> ຂ່າວ

ຂ່າວ

ກ່ຽວກັບຂໍ້ບົກພ່ອງໃນໄປເຊຍກັນ SiC - Micropipe

SiC substrate ສາມາດມີຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງກ້ອງຈຸລະທັດ, ເຊັ່ນ: Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD), ແລະອື່ນໆ. ຂໍ້ບົກພ່ອງເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນເກີດມາຈາກການ deviations ໃນການຈັດລຽງຂອງປະລໍາມະນູໃນລະດັບປະລໍາມະນູ. ໄປເຊຍກັນ SiC ອາດຈະມີການເຄື່ອນທີ່ຂອງມະຫາພາກເຊັ່ນ: ......

ອ່ານຕື່ມ

ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກວິທີ epitaxy ໄລຍະຂອງແຫຼວ?

ເມື່ອປຽບທຽບກັບວິທີການ PVT, ວິທີການໄລຍະຂອງແຫຼວສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວ SiC ມີຂໍ້ດີດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:

ອ່ານຕື່ມ

epitaxy ໄລຍະຂອງແຫຼວແມ່ນຫຍັງ?

ວິທີການໄລຍະຂອງແຫຼວແມ່ນໃກ້ຊິດກັບເງື່ອນໄຂຄວາມສົມດຸນຂອງ thermodynamic ແລະສາມາດຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC ທີ່ມີຄຸນນະພາບດີກວ່າ.

ອ່ານຕື່ມ

ການເຄືອບ TaC

ອີງຕາມຜົນການວິໄຈ, ການເຄືອບ TaC ສາມາດເຮັດໜ້າທີ່ເປັນຊັ້ນປ້ອງກັນ ແລະແຍກຕົວອອກເພື່ອຍືດອາຍຸອົງປະກອບຂອງກາຟໄລ, ປັບປຸງຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງອຸນຫະພູມ radial, ຮັກສາ SiC sublimation stoichiometry, ສະກັດກັ້ນການເຄື່ອນຍ້າຍຂອງ impurity, ແລະຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກພະລັງງານ. ໃນທີ່ສຸດຊຸດ graphite crucible ທີ່ເຄືອບ TaC ຄາດວ່າຈະ......

ອ່ານຕື່ມ

ຂະບວນການ CVD ແມ່ນຫຍັງໃນ semiconductor?

ການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ CVD ຫມາຍເຖິງການນໍາເອົາວັດຖຸດິບທີ່ມີທາດອາຍແກັສສອງຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນເຂົ້າໄປໃນຫ້ອງຕິກິຣິຍາພາຍໃຕ້ສະພາບສູນຍາກາດແລະອຸນຫະພູມສູງ, ບ່ອນທີ່ວັດຖຸດິບທີ່ເປັນທາດອາຍຜິດປະຕິກິລິຍາກັບກັນແລະກັນເພື່ອປະກອບເປັນວັດສະດຸໃຫມ່, ເຊິ່ງຖືກຝາກຢູ່ເທິງຫນ້າ wafer.

ອ່ານຕື່ມ

ພາບລວມການພັດທະນາອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic

ໃນປີ 2027, photovoltaic ແສງຕາເວັນ (PV) ຈະລື່ນກາຍຖ່ານຫີນທີ່ມີຄວາມສາມາດຕິດຕັ້ງທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດຂອງໂລກ. ຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕັ້ງສະສົມຂອງພະລັງງານແສງຕາເວັນ PV ເກືອບສາມເທົ່າໃນການຄາດຄະເນຂອງພວກເຮົາ, ເພີ່ມຂຶ້ນເກືອບ 1,500 gigawatts ໃນໄລຍະນີ້, ແລະຈະລື່ນກາຍອາຍແກັສທໍາມະຊາດໃນປີ 2026 ແລະຖ່ານຫີນໃນປີ 2027.

ອ່ານຕື່ມ

<...31 32 33 34 35...37 >