N-type Silicon Carbide Powder

ຜົງ Semicorex N-type Silicon Carbide (SiC) ແມ່ນວັດສະດຸ SiC ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, doped ອອກແບບໂດຍສະເພາະສໍາລັບການນໍາໃຊ້ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ. Semicorex ມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະສະຫນອງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບໃນລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນ, ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ຜົງ Semicorex N-type Silicon Carbide (SiC) ແມ່ນວັດສະດຸ SiC ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, doped ອອກແບບໂດຍສະເພາະສໍາລັບການນໍາໃຊ້ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ. ຜົງ N-type Silicon Carbide ນີ້ມີລັກສະນະໄຟຟ້າທີ່ໂດດເດັ່ນແລະຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດຊິລິໂຄນຄາໄບໄປເຊຍກັນທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງຕ່າງໆ.

ຜົງ N-type Silicon Carbide ແມ່ນ doped ກັບໄນໂຕຣເຈນ (N), ເຊິ່ງແນະນໍາອິເລັກຕອນຟຣີເພີ່ມເຕີມເຂົ້າໄປໃນເສັ້ນໄຍໄປເຊຍກັນ SiC, ເສີມຂະຫຍາຍການນໍາໄຟຟ້າຂອງມັນ. ຝຸ່ນ N-type ນີ້ແມ່ນສໍາຄັນສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການຄຸນສົມບັດເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ຊັດເຈນ. ຜົງ N-type Silicon Carbide ຜ່ານຂະບວນການຊໍາລະທີ່ເຂັ້ມງວດເພື່ອບັນລຸລະດັບຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຫຼຸດຜ່ອນການປະກົດຕົວຂອງ impurities ທີ່ອາດຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງໄປເຊຍກັນແລະການປະຕິບັດຂອງຜະລິດຕະພັນສຸດທ້າຍ.

ຜົງ Semicorex N-type Silicon Carbide ປະກອບດ້ວຍອະນຸພາກທີ່ດີ, ຂະຫນາດເທົ່າທຽມກັນທີ່ສົ່ງເສີມການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກທີ່ເປັນເອກະພາບແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບໂດຍລວມຂອງໄປເຊຍກັນ silicon carbide.

ນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນ silicon carbide, ຝຸ່ນ Silicon Carbide N-type ນີ້ແມ່ນສ່ວນປະກອບໃນການຜະລິດອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານສູງ, ເຊັນເຊີອຸນຫະພູມສູງ, ແລະອົງປະກອບ optoelectronic ຕ່າງໆ. ມັນຍັງເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນການຄົ້ນຄວ້າແລະການພັດທະນາພາຍໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor.

ລັກສະນະ

ຕົວແບບ	ຄວາມບໍລິສຸດ	ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການຫຸ້ມຫໍ່	D10	D50	D90
SiC-N-S	> 6 ນ	<1.7g/cm3	100 ມມ	300 ມມ	500 ມມ
SiC-N-M	> 6 ນ	<1.3g/cm3	500 ມມ	1000μm	2000μm
SiC-N-L	> 6 ນ	<1.3g/cm3	1000μm	1500 ມມ	2500 ມມ