Ceramic Wafer Carrier

Semicorex ສະຫນອງເຊລາມິກຊັ້ນນໍາຂອງ semiconductor ສໍາລັບເຄື່ອງມືການຜະລິດເຄິ່ງ OEM ຂອງທ່ານແລະອົງປະກອບການຈັດການ wafer ສຸມໃສ່ຊັ້ນ silicon carbide ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ພວກເຮົາເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ Ceramic Wafer Carrier ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາມີປະໂຫຍດດ້ານລາຄາທີ່ດີແລະກວມເອົາສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier ມີຄວາມຕ້ານທານທີ່ດີຕໍ່ການກັດກ່ອນແລະການຕໍ່ຕ້ານທີ່ດີເລີດຕໍ່ກັບອຸນຫະພູມສູງແລະການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ. Modulus ສູງຂອງ elasticity ຍັງເຮັດໃຫ້ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງມິຕິລະດັບທີ່ດີເລີດ. ນອກຈາກນັ້ນ, ມີ porosity ສູນແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ pore ຕ່ໍາຂອງວັດສະດຸ ceramic.
ພວກເຮົາສາມາດປຸງແຕ່ງ Ceramic Wafer Carrier ທຸກປະເພດຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.

ຕົວກໍານົດການຂອງ Ceramic Wafer Carrier

ຄຸນສົມບັດດ້ານວິຊາການ
ດັດຊະນີ	ໜ່ວຍ	ມູນຄ່າ
ຊື່ວັດສະດຸ		ປະຕິກິລິຍາ Sintered Silicon Carbide	Pressureless Sintered Silicon Carbide	Recrystallized Silicon Carbide
ອົງປະກອບ		RBSiC	SSiC	R-SiC
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
ແຮງບີບອັດ	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
ຄວາມແຂງ	ປຸ່ມ	2700	2800	/
Breaking Tenacity	MPa m1/2	4.5	4	/
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	W/m.k	95	120	23
ຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ	10^-6.1/°C	5	4	4.7
ຄວາມຮ້ອນສະເພາະ	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
ອຸນຫະພູມສູງສຸດໃນອາກາດ	℃	1200	1500	1600
ໂມດູລສຕິກ	Gpa	360	410	240

Semicorex ຜະລິດ Ceramic Wafer Carbide ໃນສາມຮູບແບບ, Reaction sintered silicon carbide(RBSiC), Pressureless sintered silicon carbide(SSiC) ແລະ Recrystal silicon carbide(R-SiC).

ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ SSiC ແລະ RBSiC:

1. ຂະບວນການ Sintering ແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ. RBSiC ແມ່ນເພື່ອ infiltrate Si ຟຣີເຂົ້າໄປໃນ silicon carbide ຢູ່ໃນອຸນຫະພູມຕ່ໍາ, SSiC ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໂດຍການຫົດຕົວທໍາມະຊາດຢູ່ທີ່ 2100 ອົງສາ.

2. SSiC ມີພື້ນຜິວທີ່ລຽບກວ່າ, ຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງທີ່ສູງຂຶ້ນ, ສໍາລັບການປະທັບຕາບາງຢ່າງທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການດ້ານຫນ້າຢ່າງເຂັ້ມງວດ, SSiC ຈະດີກວ່າ.

3. ເວລາທີ່ໃຊ້ທີ່ແຕກຕ່າງກັນພາຍໃຕ້ PH ແລະອຸນຫະພູມທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, SSiC ແມ່ນຍາວກວ່າ RBSiC

ຄຸນນະສົມບັດຂອງ Ceramic Wafer Carrier

ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC coated graphite
ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ເໜືອກວ່າ & ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ
Fine SiC crystal coated ສໍາລັບຫນ້າກ້ຽງ
ທົນທານສູງຕໍ່ການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີ
ວັດສະດຸຖືກອອກແບບເພື່ອບໍ່ໃຫ້ຮອຍແຕກ ແລະ ຮອຍແຕກ.

ມີຮູບຮ່າງຂອງຊິລິຄອນຄາໄບເຊລາມິກ:

● rod Ceramic / ceramic pin / ceramic plunger

●ທໍ່ເຊລາມິກ / bushing ceramic / ເສອແຂນເຊລາມິກ

●ແຫວນເຊລາມິກ / ເຄື່ອງຊັກຜ້າເຊລາມິກ / ເຊລາມິກ spacer

● ແຜ່ນເຊລາມິກ

●ແຜ່ນເຊລາມິກ / ຕັນເຊລາມິກ

●ບານເຊລາມິກ

● ລູກສູບເຊລາມິກ

● nozzle ເຊລາມິກ

● crucible ເຊລາມິກ

●ພາກສ່ວນເຊລາມິກ custom ອື່ນໆ