ລາວ
ບ້ານ > ຂ່າວ

ຂ່າວ

ການປະສົມປະສານຂອງ AI ແລະຟີຊິກ: ນະວັດຕະກໍາເຕັກໂນໂລຢີ CVD ທີ່ຢູ່ເບື້ອງຫຼັງລາງວັນ Nobel

ການປະສົມປະສານຂອງ AI ແລະຟີຊິກ: ນະວັດຕະກໍາເຕັກໂນໂລຢີ CVD ທີ່ຢູ່ເບື້ອງຫຼັງລາງວັນ Nobel

ການປະກາດເມື່ອບໍ່ດົນມານີ້ຂອງລາງວັນໂນແບລດ້ານຟີຊິກສາດປີ 2024 ໄດ້ນໍາເອົາຄວາມສົນໃຈທີ່ບໍ່ເຄີຍມີມາກ່ອນໃນພາກສະຫນາມຂອງປັນຍາປະດິດ.

ອ່ານ​ຕື່ມ
ຂະບວນການ doping semiconductor

ຂະບວນການ doping semiconductor

ຫນຶ່ງໃນຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງວັດສະດຸ semiconductor ແມ່ນວ່າ conductivity ຂອງພວກມັນ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບປະເພດຂອງ conductivity (N-type ຫຼື P-type), ສາມາດສ້າງແລະຄວບຄຸມໂດຍຜ່ານຂະບວນການທີ່ເອີ້ນວ່າ doping. ນີ້ກ່ຽວຂ້ອງກັບການນໍາສະເຫນີ impurities ພິເສດ, ທີ່ຮູ້ຈັກເປັນ dopants, ເຂົ້າໄປໃນອຸປະກອນການທີ່ຈະປະກອບເປັນ j......

ອ່ານ​ຕື່ມ
ຂະບວນການ PECVD

ຂະບວນການ PECVD

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ແມ່ນເທັກໂນໂລຍີທີ່ໃຊ້ກັນຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດຊິບ. ມັນໃຊ້ພະລັງງານ kinetic ຂອງເອເລັກໂຕຣນິກພາຍໃນ plasma ເພື່ອກະຕຸ້ນປະຕິກິລິຍາທາງເຄມີໃນໄລຍະອາຍແກັສ, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງບັນລຸການຊຶມເຊື້ອຂອງແຜ່ນບາງໆ.

ອ່ານ​ຕື່ມ
ການກວດຫາຂໍ້ບົກພ່ອງໃນການປຸງແຕ່ງ Silicon Carbide Wafer

ການກວດຫາຂໍ້ບົກພ່ອງໃນການປຸງແຕ່ງ Silicon Carbide Wafer

substrates SiC ແມ່ນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດໃນອຸດສາຫະກໍາ silicon carbide, ກວມເອົາເກືອບ 50% ຂອງມູນຄ່າຂອງມັນ. ຖ້າບໍ່ມີຊັ້ນຍ່ອຍ SiC, ມັນເປັນໄປບໍ່ໄດ້ທີ່ຈະຜະລິດອຸປະກອນ SiC, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນພື້ນຖານວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນ.

ອ່ານ​ຕື່ມ
Dummy Wafer ແມ່ນຫຍັງ

Dummy Wafer ແມ່ນຫຍັງ

A Dummy Wafer ແມ່ນ wafer ພິເສດທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍເພື່ອຕື່ມຂໍ້ມູນໃສ່ອຸປະກອນເຄື່ອງຈັກໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຜະລິດ wafer.

ອ່ານ​ຕື່ມ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ GaN

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ GaN

ມີຫຼາຍຊະນິດຂອງ gallium nitride (GaN), ເຊິ່ງ GaN ທີ່ອີງໃສ່ຊິລິໂຄນໄດ້ຖືກປຶກສາຫາລືຫຼາຍທີ່ສຸດ. ເທກໂນໂລຍີນີ້ກ່ຽວຂ້ອງກັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງວັດສະດຸ GaN ໂດຍກົງໃສ່ຊັ້ນຍ່ອຍຊິລິໂຄນ.

ອ່ານ​ຕື່ມ
<...56789...37>
ກົດ ENTER ເພື່ອຄົ້ນຫາຫລື ESC ເພື່ອປິດ
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept