> ຂ່າວ

ຂ່າວ

ການຄົ້ນຄວ້າຄວາມຄືບຫນ້າຂອງການເຄືອບ TaC ກ່ຽວກັບພື້ນຜິວວັດສະດຸຄາບອນ

ວັດສະດຸທີ່ອີງໃສ່ຄາບອນເຊັ່ນ: ກຣາຟ, ເສັ້ນໃຍກາກບອນ, ແລະຄາບອນ / ຄາບອນ (C / C) ປະສົມແມ່ນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄວາມເຂັ້ມແຂງສະເພາະສູງ, ໂມດູນສະເພາະສູງ, ແລະຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. . ວັດສະດຸເຫຼົ່ານີ້ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການບິນອະວະກາດ, ວິສະວະກໍາເຄມີ, ແລ......

ອ່ານຕື່ມ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ Gallium Nitride (GaN) Substrate ແມ່ນຫຍັງ?

Gallium Nitride (GaN) ເປັນວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນໃນເທກໂນໂລຍີ semiconductor, ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄຸນສົມບັດເອເລັກໂຕຣນິກແລະ optical ພິເສດ. GaN, ເປັນ semiconductor ກວ້າງ bandgap, ມີພະລັງງານ bandgap ປະມານ 3.4 eV, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີພະລັງງານສູງແລະຄວາມຖີ່ສູງ.

ອ່ານຕື່ມ

ການທົບທວນຄືນ 9 ເຕັກນິກການ Sintering ສໍາລັບ Silicon Carbide Ceramics

Silicon carbide (SiC), ເປັນເຊລາມິກໂຄງສ້າງທີ່ໂດດເດັ່ນ, ມີຊື່ສຽງສໍາລັບຄຸນສົມບັດພິເສດ, ລວມທັງຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມແຂງ, modulus elastic, ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່, ການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion. ຄຸນລັກສະນະເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ຫລາກຫລາຍ, ຈາກການນໍາໃຊ້ອຸດສາຫະກໍາແບບດັ້ງ......

ອ່ານຕື່ມ

ສິ່ງທ້າທາຍດ້ານເຕັກນິກໃນ Silicon Carbide Crystal Growth Furnaces

Silicon carbide (SiC) ໄປເຊຍກັນ furnaces ການຂະຫຍາຍຕົວເປັນພື້ນຖານຂອງການຜະລິດ SiC wafer. ໃນຂະນະທີ່ແບ່ງປັນຄວາມຄ້າຍຄືກັນກັບເຕົາເຜົາການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມ, SiC furnaces ປະເຊີນກັບສິ່ງທ້າທາຍທີ່ເປັນເອກະລັກເນື່ອງຈາກເງື່ອນໄຂການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ຮຸນແຮງຂອງວັດສະດຸແລະກົນໄກການສ້າງຂໍ້ບົກພ່ອງທີ່ສັບສົນ. ສິ່ງທ້າທາຍ......

ອ່ານຕື່ມ

ເທກໂນໂລຍີການບໍລິສຸດຂອງ Graphite ໃນ SiC semiconductor

Graphite ມີຄວາມສໍາຄັນໃນການຜະລິດຊິລິໂຄນຄາໂບໄຮເດດ (SiC) semiconductors, ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນແລະໄຟຟ້າພິເສດຂອງເຂົາເຈົ້າ. ນີ້ເຮັດໃຫ້ SiC ເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີພະລັງງານສູງ, ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະຄວາມຖີ່ສູງ. ໃນການຜະລິດ semiconductor SiC, graphite ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປສໍາລັບ crucibles, ເຄື່ອງເ......

ອ່ານຕື່ມ

ວິທີການຂອງການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ GaN

ໃນເວລາທີ່ການຜະລິດຊັ້ນນໍາໄປເຊຍກັນ GaN ຂະຫນາດໃຫຍ່, HVPE ໃນປັດຈຸບັນແມ່ນທາງເລືອກທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບການຄ້າ. ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການດ້ານຫລັງຂອງ GaN ທີ່ເຕີບໃຫຍ່ບໍ່ສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ຊັດເຈນ.

ອ່ານຕື່ມ

<...5 6 7 8 9...30 >