Barrel Susceptor ສໍາລັບ Liquid Phase Epitaxy

ຖ້າທ່ານຕ້ອງການ graphite susceptor ທີ່ສາມາດປະຕິບັດຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະສອດຄ່ອງໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະ corrosive ທີ່ສຸດ, Semicorex Barrel Susceptor ສໍາລັບ Liquid Phase Epitaxy ແມ່ນທາງເລືອກທີ່ສົມບູນແບບ. ການເຄືອບ silicon carbide ຂອງມັນສະຫນອງການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ, ຮັບປະກັນປະສິດທິພາບພິເສດໃນການນໍາໃຊ້ການຜະລິດ semiconductor.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

Semicorex Barrel Susceptor ສໍາລັບ Liquid Phase Epitaxy ແມ່ນທາງເລືອກທີ່ໄປເຖິງສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການຜະລິດ semiconductor ທີ່ຕ້ອງການຄວາມຮ້ອນສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion. ການເຄືອບ SiC ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນພິເສດສະຫນອງການປົກປ້ອງແລະຄຸນສົມບັດການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ, ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ຫນ້າເຊື່ອຖືແລະສອດຄ່ອງໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ທ້າທາຍທີ່ສຸດ.

Barrel Susceptor ຂອງພວກເຮົາສໍາລັບ Liquid Phase Epitaxy ໄດ້ຖືກອອກແບບເພື່ອບັນລຸຮູບແບບການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ laminar ທີ່ດີທີ່ສຸດ, ຮັບປະກັນຄວາມສະເຫມີພາບຂອງໂປຣໄຟລ໌ຄວາມຮ້ອນ. ນີ້ຊ່ວຍປ້ອງກັນການປົນເປື້ອນຫຼືການແຜ່ກະຈາຍຂອງ impurities, ຮັບປະກັນການເຕີບໂຕຂອງ epitaxial ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງໃນຊິບ wafer.

ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາໃນມື້ນີ້ເພື່ອຮຽນຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບ Barrel Susceptor ຂອງພວກເຮົາສໍາລັບ Liquid Phase Epitaxy.

ຕົວກໍານົດການຂອງ Barrel Susceptor ສໍາລັບໄລຍະຂອງແຫຼວ Epitaxy

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC
ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J kg-1 K-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300

ຄຸນສົມບັດຂອງ Barrel Susceptor ສໍາລັບ Liquid Phase Epitaxy

- ທັງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ແລະຊັ້ນ silicon carbide ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ດີແລະສາມາດມີບົດບາດປ້ອງກັນທີ່ດີໃນອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບແວດລ້ອມການເຮັດວຽກທີ່ກັດກ່ອນ.

- susceptor ເຄືອບ Silicon carbide ໃຊ້ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວມີຄວາມຮາບພຽງຢູ່ດ້ານສູງຫຼາຍ.

- ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມແຕກຕ່າງຂອງຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ແລະຊັ້ນ silicon carbide, ປະສິດທິຜົນປັບປຸງຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງພັນທະບັດເພື່ອປ້ອງກັນການແຕກແລະ delamination.

- ທັງຊັ້ນຍ່ອຍ graphite ແລະຊັ້ນ silicon carbide ມີ conductivity ຄວາມຮ້ອນສູງ, ແລະຄຸນສົມບັດການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ.

- ຈຸດ melting ສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion.