> ຂ່າວ

ຂ່າວ

SiGe ໃນການຜະລິດຊິບ: ບົດລາຍງານຂ່າວທີ່ເປັນມືອາຊີບ

ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການປະສິດທິພາບສູງແລະການບໍລິໂພກພະລັງງານຕ່ໍາໃນອານາເຂດຂອງເຕັກໂນໂລຊີ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ, SiGe (Silicon Germanium) ໄດ້ກາຍເປັນວັດສະດຸປະສົມຂອງທາງເລືອກໃນການຜະລິດ chip semiconductor ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະໄຟຟ້າເປັນເອກະລັກ.

ອ່ານຕື່ມ

ຫນ່ວຍບໍລິການໃນ semiconductor: Angstrom

ເປັນຫົວໜ່ວຍຂອງຄວາມຍາວ, Angstrom (Å) ແມ່ນຢູ່ທົ່ວທຸກແຫ່ງໃນການຜະລິດວົງຈອນລວມ. ຈາກການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນຂອງຄວາມຫນາຂອງວັດສະດຸເພື່ອ miniaturization ແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງຂະຫນາດອຸປະກອນ, ຄວາມເຂົ້າໃຈແລະການນໍາໃຊ້ຂະຫນາດ Angstrom ເປັນຫຼັກເພື່ອຮັບປະກັນການພັດທະນາຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງເຕັກໂນໂລຊີ semiconductor.

ອ່ານຕື່ມ

ການສັງເຄາະຜົງ Silicon Carbide ຄວາມບໍລິສຸດສູງ

ຝຸ່ນ Silicon Carbide ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງມີລັກສະນະພິເສດຂອງແຖບກວ້າງ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອຸປະກອນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງ, ພະລັງງານສູງ.

ອ່ານຕື່ມ

ເກືອບ 840 ລ້ານໂດລາ: Onsemi ຊື້ບໍລິສັດ SiC

ໃນມື້ນີ້, Onsemi ປະກາດຢູ່ໃນເວັບໄຊທ໌ທາງການຂອງຕົນວ່າມັນໄດ້ບັນລຸຂໍ້ຕົກລົງກັບ Qorvo ເພື່ອຊື້ທຸລະກິດເຕັກໂນໂລຢີ SiC JFET ແລະບໍລິສັດຍ່ອຍຂອງ Qorvo.

ອ່ານຕື່ມ

ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ Graphitization ແລະ Carbonization ແມ່ນຫຍັງ

ສະຫຼຸບແລ້ວ, ທັງ graphitization ແລະ carbonization ແມ່ນຂະບວນການອຸດສາຫະກໍາທີ່ປະກອບດ້ວຍຄາບອນບໍ່ວ່າຈະເປັນ reactant ຫຼືຜະລິດຕະພັນ. Carbonization ຫມາຍເຖິງຂະບວນການຂອງການປ່ຽນທາດອິນຊີເປັນຄາບອນ, ໃນຂະນະທີ່ graphitization ກ່ຽວຂ້ອງກັບການປ່ຽນຄາບອນເປັນ graphite. ດັ່ງນັ້ນ, ກາກບອນໄດ້ຖືກຈັດປະເພດເປັນການປ່ຽນແປງທາງເຄມີ, ......

ອ່ານຕື່ມ

ຕົວກໍານົດການຂະບວນການ etching

ການປັກແສ່ວເປັນຂັ້ນຕອນທີ່ສໍາຄັນໃນການຜະລິດຊິບ, ໃຊ້ເພື່ອສ້າງໂຄງສ້າງວົງຈອນນາທີໃນຊິລິໂຄນ wafers.

ອ່ານຕື່ມ

<...4 5 6 7 8...37 >