນລະບົບກ່ຽວກັບຄຸນລັກສະນະຕ່າງໆຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ທີ່ປູກໂດຍໃຊ້ເງື່ອນໄຂຂະບວນການດັດແກ້.

ອ່ານຕື່ມ

ການລະບາຍຄວາມຮ້ອນແມ່ນຫຍັງ

ຂະບວນການຫມູນວຽນ, ເຊິ່ງເອີ້ນກັນວ່າ Thermal Annealing, ແມ່ນຂັ້ນຕອນທີ່ສໍາຄັນໃນການຜະລິດ semiconductor.

ອ່ານຕື່ມ

ການສຶກສາກ່ຽວກັບ Reaction-Sintered SiC Ceramics ແລະຄຸນສົມບັດຂອງເຂົາເຈົ້າ

Silicon carbide (SiC) ແມ່ນສານປະສົມທີ່ສ້າງຂຶ້ນໂດຍພັນທະບັດ covalent ລະຫວ່າງອະຕອມຊິລິໂຄນແລະຄາບອນ, ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ທີ່ດີເລີດ, ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມຕ້ານທານ corrosion, ແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ.

ອ່ານຕື່ມ

ເປັນຫຍັງຕ້ອງໃຊ້ການທໍາຄວາມສະອາດ Ultrasonic ໃນການຜະລິດ Semiconductor

ໃນເວລາທີ່ທໍາຄວາມສະອາດ wafers, ການທໍາຄວາມສະອາດ ultrasonic ແລະການທໍາຄວາມສະອາດ megasonic ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປເພື່ອເອົາອະນຸພາກອອກຈາກຫນ້າດິນ wafer.

ອ່ານຕື່ມ

Silicon Carbide Ceramic ຖືກນໍາໃຊ້ແນວໃດແລະອະນາຄົດຂອງມັນແມ່ນຫຍັງໃນການສວມໃສ່ແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ?

Silicon carbide (SiC) ceramics, ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ, ຄວາມແຂງ, ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນທ່າແຮງອັນໃຫຍ່ຫຼວງແລະມູນຄ່າໃນທົ່ວຂະແຫນງອຸດສາຫະກໍາຈໍານວນຫລາຍນັບຕັ້ງແຕ່ການນໍາສະເຫນີຂອງເຂົາເຈົ້າ.

ອ່ານຕື່ມ

ການສຶກສາກ່ຽວກັບການແຜ່ກະຈາຍຂອງຄວາມຕ້ານທານໄຟຟ້າໃນ n-Type 4H-SiC Crystals

4H-SiC, ເປັນວັດສະດຸ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ, ມີຊື່ສຽງສໍາລັບແຖບກວ້າງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີແລະຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ເຮັດໃຫ້ມັນມີມູນຄ່າສູງໃນການນໍາໃຊ້ພະລັງງານແລະຄວາມຖີ່ສູງ.

ອ່ານຕື່ມ

<...28 29 30 31 32...57 >