> ຂ່າວ

ຂ່າວ

ວິທີການຂອງ AlN Crystal Growth

AlN, ເປັນວັດສະດຸ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ, ບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນແສງສະຫວ່າງສີຟ້າແລະແສງສະຫວ່າງ ultraviolet ທີ່ສໍາຄັນ, ແຕ່ຍັງເປັນອຸປະກອນການຫຸ້ມຫໍ່ທີ່ສໍາຄັນ, ການແຍກ dielectric ແລະ insulation ສໍາລັບອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກແລະວົງຈອນປະສົມປະສານ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບອຸປະກອນອຸນຫະພູມສູງແລະພະລັງງານສູງ. . ນອກຈາກນັ້ນ, A......

ອ່ານຕື່ມ

TaC Coating Crucible ສໍາລັບ AlN Crystal Growth

ການຜະລິດທີ່ສາມຂອງວັດສະດຸ semiconductor AlN ເປັນຂອງ semiconductor bandgap ໂດຍກົງ, bandwidth ຂອງ 6.2 eV, ມີ conductivity ຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄວາມຕ້ານທານ, ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງພາກສະຫນາມ breakdown, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີແລະຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນແສງສະຫວ່າງສີຟ້າທີ່ສໍາຄັນ, ວັດສະດຸ ultraviolet. , ຫ......

ອ່ານຕື່ມ

ອຸປະກອນ LPE

ໃນໂລກຂອງການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor, ການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນຂອງການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນແມ່ນສໍາຄັນທີ່ສຸດສໍາລັບການບັນລຸອຸປະກອນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແລະເຊື່ອຖືໄດ້. ເຕັກນິກຫນຶ່ງທີ່ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນໂດເມນນີ້ແມ່ນ Liquid-Phase Epitaxy (LPE).

ອ່ານຕື່ມ

ການເຄືອບ Tantalum carbide ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor

ການພັດທະນາ LEDs ສີຟ້າແລະ UV ທີ່ມີພະລັງງານສູງໄດ້ເຮັດໃຫ້ການສ້າງໂທລະພາບ LED ເຕັມສີ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລົດຍົນ LED ສີຂາວແລະແສງສະຫວ່າງພາຍໃນປະເທດ. LEDs ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນອີງໃສ່ Gallium Nitride, ເຊິ່ງຖືກຝາກໄວ້ໃນ wafers substrate ສະຫນັບສະຫນູນໂດຍ CVD SiC-coated graphite susceptor ໂດຍໃຊ້ຂະບວນການ MOCVD.

ອ່ານຕື່ມ

graphite porous ແມ່ນຫຍັງ?

Porous graphite, ຊຶ່ງເອີ້ນກັນວ່າ porous carbon ຫຼື porous graphite material, ແມ່ນຮູບແບບ graphite ທີ່ໄດ້ຮັບການອອກແບບພິເສດເພື່ອໃຫ້ມີເຄືອຂ່າຍເຊື່ອມຕໍ່ກັນຂອງ pores ຫຼື voids ພາຍໃນໂຄງສ້າງຂອງມັນ.

ອ່ານຕື່ມ

ວິທີການຜະລິດ Graphite Rods?

ການບີບອັດ molding, ການກົດ isostatic, ແລະ extrusion rod ແມ່ນສາມວິທີການທົ່ວໄປທີ່ສຸດສໍາລັບການຜະລິດ rods graphite, ຄ້າຍຄືກັນກັບການນໍາໃຊ້ສໍາລັບການສ້າງທໍ່ graphite.

ອ່ານຕື່ມ

<...30 31 32 33 34...40 >